Συνομιλία τώρα |
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤσιπ μνήμης DRAM

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

Όλα τα Προϊόντα

Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA

(42)

Μονάδα μικροελεγκτών MCU

(44)

Σύστημα SOC σε τσιπ

(17)

MPU IC

(11)

ΚΑΠΚΑΠΚΑ

(9)

Ανιχνευτής θερμότητας υπέρυθρου

(2)

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος DSP

(12)

Τσιπ μνήμης DRAM

(26)

eeprom τσιπ

(70)

Τσιπ PSRAM

(5)

Τσιπ SRAM

(18)

Χωρίς φλας

(51)

Κύκλωμα διακόπτη EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

Ενοποιημένα κυκλώματα ραδιοκυμάτων

(11)

Η μπαταρία ιόντων λιθίου

(24)

Προγραμματισμός PLC

(15)

Μονάδα GPS

(9)

Μονάδα ραδιοσυχνοτήτων

(9)

Μονάδα ισχύος

(17)

Στερεάς κατάστασης ηλεκτρονόμος

(11)

Κεραία επικοινωνίας

(3)

Συνδετήρας

(8)

Τσιπ διαχείρισης ισχύος

(38)
Είμαι Online Chat Now

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

Μεγάλες Εικόνας :  W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: ΣΟ
Μάρκα: Winbond
Πιστοποίηση: rohs
Αριθμό μοντέλου: W9825G6KH-6I
Έγγραφο: 1489630415513.pdf
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: consult with
Συσκευασία λεπτομέρειες: T/R
Χρόνος παράδοσης: 5-8 ημέρες
Όροι πληρωμής: T/T, Western Union
Δυνατότητα προσφοράς: 100000
Επικοινωνία Συνομιλία τώρα

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

περιγραφή
Θερμοκρασία λειτουργίας: -40℃~+85℃ Τάση λειτουργίας: 3V~3.6V
Αρχιτεκτονική μνήμης (μορφή): SDRAM Χωρητικότητα αποθήκευσης: 256 Mbit
Συχνότητα ρολογιών (fc): 166MHz Λειτουργικό Ρεύμα: -
Επισημαίνω:

W9825G6KH-6I SDRAM memory chip

,

4M 16BITS DRAM chip

,

high-speed synchronous DRAM memory

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
The W9825G6KH is a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM) organized as 4M words * 4 banks * 16 bits. This memory module delivers exceptional data bandwidth of up to 200 million words per second, making it ideal for high-performance computing applications.
Product Overview
Designed to fully comply with personal computer industrial standards, the W9825G6KH features burst-oriented access patterns. Consecutive memory locations within one page can be accessed with programmable burst lengths of 1, 2, 4, 8, or full page. The multiple bank architecture enables interleaving among internal banks to optimize performance by hiding precharging time.
Key Features
  • 3.3V ± 0.3V Power Supply
  • Up to 200 MHz Clock Frequency
  • 4,194,304 Words * 4 Banks * 16 Bits Organization
  • Self Refresh Mode: Standard and Low Power
  • CAS Latency: 2 and 3
  • Burst Length: 1, 2, 4, 8 and Full Page
  • Burst Read, Single Writes Mode
  • Byte Data Controlled by LDQM, UDQM
  • Power Down Mode
  • Auto-precharge and Controlled Precharge
  • 8K Refresh Cycles/64 mS
  • LVTTL Interface
  • TSOP II 54-pin, 400 mil - 0.80 packaging
  • Lead-free materials with RoHS compliant
Speed Grade Specifications
Part Number Speed Grade Self Refresh Current (Max) Operating Temperature
W9825G6KH-5 200MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-5I 200MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA -40°C ~ 85°C
W9825G6KH-6 166MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-6I 166MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA -40°C ~ 85°C
W9825G6KH-6L 166MHz/CL3 or 133MHz/CL2 1.5 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-75 133MHz/CL3 or 100MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH75L 133MHz/CL3 or 100MHz/CL2 1.5 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 0 W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 1 W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 2
Packaging & Shipping
Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their specific requirements.
Frequently Asked Questions
How to obtain the price?
We typically provide quotations within 24 hours of receiving your inquiry (excluding weekends and holidays). For urgent pricing requests, please contact us directly.
What is your delivery time?
Small batches typically ship within 7-15 days, while large batch orders may require approximately 30 days depending on order quantity and season.
What are your payment terms?
Factory pricing with 30% deposit and 70% balance payment via T/T before shipment.
What are the shipping options?
Available shipping methods include sea freight, air freight, and express delivery (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Please confirm your preferred method before ordering.

ετικέτα:

τσιπ ντραμ,

τσιπ ντράμ,

Τσιπ μνήμης DRAM

Στοιχεία επικοινωνίας
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Sun

Τηλ.:: +8618824255380

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα
FBGA-200 DRAM Chip Μνήμης 8Gb X16 X2 Channel LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

FBGA-200 DRAM Chip Μνήμης 8Gb X16 X2 Channel LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: FBGA-200

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
2Gb F Die DRAM Μνήμης Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

2Gb F Die DRAM Μνήμης Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: BGA, FBGA

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
DDR3L X16 4Gb DRAM Chip Industrial F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4Gb DRAM Chip Industrial F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: FBGA-96

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
Τσιπ μνήμης DRAM 512MB 16bit 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Τσιπ μνήμης DRAM 512MB 16bit 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Καταλόγος εμπορευμάτων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Συσκευές γενικής χρήσης: FBGA-96

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης

Θερμοκρασία εργασίας: 95℃ (μέγιστο)
Τσιπ μνήμης DRAM DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

Τσιπ μνήμης DRAM DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: FBGA-96

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
περίπου

Μονάδα μικροελεγκτών MCU

UART SPI MCU Μικροελεγκτής Arm Cortex-A35 Μικροεπεξεργαστής Chip MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU Μονάδα Μικροελεγκτή 16 32KBytes Προγραμματιζόμενο Flash ATMEGA168PA-AU

128kB 8bit MCU Μονάδα Μικροελεγκτή Πυρήνας AVR Chip Μικροϋπολογιστή ATMEGA128A-AU

Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Πεδίο Προγραμματιζόμενη συσκευή Λογική σειρά

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Πύλη πεδίου Τρίχωμα πεδίου Προγραμματιζόμενο Τρίχωμα Λογική συσκευή Τσιπ

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld Chips Programmable Logic Chips 85000LE

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | Κίνα καλός Ποιότητα Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA προμηθευτής. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.