Оставьте нам сообщение

16 ГБ DDR4 Dram Memory Chips 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

16 ГБ DDR4 Dram Memory Chips 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC
16 ГБ DDR4 Dram Memory Chips 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC 16 ГБ DDR4 Dram Memory Chips 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC 16 ГБ DDR4 Dram Memory Chips 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Большие изображения :  16 ГБ DDR4 Dram Memory Chips 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: КН
Фирменное наименование: HYNIX
Сертификация: ROHS
Номер модели: H5ANAG6NCJR-XNC
Документ: F02059500780155F06F87D96A0F...C4.pdf
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1
Цена: consult with
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5-8day
Условия оплаты: Western Union,T/T
Поставка способности: 10000
контакт Побеседуйте теперь

16 ГБ DDR4 Dram Memory Chips 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

описание
Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа Универсальная упаковка: ФБГА-96
ROHS: Соответствие Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Уровень применения: Технический сорт Пропускная способность: 16 ГБ
Максимальное течение поставки: Частота - Переход Максимальное рабочее напряжение питания: Частота - Переход
Выделить:

16 ГБ драмовые чипы памяти

,

Чипы памяти DDR4 DRAM 1

,

2 В

Динамический случайный доступ память DRAM 16GB DDR4 SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC
Спецификации продукта
Атрибут Ценить
Каталог продукта Память> Динамическая память о случайном доступе
Универсальная упаковка FBGA-96
Rohs Согласие
Метод установки Установка поверхностного крепления
Приложение Промышленная оценка
Емкость хранения 16 ГБ
Ключевые функции
VDD = VDDQ = 1,2 В +/- 0,06 В.
Полностью дифференциальные часы (CK, CK)
Дифференциальные данные стробоскопа (DQS, DQS)
На чипе DLL Align DQ, DQS и DQS переход
Маски DM Записывайте данные в растущих и падении границ данных стробом
Программируемая задержка CAS 9-20 поддерживается
ПРОГРАММЕСТВЕННАЯ АДАДИТАЯ задержка 0, CL-1 и CL-2 поддерживаются (только x4/x8)
Программируемая CAS Задержка записи (CWL) = 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18
Программируемая длина взрыва 4/8 с последовательным и переплетенным режимом Nibble
16banks Architecture
Jedec standard 78ball fbga (x4/x8)
Динамика при поддержке умирания поддерживается
ROHS COMPARINT
Изображения продукта
16 ГБ DDR4 Dram Memory Chips 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC 0 16 ГБ DDR4 Dram Memory Chips 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC 1 16 ГБ DDR4 Dram Memory Chips 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC 2
Информация о упаковке

Стандартная экспортная упаковка доступна. Клиенты могут выбирать из коробок, деревянных корпусов и деревянных поддонов в соответствии с их требованиями.

Часто задаваемые вопросы
Как получить цену?

Обычно мы предоставляем цитаты в течение 24 часов с момента получения запросов (за исключением выходных и праздников). Для срочных запросов на ценообразование, пожалуйста, свяжитесь с нами напрямую.

Какое у вас время доставки?

Время доставки варьируется в зависимости от количества заказа и сезона. Небольшие партии обычно поставляются в течение 7-15 дней, в то время как более крупные заказы могут потребовать приблизительно 30 дней.

Каковы ваши условия оплаты?

Заводские цены с 30% депозитом и 70% баланса с помощью T/T до отгрузки.

Какие у вас варианты доставки?

Мы предлагаем море, воздух или экспресс -доставку (EMS, UPS, DHL, TNT, FedEx). Пожалуйста, подтвердите предпочтительный метод доставки перед заказом.

Как вы поддерживаете долгосрочные деловые отношения?

Мы расставляем приоритеты качества и конкурентоспособности, чтобы обеспечить удовлетворенность клиентов. Мы ценим все отношения клиента и ведем бизнес с целостностью и профессионализмом.

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: 18824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты