Rumah ProdukChip Memori DRAM

Chip Memori Dram DDR4 16Gb 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

I 'm Online Chat Now

Chip Memori Dram DDR4 16Gb 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Chip Memori Dram DDR4 16Gb 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC
Chip Memori Dram DDR4 16Gb 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC Chip Memori Dram DDR4 16Gb 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC Chip Memori Dram DDR4 16Gb 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Gambar besar :  Chip Memori Dram DDR4 16Gb 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Detail produk:
Tempat asal: CN
Nama merek: HYNIX
Sertifikasi: ROHS
Nomor model: H5ANAG6NCJR-XNC
Dokumen: F02059500780155F06F87D96A0F...C4.pdf
Syarat-syarat pembayaran & pengiriman:
Kuantitas min Order: 1
Harga: consult with
Kemasan rincian: T/R
Waktu pengiriman: 5-8 hari
Syarat-syarat pembayaran: Western Union,T/T
Menyediakan kemampuan: 10000
Kontak bicara sekarang

Chip Memori Dram DDR4 16Gb 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC

Deskripsi
Katalog Produk: Memori> Memori Akses Acak Dinamis Kemasan Universal: FBGA-96
RoHS: Kepatuhan Metode pemasangan: Pemasangan Pemasangan Permukaan
Nilai Aplikasi: Kelas Industri Kapasitas penyimpanan: 16GB
Arus pasokan maksimum: - Tegangan catu daya maksimum kerja: -
Menyoroti:

Chip memori dram 16Gb

,

Chip memori dram DDR4 1.2V

,

H5ANAG6NCJR-XNC

Dynamic Random Access Memory DRAM 16Gb DDR4 SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC
Spesifikasi Produk
Atribut Nilai
Katalog Produk Memori > Memori Akses acak Dinamis
Kemasan universal FBGA-96
RoHS Kepatuhan
Metode pemasangan Instalasi pemasangan permukaan
Kelas aplikasi Kelas industri
Kapasitas penyimpanan 16GB
Fitur Utama
VDD=VDDQ=1.2V +/- 0,06V
Input jam yang sepenuhnya diferensial (CK, CK)
Strobe Data Diferensial (DQS, DQS)
Pada chip DLL sejajar DQ, DQS dan transisi DQS
Topeng DM menulis data-in di kedua tepi naik dan turun dari strobo data
Programmable CAS latency 9-20 didukung
Programmable additive latency 0, CL-1, dan CL-2 didukung (x4/x8 saja)
Programmable CAS Write latency (CWL) = 9, 10, 11, 12, 14, 16, 18
Panjang ledakan yang dapat diprogram 4/8 dengan mode urutan dan interleave
Arsitektur bank
JEDEC standar 78ball FBGA ((x4/x8)
Dynamic On Die Termination didukung
RoHS sesuai
Gambar Produk
Chip Memori Dram DDR4 16Gb 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC 0 Chip Memori Dram DDR4 16Gb 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC 1 Chip Memori Dram DDR4 16Gb 1.2V SDRAM H5ANAG6NCJR-XNC 2
Informasi kemasan

Paket ekspor standar tersedia. Pelanggan dapat memilih dari karton, kasus kayu dan palet kayu sesuai dengan kebutuhan mereka.

Pertanyaan yang Sering Diajukan
Bagaimana cara mendapatkan harga?

Kami biasanya memberikan penawaran dalam waktu 24 jam setelah menerima pertanyaan (tidak termasuk akhir pekan dan hari libur).

Berapa waktu pengiriman Anda?

Waktu pengiriman bervariasi berdasarkan jumlah pesanan dan musim. Batch kecil biasanya dikirim dalam waktu 7-15 hari, sementara pesanan yang lebih besar mungkin membutuhkan waktu sekitar 30 hari.

Apa syarat pembayaranmu?

Harga pabrik dengan deposit 30% dan pembayaran saldo 70% melalui T / T sebelum pengiriman.

Apa pilihan pengiriman Anda?

Kami menawarkan pengiriman laut, udara, atau ekspres (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Mohon konfirmasi metode pengiriman yang Anda inginkan sebelum memesan.

Bagaimana Anda mempertahankan hubungan bisnis jangka panjang?

Kami memprioritaskan kualitas dan harga yang kompetitif untuk memastikan kepuasan pelanggan. Kami menghargai setiap hubungan klien dan melakukan bisnis dengan integritas dan profesionalisme.

Rincian kontak
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Kontak Person: Mr. Sun

Tel: 18824255380

Mengirimkan permintaan Anda secara langsung kepada kami (0 / 3000)