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W9825G6KH-6I 4M 16BITS SDRAM हाई-स्पीड सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी

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W9825G6KH-6I 4M 16BITS SDRAM हाई-स्पीड सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

बड़ी छवि :  W9825G6KH-6I 4M 16BITS SDRAM हाई-स्पीड सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Winbond
प्रमाणन: rohs
मॉडल संख्या: W9825G6KH-6I
दस्तावेज: 1489630415513.pdf
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: consult with
पैकेजिंग विवरण: टी/आर
प्रसव के समय: 5-8 दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000
संपर्क करें

W9825G6KH-6I 4M 16BITS SDRAM हाई-स्पीड सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी

वर्णन
परिचालन तापमान: -40℃~+85℃ ऑपरेटिंग वोल्टेज: 3V~3.6V
मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप): एसडीआरएएम भंडारण क्षमता: 256Mbit
घड़ी की आवृत्ति (एफसी): 166 मेगाहर्ट्ज ऑपरेटिंग करंट: 2-3टी/कॉइल
प्रमुखता देना:

W9825G6KH-6I SDRAM मेमोरी चिप

,

4M 16BITS DRAM चिप

,

उच्च गति सिंक्रोनस DRAM स्मृति

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM हाई स्पीड सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी
W9825G6KH एक उच्च गति सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (SDRAM) है जिसे 4M शब्दों * 4 बैंकों * 16 बिट्स के रूप में व्यवस्थित किया गया है।यह मेमोरी मॉड्यूल प्रति सेकंड 200 मिलियन शब्दों तक की असाधारण डेटा बैंडविड्थ प्रदान करता है, उच्च प्रदर्शन कंप्यूटिंग अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाता है।
उत्पाद का अवलोकन
पर्सनल कंप्यूटर औद्योगिक मानकों के पूर्ण अनुपालन के लिए डिज़ाइन किया गया, W9825G6KH में फट-उन्मुख एक्सेस पैटर्न हैं।एक पृष्ठ के भीतर लगातार मेमोरी स्थानों तक 1 की प्रोग्राम करने योग्य फट लंबाई के साथ पहुँच सकते हैं, 2, 4, 8, या पूर्ण पृष्ठ। मल्टीपल बैंक आर्किटेक्चर प्रीचार्जिंग समय को छिपाकर प्रदर्शन को अनुकूलित करने के लिए आंतरिक बैंकों के बीच इंटरलेविंग को सक्षम करता है।
प्रमुख विशेषताएं
  • 3.3V ± 0.3V पावर सप्लाई
  • 200 मेगाहर्ट्ज तक घड़ी आवृत्ति
  • 4,194,304 शब्द * 4 बैंक * 16 बिट्स संगठन
  • स्वतः ताज़ा मोडः मानक और कम शक्ति
  • सीएएस विलंबताः 2 और 3
  • बस्ट लंबाईः 1, 2, 4, 8 और पूर्ण पृष्ठ
  • फट पढ़ें, एकल लिखें मोड
  • LDQM, UDQM द्वारा नियंत्रित बाइट डेटा
  • पावर डाउन मोड
  • ऑटो प्रीचार्ज और नियंत्रित प्रीचार्ज
  • 8K रिफ्रेश साइकिल/64 एमएस
  • एलवीटीटीएल इंटरफ़ेस
  • TSOP II 54-पिन, 400 मिली - 0.80 पैकेजिंग
  • RoHS के अनुरूप सीसा मुक्त सामग्री
गति श्रेणी के विनिर्देश
भाग संख्या गति ग्रेड स्व-रिफ्रेश करंट (अधिकतम) ऑपरेटिंग तापमान
W9825G6KH-5 200MHz/CL3 या 133MHz/CL2 2 एमए 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-5I 200MHz/CL3 या 133MHz/CL2 2 एमए -40°C ~ 85°C
W9825G6KH-6 166MHz/CL3 या 133MHz/CL2 2 एमए 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-6I 166MHz/CL3 या 133MHz/CL2 2 एमए -40°C ~ 85°C
W9825G6KH-6L 166MHz/CL3 या 133MHz/CL2 1.5 एमए 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-75 133MHz/CL3 या 100MHz/CL2 2 एमए 0°C ~ 70°C
W9825G6KH75L 133MHz/CL3 या 100MHz/CL2 1.5 एमए 0°C ~ 70°C
W9825G6KH SDRAM component diagram W9825G6KH SDRAM pin configuration W9825G6KH SDRAM packaging
पैकेजिंग और शिपिंग
मानक निर्यात पैकेजिंग उपलब्ध है। ग्राहक अपनी विशिष्ट आवश्यकताओं के अनुसार कार्टन, लकड़ी के मामले और लकड़ी के पैलेट से चुन सकते हैं।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
कीमत कैसे प्राप्त करें?
हम आम तौर पर आपकी पूछताछ प्राप्त करने के 24 घंटे के भीतर उद्धरण प्रदान करते हैं (सप्ताह के अंत और छुट्टियों को छोड़कर) । तत्काल मूल्य निर्धारण अनुरोधों के लिए, कृपया हमसे सीधे संपर्क करें।
आपकी डिलीवरी का समय क्या है?
छोटे बैच आमतौर पर 7-15 दिनों के भीतर जहाज करते हैं, जबकि बड़े बैच ऑर्डर के लिए ऑर्डर की मात्रा और मौसम के आधार पर लगभग 30 दिनों की आवश्यकता हो सकती है।
आपकी भुगतान शर्तें क्या हैं?
शिपमेंट से पहले टी/टी के माध्यम से 30% जमा और 70% शेष भुगतान के साथ फैक्टरी मूल्य निर्धारण।
शिपिंग के क्या विकल्प हैं?
उपलब्ध शिपिंग विधियों में समुद्री माल ढुलाई, हवाई माल ढुलाई और एक्सप्रेस डिलीवरी (ईएमएस, यूपीएस, डीएचएल, टीएनटी, फेडेक्स) शामिल हैं। कृपया ऑर्डर करने से पहले अपनी पसंदीदा विधि की पुष्टि करें।

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: FBGA-200

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
2Gb F डाई DRAM मेमोरी चिप डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: बीजीए ， एफबीजीए

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
DDR3L X16 4Gb DRAM चिप औद्योगिक F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

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माल सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सामान्य उद्देश्य पैकेजिंग: एफबीजीए-96

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना

कार्य तापमान: 95 ℃ (अधिकतम)
औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
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