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Chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb, 1,2 V, SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

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Chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb, 1,2 V, SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb, 1,2 V, SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC
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Ampliación de imagen :  Chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb, 1,2 V, SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: HYNIX
Certificación: ROHS
Número de modelo: H5ANAG6NCJR-XNC
Documento: F02059500780155F06F87D96A0F...C4.pdf
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: consult with
Detalles de empaquetado: T/R
Tiempo de entrega: 5-8day
Condiciones de pago: En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones:
Capacidad de la fuente: 10000
Contacto Ahora Charle

Chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb, 1,2 V, SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

descripción
Catálogo de producto: Memoria > Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio Embalaje universal: FBGA-96
Protección de la salud: El cumplimiento Método de instalación: Instalación de montaje en superficie
Calificación de la solicitud: Grado industrial Capacidad de almacenamiento: 16 GB
Corriente máxima de la fuente: - Voltagem máxima de suministro de energía de trabajo: -
Resaltar:

Chips de memoria DRAM de 16 Gb

,

Chips de memoria DRAM DDR4 de 1

,

2 V

Memoria de acceso aleatorio dinámico DRAM 16 GB DDR4 SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC
Especificaciones del producto
Atributo Valor
Catálogo de productos Memoria > Memoria de acceso aleatorio dinámico
Embalaje universal Se trata de la FBGA-96.
RoHS El cumplimiento
Método de instalación Instalación de montaje en superficie
Grado de aplicación Grado industrial
Capacidad de almacenamiento 16 GB
Características clave
VDD = VDDQ = 1,2 V +/- 0,06 V
Entradas de reloj totalmente diferenciales (CK, CK)
Los datos de las pruebas de ensayo de la prueba de la prueba de ensayo de la prueba de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo de ensayo
En el chip DLL alinear DQ, DQS y transición DQS
Las máscaras DM escriben datos tanto en los bordes ascendentes como descendentes del estroboscopo de datos
Se admite la latencia CAS programable 9-20
Se admite la latencia aditiva programable 0, CL-1 y CL-2 (sólo x4/x8)
La latencia de escritura del CAS programable (CWL) = 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18
Largura de ráfaga programable 4/8 con modo secuencial de mordisco e interleave
Arquitectura de los bancos
La norma JEDEC 78ball FBGA ((x4/x8)
Dinámico en la terminación de la matriz soportado
Compatible con la Directiva RoHS
Imágenes del producto
Chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb, 1,2 V, SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC 0 Chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb, 1,2 V, SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC 1 Chips de memoria DRAM DDR4 de 16 Gb, 1,2 V, SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC 2
Información sobre el embalaje

Los clientes pueden elegir entre cartones, cajas de madera y palets de madera de acuerdo con sus necesidades.

Preguntas frecuentes
¿Cómo obtener el precio?

Por lo general, ofrecemos cotizaciones dentro de las 24 horas posteriores a la recepción de las consultas (excluyendo fines de semana y días festivos).

¿Cuál es su plazo de entrega?

Los plazos de entrega varían según la cantidad del pedido y la temporada. Los lotes pequeños generalmente se envían dentro de los 7-15 días, mientras que los pedidos más grandes pueden requerir aproximadamente 30 días.

¿Cuáles son sus términos de pago?

Precio de fábrica con depósito del 30% y pago del saldo del 70% vía T/T antes del envío.

¿Cuáles son sus opciones de envío?

Ofrecemos envío por mar, aire o expreso (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Por favor, confirme el método de envío preferido antes de hacer el pedido.

¿Cómo mantiene relaciones comerciales a largo plazo?

Priorizamos la calidad y los precios competitivos para garantizar la satisfacción del cliente. Valoramos cada relación con el cliente y conducimos negocios con integridad y profesionalismo.

Contacto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Persona de Contacto: Mr. Sun

Teléfono: 18824255380

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