Главная страница ПродукцияМикросхема памяти ДРАХМЫ

8 Гб C Смертная память DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Оставьте нам сообщение

8 Гб C Смертная память DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

8 Гб C Смертная память DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
8 Гб C Смертная память DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 8 Гб C Смертная память DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 8 Гб C Смертная память DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Большие изображения :  8 Гб C Смертная память DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: KR
Фирменное наименование: SAMSUNG
Сертификация: ROHS
Номер модели: K4A8G165WC-BITD
Документ: 06257D8C37A1B57F18DD60B9E3E...09.pdf
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1
Цена: CONSULT WITH
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5-8day
Условия оплаты: Western Union,T/T
Поставка способности: 10000
контакт Побеседуйте теперь

8 Гб C Смертная память DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD

описание
Каталог продукта: Память >Динамическая память с случайным доступом DRAM Универсальная упаковка: ФБГА-96
ROHS: Соответствие Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Рабочая температура: -40~95°C Уровень применения: Технический сорт
Способ упаковки: Поддон Пропускная способность: 512Mx16
Выделить:

8 Гб DRAM-память DDR4

,

Чип памяти DDR4

,

K4A8G165WC-BITD

Динамическая память случайного доступа DRAM 8Gb C-die DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD
Спецификации продукции
Атрибут Стоимость
Каталог продукции Память > Динамическая случайная память DRAM
Универсальная упаковка FBGA-96
RoHS Соответствие
Способ установки Установка на поверхности
Рабочая температура -40~95°C
Уровень применения Промышленный класс
Способ упаковки Палитра
Пропускная способность 512Mx16
Технические подробности
  • Работа по стандарту JEDEC 1.2V (1.14V-1.26V)
  • VDDo = 1,2V (1,14V-1,26V), VPp = 2,5V (2,375V-2,75V)
  • Скорости до 3200Mb/sec/pin (DDR4-3200)
  • 8 Банки (2 банковские группы)
  • Программируемая задержка CAS и задержка записи CAS
  • 8-битная архитектура предварительного поиска
  • Двунаправленная дифференциальная полоса данных
  • Внутренняя самокалибровка через ZQ-прин (RZQ: 240 Ом±1%)
  • При окончании с помощью ODT-прицепа
  • Возможность асинхронного перезапуска
  • CRC (Cyclic Redundancy Check) для обеспечения безопасности данных
  • Проверка паритета командных адресов
  • Поддержка Data Bus Inversion (DBI)
  • Доступный режим понижения скорости
  • Интерфейс POD (Pseudo Open Drain)
Изображения продукции
8 Гб C Смертная память DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 0 8 Гб C Смертная память DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 1 8 Гб C Смертная память DRAM DDR4 SDRAM K4A8G165WC-BITD 2
Информация о упаковке

Стандартная экспортная упаковка доступна. Клиенты могут выбирать из картона, деревянных чехлов и деревянных поддонов в соответствии со своими требованиями.

Часто задаваемые вопросы
Как получить цену?

Мы обычно предоставляем предложения в течение 24 часов после получения вашего запроса (за исключением выходных и праздничных дней).пожалуйста, свяжитесь с нами напрямую по электронной почте или другими доступными способами.

Сколько у вас сроков доставки?

Время доставки зависит от количества заказа и сезона.

Какие у вас условия оплаты?

Фабричные цены с 30% депозита и 70% остаток оплаты через T / T перед отправкой.

Какие у вас варианты доставки?

Мы предлагаем морскую, воздушную или экспресс-доставку (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Пожалуйста, подтвердите предпочтительный способ доставки перед заказом.

Как вы поддерживаете долгосрочные отношения с клиентами?

Мы придаем первостепенное значение качеству и конкурентоспособным ценам для обеспечения удовлетворенности клиентов. Мы ценим каждое деловое взаимоотношение и подходим ко всем сделкам с искренностью и профессионализмом.

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: 18824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты