พูดคุยกันตอนนี้ |
บ้าน ผลิตภัณฑ์ชิปหน่วยความจำ DRAM

W9825G6KH-6I 4M 16BITS SDRAM หน่วยความจำเข้าถึงสุ่มแบบไดนามิกแบบซิงโครนัสความเร็วสูง

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

(42)

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

(129)

ระบบบนชิป (SOC)

(17)

MPU IC

(11)

CPLD PLD

(9)

เครื่องตรวจจับความร้อนอินฟราเรด

(2)

ชิปไอซี DSP

(12)

ชิปหน่วยความจำ DRAM

(26)

ชิป EEPROM

(70)

ชิป PSRAM

(5)

ชิป SRAM

(20)

แฟลช NOR

(51)

EPROM IC

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(100)

เครื่องวงจรบูรณาการ RF

(11)

ชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์

(79)

การเขียนโปรแกรม PLC

(15)

โมดูล GPS

(9)

โมดูลความถี่วิทยุ

(9)

โมดูลพลังงาน

(19)

โซลิดสเตตรีเลย์

(11)

เสาอากาศสื่อสาร

(3)

ตัวเชื่อมต่อ

(8)

ชิปการจัดการพลังงาน

(38)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

W9825G6KH-6I 4M 16BITS SDRAM หน่วยความจำเข้าถึงสุ่มแบบไดนามิกแบบซิงโครนัสความเร็วสูง

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

ภาพใหญ่ :  W9825G6KH-6I 4M 16BITS SDRAM หน่วยความจำเข้าถึงสุ่มแบบไดนามิกแบบซิงโครนัสความเร็วสูง

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ซีเอ็น
ชื่อแบรนด์: Winbond
ได้รับการรับรอง: rohs
หมายเลขรุ่น: W9825G6KH-6I
เอกสาร: 1489630415513.pdf
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
ราคา: consult with
รายละเอียดการบรรจุ: ที/อาร์
เวลาการส่งมอบ: 5-8 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที, เวสเทิร์นยูเนี่ยน
สามารถในการผลิต: 100000
ติดต่อ พูดคุยกันตอนนี้

W9825G6KH-6I 4M 16BITS SDRAM หน่วยความจำเข้าถึงสุ่มแบบไดนามิกแบบซิงโครนัสความเร็วสูง

ลักษณะ
อุณหภูมิในการทำงาน: -40°C~+85°C แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน: 3V~3.6V
สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ (รูปแบบ): SDRAM ความจุในการจัดเก็บข้อมูล: 256Mbit
ความถี่นาฬิกา (fc): 166MHz การดำเนินงานในปัจจุบัน: -
เน้น:

ชิปหน่วยความจำ W9825G6KH-6I SDRAM

,

ชิป DRAM 4M 16BITS

,

หน่วยความจำ DRAM แบบซิงโครนัสความเร็วสูง

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM แมมรี่การเข้าสุ่มแบบไดนัมิกพร้อมกันความเร็วสูง
W9825G6KH เป็นความทรงจําการเข้าสุ่มแบบไดนามิก (SDRAM) ความเร็วสูง ที่จัดเป็นคํา 4M * 4 ธนาคาร * 16 บิตโมดูลความจํานี้ให้ความกว้างแบนด์บานด์ข้อมูลที่พิเศษสูงสุด 200 ล้านคําต่อวินาทีทําให้มันเหมาะสมสําหรับการใช้งานคอมพิวเตอร์ที่มีประสิทธิภาพสูง
ภาพรวมสินค้า
ออกแบบมาให้ตรงกับมาตรฐานอุตสาหกรรมคอมพิวเตอร์ส่วนตัว W9825G6KH มีรูปแบบการเข้าถึงแบบกระจายสถานที่ความจําติดต่อกันภายในหน้าหนึ่งสามารถเข้าถึงได้ด้วยความยาวการกระจายโปรแกรมได้ 1อาร์คิเทคชีนหลายธนาคารทําให้การสับสนระหว่างธนาคารภายในเพื่อปรับปรุงผลงานโดยซ่อนเวลาการชาร์จก่อน
ลักษณะสําคัญ
  • 3.3V ± 0.3V พลังงานไฟฟ้า
  • ความถี่นาฬิกาสูงสุด 200 MHz
  • 4,194, 304 คํา * 4 ธนาคาร * 16 บิตองค์กร
  • รูปแบบการอัพเดทแบบอัตโนมัติ: เบอร์มาตรฐานและพลังงานต่ํา
  • CAS Latency: 2 และ 3
  • ความยาว: 1, 2, 4, 8 และหน้าเต็ม
  • อ่านเรียงเรียง, เขียนแบบเดียว
  • ข้อมูลไบท์ที่ควบคุมโดย LDQM, UDQM
  • โหมดปิดไฟ
  • อัตโนมัติและควบคุมการชาร์จ
  • วงจรการอัพเดท 8K/64 mS
  • อินเตอร์เฟซ LVTTL
  • TSOP II ขนาด 54 ปิน 400 มิล - 0.80 กล่อง
  • วัสดุไร้หมูที่สอดคล้องกับ RoHS
รายละเอียดระดับความเร็ว
เลขส่วน ระดับความเร็ว กระแสปรับปรุงตัวเอง (สูงสุด) อุณหภูมิการทํางาน
W9825G6KH-5 200MHz/CL3 หรือ 133MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-5I 200MHz/CL3 หรือ 133MHz/CL2 2 mA -40 °C ~ 85 °C
W9825G6KH-6 166MHz/CL3 หรือ 133MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-6I 166MHz/CL3 หรือ 133MHz/CL2 2 mA -40 °C ~ 85 °C
W9825G6KH-6L 166MHz/CL3 หรือ 133MHz/CL2 1.5 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-75 133MHz/CL3 หรือ 100MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH75L 133MHz/CL3 หรือ 100MHz/CL2 1.5 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-6I 4M 16BITS SDRAM หน่วยความจำเข้าถึงสุ่มแบบไดนามิกแบบซิงโครนัสความเร็วสูง 0 W9825G6KH-6I 4M 16BITS SDRAM หน่วยความจำเข้าถึงสุ่มแบบไดนามิกแบบซิงโครนัสความเร็วสูง 1 W9825G6KH-6I 4M 16BITS SDRAM หน่วยความจำเข้าถึงสุ่มแบบไดนามิกแบบซิงโครนัสความเร็วสูง 2
การบรรจุและการขนส่ง
มีการบรรจุส่งออกมาตรฐาน ลูกค้าสามารถเลือกจากกล่องกล่อง, กล่องไม้, และพัลเล็ตไม้ตามความต้องการเฉพาะเจาะจงของพวกเขา
คํา ถาม ที่ ถาม บ่อย
จะหาราคาได้อย่างไร
เรามักจะนําเสนอราคาภายใน 24 ชั่วโมงหลังจากได้รับการสอบถามของคุณ (ยกเว้นสุดสัปดาห์และวันหยุด). สําหรับคําขอราคาด่วน, กรุณาติดต่อเราโดยตรง.
เวลาจัดส่งของคุณคืออะไร?
ชุดเล็ก ๆ ปกติส่งภายใน 7-15 วัน ในขณะที่สั่งชุดใหญ่อาจต้องใช้เวลาประมาณ 30 วันขึ้นอยู่กับปริมาณการสั่งและฤดูกาล
สัญญาการชําระเงินของคุณคืออะไร?
ราคาโรงงานด้วยเงินฝาก 30% และการชําระเงิน 70% โดย T/T ก่อนการจัดส่ง
มีทางเลือกการส่งอะไรบ้าง?
วิธีการจัดส่งที่มีให้บริการประกอบด้วย ส่งทางทะเล ส่งทางอากาศ และส่งด่วน (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX) กรุณายืนยันวิธีการที่คุณต้องการก่อนสั่งซื้อ

คะแนนโดยรวม

5.0
จาก 50 รีวิวสำหรับผู้ขายรายนี้

รูปฉบับการจัดอันดับ

ต่อไปนี้คือการกระจายการจัดอันดับทั้งหมด
5 ดาว
100%
4 ดาว
0%
3 ดาว
0%
2 ดาว
0%
1 ดาว
0%

รีวิวทั้งหมด

J
Jacques
France Oct 8.2025
เป็นประโยชน์ (1)
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
แท็ก:

ชิป dram,

ชิปหน่วยความจำ Dram,

ชิปหน่วยความจำ W9825G6KH-6I SDRAM

รายละเอียดการติดต่อ
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

ผู้ติดต่อ: Mr. Sun

โทร: +8618824255380

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ
ชิปความจํา FBGA-200 DRAM 8Gb X16 X2 ช่อง LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

ชิปความจํา FBGA-200 DRAM 8Gb X16 X2 ช่อง LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: FBGA-2000

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
ชิปหน่วยความจำ DRAM ขนาด 2Gb F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

ชิปหน่วยความจำ DRAM ขนาด 2Gb F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: BGA， FBGA

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
DDR3L X16 4Gb DRAM ชิปอุตสาหกรรม F60C1A0004-M7

DDR3L X16 4Gb DRAM ชิปอุตสาหกรรม F60C1A0004-M7

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

การบรรจุภัณฑ์ทั่วไป: FBGA-96

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
ชิปความจํา DRAM ขนาด 512MB 16 บิต 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

ชิปความจํา DRAM ขนาด 512MB 16 บิต 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์ทั่วไป: FBGA-96

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount

อุณหภูมิการทํางาน: 95 ℃ (สูงสุด)
ชิปความจํา DRAM อุตสาหกรรม DDR3l DDR3L X16 2GB F60C1A0002-M69W

ชิปความจํา DRAM อุตสาหกรรม DDR3l DDR3L X16 2GB F60C1A0002-M69W

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: FBGA-96

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
เกี่ยวกับ

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

UART SPI MCU ไมโครคอนโทรลเลอร์ Arm Cortex-A35 ไมโครโปรเซสเซอร์ ชิป MA35D16F887C

ไมโครคอนโทรลเลอร์ Atmel 8 บิต MCU หน่วยความจำแฟลชแบบตั้งโปรแกรมได้ 16 32KBytes ATMEGA168PA-AU

ไมโครคอนโทรลเลอร์ 128kB 8 บิต หน่วยประมวลผลกลาง (MCU) ชิปไมโครคอมพิวเตอร์ AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD สนามที่สามารถเขียนโปรแกรมได้

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip ชิป

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB ชิป Cpld ชิปโลจิกโปรแกรม 85000LE

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | จีน ดี คุณภาพ FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู จําหน่าย. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.