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Chip di memoria DRAM DDR4 da 16 Gb 1,2 V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

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Chip di memoria DRAM DDR4 da 16 Gb 1,2 V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Chip di memoria DRAM DDR4 da 16 Gb 1,2 V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC
Chip di memoria DRAM DDR4 da 16 Gb 1,2 V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC Chip di memoria DRAM DDR4 da 16 Gb 1,2 V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC Chip di memoria DRAM DDR4 da 16 Gb 1,2 V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Grande immagine :  Chip di memoria DRAM DDR4 da 16 Gb 1,2 V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: HYNIX
Certificazione: ROHS
Numero di modello: H5ANAG6NCJR-XNC
Documento: F02059500780155F06F87D96A0F...C4.pdf
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: consult with
Imballaggi particolari: T/R
Tempi di consegna: 5-8day
Termini di pagamento: Western Union,T/T
Capacità di alimentazione: 10000
Contatto Ora chiacchieri

Chip di memoria DRAM DDR4 da 16 Gb 1,2 V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

descrizione
Catalogo di prodotto: Memoria > Memoria ad accesso casuale dinamica Imballaggio universale: FBGA-96
RoHS: Rispetto Metodo di installazione: Installazione a montaggio superficiale
Grado di applicazione: Grado industriale Capacità di archiviazione: 16 GB
Corrente massima del rifornimento: - Tensione massima di alimentazione di funzionamento: -
Evidenziare:

Chip di memoria DRAM da 16 Gb

,

Chip di memoria DRAM DDR4 1

,

2 V

Accesso casuale dinamico Memory Dram 16GB DDR4 SDRAM H5Anag6NCJR-XNC
Specifiche del prodotto
Attributo Valore
Catalogo del prodotto Memoria> Memoria di accesso casuale dinamico
Imballaggio universale FBGA-96
Rohs Conformità
Metodo di installazione Installazione del supporto superficiale
Grado di applicazione Grado industriale
Capacità di stoccaggio 16 GB
Caratteristiche chiave
VDD = VDDQ = 1.2V +/- 0.06V
Input di orologio completamente differenziale (CK, CK)
Dati differenziali Strobo (DQS, DQS)
Su CHIP DLL allineare la transizione DQ, DQS e DQS
Le maschere DM scrivono i dati a entrambi i bordi in aumento e in calo dei dati strobi
Latenza CAS programmabile 9-20 supportata
Latenza additiva programmabile 0, CL-1 e CL-2 supportate (solo x4/x8)
Latenza di scrittura CAS programmabile (CWL) = 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18
Lunghezza di scoppio programmabile 4/8 con MODIE SEXE e Interleave sia
Architettura 16banks
JEDEC Standard 78ball FBGA (x4/x8)
Dynamic On Die Termination Supportate
Conforme a ROHS
Immagini del prodotto
Chip di memoria DRAM DDR4 da 16 Gb 1,2 V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC 0 Chip di memoria DRAM DDR4 da 16 Gb 1,2 V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC 1 Chip di memoria DRAM DDR4 da 16 Gb 1,2 V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC 2
Informazioni sull'imballaggio

Packaging di esportazione standard disponibile. I clienti possono scegliere tra cartoni, custodie in legno e pallet in legno in base alle loro esigenze.

Domande frequenti
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Prezzi di fabbrica con deposito del 30% e pagamento del saldo del 70% tramite T/T prima della spedizione.

Quali sono le tue opzioni di spedizione?

Offriamo consegna di mare, aria o espresso (EMS, UPS, DHL, TNT, FedEx). Conferma il metodo di spedizione preferito prima dell'ordinazione.

Come mantieni relazioni commerciali a lungo termine?

Diamo la priorità ai prezzi di qualità e competitivi per garantire la soddisfazione del cliente. Apprezziamo ogni relazione con i clienti e conduciamo affari con integrità e professionalità.

Prodotto Tag:

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cioccolato,

Chip di memoria di Dram

Dettagli di contatto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Persona di contatto: Mr. Sun

Telefono: 18824255380

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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