Побеседуйте теперь |
Главная страница ПродукцияМикросхема памяти ДРАХМЫ

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

Все продукты

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

(42)

Блок микроконтроллера MCU

(44)

Система SOC на чипе

(17)

IC MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

Инфракрасный тепловой детектор

(2)

Обломок DSP IC

(12)

Микросхема памяти ДРАХМЫ

(26)

обломок eeprom

(70)

PSRAM Chip

(5)

Чип SRAM

(18)

Никакой вспышки

(51)

Микросхема EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

Радиочастотные интегральные схемы

(11)

Литий-ионная батарея

(24)

Программирование ПЛК

(15)

Модуль GPS

(9)

Радиочастотный модуль

(9)

Модуль питания

(17)

Полупроводниковое реле

(11)

Антенна связи

(3)

Разъем

(8)

Фил -фишек управления питанием

(38)
Оставьте нам сообщение

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

Большие изображения :  W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: Winbond
Сертификация: rohs
Номер модели: W9825G6KH-6I
Документ: 1489630415513.pdf
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1
Цена: consult with
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5-8 дней
Условия оплаты: Т/Т, Вестерн Юнион
Поставка способности: 100000
контакт Побеседуйте теперь

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

описание
Рабочая температура: -40℃~+85℃ Рабочее напряжение: 3V~3.6V
Архитектура памяти (формат): SDRAM Емкость хранения: 256Мбит
Тактовая частота (fc): 166 МГц Рабочий ток: -
Выделить:

W9825G6KH-6I SDRAM memory chip

,

4M 16BITS DRAM chip

,

high-speed synchronous DRAM memory

W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
The W9825G6KH is a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM) organized as 4M words * 4 banks * 16 bits. This memory module delivers exceptional data bandwidth of up to 200 million words per second, making it ideal for high-performance computing applications.
Product Overview
Designed to fully comply with personal computer industrial standards, the W9825G6KH features burst-oriented access patterns. Consecutive memory locations within one page can be accessed with programmable burst lengths of 1, 2, 4, 8, or full page. The multiple bank architecture enables interleaving among internal banks to optimize performance by hiding precharging time.
Key Features
  • 3.3V ± 0.3V Power Supply
  • Up to 200 MHz Clock Frequency
  • 4,194,304 Words * 4 Banks * 16 Bits Organization
  • Self Refresh Mode: Standard and Low Power
  • CAS Latency: 2 and 3
  • Burst Length: 1, 2, 4, 8 and Full Page
  • Burst Read, Single Writes Mode
  • Byte Data Controlled by LDQM, UDQM
  • Power Down Mode
  • Auto-precharge and Controlled Precharge
  • 8K Refresh Cycles/64 mS
  • LVTTL Interface
  • TSOP II 54-pin, 400 mil - 0.80 packaging
  • Lead-free materials with RoHS compliant
Speed Grade Specifications
Part Number Speed Grade Self Refresh Current (Max) Operating Temperature
W9825G6KH-5 200MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-5I 200MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA -40°C ~ 85°C
W9825G6KH-6 166MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-6I 166MHz/CL3 or 133MHz/CL2 2 mA -40°C ~ 85°C
W9825G6KH-6L 166MHz/CL3 or 133MHz/CL2 1.5 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-75 133MHz/CL3 or 100MHz/CL2 2 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH75L 133MHz/CL3 or 100MHz/CL2 1.5 mA 0°C ~ 70°C
W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 0 W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 1 W9825G6KH-6I 4M 4BANKS 16BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory 2
Packaging & Shipping
Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their specific requirements.
Frequently Asked Questions
How to obtain the price?
We typically provide quotations within 24 hours of receiving your inquiry (excluding weekends and holidays). For urgent pricing requests, please contact us directly.
What is your delivery time?
Small batches typically ship within 7-15 days, while large batch orders may require approximately 30 days depending on order quantity and season.
What are your payment terms?
Factory pricing with 30% deposit and 70% balance payment via T/T before shipment.
What are the shipping options?
Available shipping methods include sea freight, air freight, and express delivery (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Please confirm your preferred method before ordering.

тег:

Драм чип,

чип-драм,

Микросхемы памяти драхмы

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: +8618824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: FBGA-200

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: BGA, FBGA

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: ФБГА-96

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Каталог товаров: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Оборудование общего назначения: ФБГА-96

Способ установки: Установка поверхностного монтажа

Рабочая температура: 95°C (макс.)
Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: ФБГА-96

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
около

Блок микроконтроллера MCU

UART SPI MCU Микроконтроллер Arm Cortex-A35 Микропроцессорный чип MA35D16F887C

Atmel 8-разрядный микроконтроллер (MCU) с памятью Flash 16-32 Кбайт, программируемой ATMEGA168PA-AU

128kB 8-битный микроконтроллер MCU AVR Core Microcomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Полевое программируемое устройство Логический массив

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip (Чип с программируемым полевым массивом)

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld чипы Программируемые логические чипы 85000LE

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив) поставщик. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.