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W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

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W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

Image Grand :  W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: Winbond
Certification: rohs
Numéro de modèle: Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
Documents: 1489630415513.pdf
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: consult with
Détails d'emballage: T/R
Délai de livraison: 5-8 jours
Conditions de paiement: T/T, Union occidentale
Capacité d'approvisionnement: 100000
Contact Causez Maintenant

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

description de
Température de fonctionnement: -40 ℃ ~ + 85 ℃ Tension de fonctionnement: 3V~3.6V
Architecture mémoire (format): SDRAM Capacité de stockage: 256 Mbits
Fréquence du signal d'horloge (fc): 166 MHz Courant de fonctionnement: -
Mettre en évidence:

W9825G6KH-6I SDRAM memory chip

,

4M 16BITS DRAM chip

,

high-speed synchronous DRAM memory

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
The W9825G6KH is a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM) organized as 4M words * 4 banks * 16 bits. This memory module delivers exceptional data bandwidth of up to 200 million words per second, making it ideal for high-performance computing applications.
Product Overview
Designed to fully comply with personal computer industrial standards, the W9825G6KH features burst-oriented access patterns. Consecutive memory locations within one page can be accessed with programmable burst lengths of 1, 2, 4, 8, or full page. The multiple bank architecture enables interleaving among internal banks to optimize performance by hiding precharging time.
Key Features
  • 3.3V ± 0.3V Power Supply
  • Up to 200 MHz Clock Frequency
  • 4,194,304 Words * 4 Banks * 16 Bits Organization
  • Self Refresh Mode: Standard and Low Power
  • CAS Latency: 2 and 3
  • Burst Length: 1, 2, 4, 8 and Full Page
  • Burst Read, Single Writes Mode
  • Byte Data Controlled by LDQM, UDQM
  • Power Down Mode
  • Auto-precharge and Controlled Precharge
  • 8K Refresh Cycles/64 mS
  • LVTTL Interface
  • TSOP II 54-pin, 400 mil - 0.80 packaging
  • Lead-free materials with RoHS compliant
Speed Grade Specifications
Part Number Speed Grade Self Refresh Current (Max) Operating Temperature
W9825G6KH-5 200MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-5I 200MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA -40°C ~ 85°C
W9825G6KH-6 166MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-6I 166MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA -40°C ~ 85°C
W9825G6KH-6L 166MHz/CL3 or 133MHz/CL2 1.5 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-75 133MHz/CL3 or 100MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH75L 133MHz/CL3 or 100MHz/CL2 1.5 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 0 W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 1 W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 2
Packaging & Shipping
Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their specific requirements.
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éclaboussure de dram,

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Puces de mémoire de drachme

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Personne à contacter: Mr. Sun

Téléphone: +8618824255380

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