نتحدث الآن |
منزل المنتجاتشريحة ذاكرة DRAM

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

جميع المنتجات

مجموعة بوابة قابلة للبرمجة في مجال FPGA

(42)

وحدة متحكم MCU

(44)

نظام على رقاقة

(17)

وحدة تحكم MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

كاشف الحرارة تحت الحمراء

(2)

رقاقة IC DSP

(12)

شريحة ذاكرة DRAM

(26)

رقاقة eeprom

(70)

شريحة PSRAM

(5)

شريحة SRAM

(18)

ولا فلاش

(51)

ذاكرة القراءة فقط القابلة للمسح والبرمجة (EPROM) IC

(7)

IC UART

(8)

إدارة التحكم في الطاقة

(50)

الدوائر المتكاملة الراديوية

(11)

بطارية ليثيوم أيون

(24)

برمجة PLC

(15)

وحدة GPS

(9)

وحدة ترددات الراديو

(9)

وحدة الطاقة

(17)

ترحيل الحالة الصلبة

(11)

هوائي اتصالات

(3)

موصل

(8)

شريحة إدارة الطاقة

(38)
ابن دردش الآن

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

صورة كبيرة :  W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

تفاصيل المنتج:
مكان المنشأ: CN
اسم العلامة التجارية: Winbond
إصدار الشهادات: rohs
رقم الموديل: W9825G6KH-6I
الوثيقة: 1489630415513.pdf
شروط الدفع والشحن:
الحد الأدنى لكمية: 1
الأسعار: consult with
تفاصيل التغليف: ر/ر
وقت التسليم: 5-8days
شروط الدفع: / تي تي، ويسترن يونيون
القدرة على العرض: 100000
اتصل نتحدث الآن

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

وصف
درجة حرارة التشغيل: -40 درجة مئوية~+85 درجة مئوية جهد التشغيل: 3 فولت ~ 3.6 فولت
بنية الذاكرة (التنسيق): سدرام سعة التخزين: 256 ميغابت
تردد الساعة (fc): 166 ميجا هرتز التشغيل الحالي: -
إبراز:

W9825G6KH-6I SDRAM memory chip,4M 16BITS DRAM chip,high-speed synchronous DRAM memory

,

4M 16BITS DRAM chip

,

high-speed synchronous DRAM memory

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
The W9825G6KH is a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM) organized as 4M words * 4 banks * 16 bits. This memory module delivers exceptional data bandwidth of up to 200 million words per second, making it ideal for high-performance computing applications.
Product Overview
Designed to fully comply with personal computer industrial standards, the W9825G6KH features burst-oriented access patterns. Consecutive memory locations within one page can be accessed with programmable burst lengths of 1, 2, 4, 8, or full page. The multiple bank architecture enables interleaving among internal banks to optimize performance by hiding precharging time.
Key Features
  • 3.3V ± 0.3V Power Supply
  • Up to 200 MHz Clock Frequency
  • 4,194,304 Words * 4 Banks * 16 Bits Organization
  • Self Refresh Mode: Standard and Low Power
  • CAS Latency: 2 and 3
  • Burst Length: 1, 2, 4, 8 and Full Page
  • Burst Read, Single Writes Mode
  • Byte Data Controlled by LDQM, UDQM
  • Power Down Mode
  • Auto-precharge and Controlled Precharge
  • 8K Refresh Cycles/64 mS
  • LVTTL Interface
  • TSOP II 54-pin, 400 mil - 0.80 packaging
  • Lead-free materials with RoHS compliant
Speed Grade Specifications
Part Number Speed Grade Self Refresh Current (Max) Operating Temperature
W9825G6KH-5 200MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-5I 200MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA -40°C ~ 85°C
W9825G6KH-6 166MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-6I 166MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA -40°C ~ 85°C
W9825G6KH-6L 166MHz/CL3 or 133MHz/CL2 1.5 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-75 133MHz/CL3 or 100MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH75L 133MHz/CL3 or 100MHz/CL2 1.5 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 0 W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 1 W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 2
Packaging & Shipping
Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their specific requirements.
Frequently Asked Questions
How to obtain the price?
We typically provide quotations within 24 hours of receiving your inquiry (excluding weekends and holidays). For urgent pricing requests, please contact us directly.
What is your delivery time?
Small batches typically ship within 7-15 days, while large batch orders may require approximately 30 days depending on order quantity and season.
What are your payment terms?
Factory pricing with 30% deposit and 70% balance payment via T/T before shipment.
What are the shipping options?
Available shipping methods include sea freight, air freight, and express delivery (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Please confirm your preferred method before ordering.

بطاقة:

شريحة درام,شريحة درام,رقائق الذاكرة الدرامية,

W9825G6KH-6I SDRAM memory chip,4M 16BITS DRAM chip,high-speed synchronous DRAM memory,

dram memory chips

تفاصيل الاتصال
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

اتصل شخص: Mr. Sun

الهاتف :: +8618824255380

إرسال استفسارك مباشرة لنا (0 / 3000)

منتجات أخرى
شريحة ذاكرة DRAM FBGA-200 بسعة 8 جيجابايت X16 X2 قناة LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

شريحة ذاكرة DRAM FBGA-200 بسعة 8 جيجابايت X16 X2 قناة LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

كتالوج المنتج: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

العبوة العالمية: FBGA-200

بنفايات: امتثال

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح
شريحة ذاكرة DRAM ديناميكية ذات وصول عشوائي DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA بسعة 2 جيجابايت

شريحة ذاكرة DRAM ديناميكية ذات وصول عشوائي DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA بسعة 2 جيجابايت

كتالوج المنتج: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

العبوة العالمية: BGA ， FBGA

بنفايات: امتثال

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح
DDR3L X16 4Gb DRAM رقاقة الصناعية F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4Gb DRAM رقاقة الصناعية F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

كتالوج المنتج: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

التغليف العالمي: FBGA-96

بنفايات: امتثال

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح
شريحة ذاكرة 512MB 16bit DRAM 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

شريحة ذاكرة 512MB 16bit DRAM 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

كتالوج البضائع: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

تغليف للأغراض العامة: FBGA-96

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح

درجة حرارة العمل: 95 ℃ (كحد أقصى)
شريحة ذاكرة DRAM صناعية DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

شريحة ذاكرة DRAM صناعية DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

كتالوج المنتج: الذاكرة> ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكي (DRAM)

العبوة العالمية: FBGA-96

بنفايات: امتثال

طريقة التثبيت: التثبيت على السطح
حول

وحدة متحكم MCU

UART SPI MCU متحكم دقيق معالج دقيق Arm Cortex-A35 شريحة MA35D16F887C

وحدة تحكم دقيقة من Atmel 8 بت، 16-32 كيلوبايت، ذاكرة فلاش قابلة للبرمجة ATMEGA168PA-AU

128 كيلو بايت 8 بت وحدة تحكم دقيقة وحدة المعالجة المركزية شريحة حاسوب دقيق بنواة AVR ATMEGA128A-AU

مجموعة بوابة قابلة للبرمجة في مجال FPGA

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD صفيف منطق الجهاز القابل للبرمجة الميداني

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I / O بوابة المجال صفحة المجال قابل للبرمجة صفحة المنطقية جهاز رقاقة

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB رقائق Cpld رقائق منطقية قابلة للبرمجة 85000LE

ترك رسالة

سياسة الخصوصية | الصين جيّد جودة مجموعة بوابة قابلة للبرمجة في مجال FPGA المورد. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.