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Aperçu ProduitsPuce de mémoire de DRACHME

MT41K128M16JT-125 : k 2Gb : x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

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MT41K128M16JT-125 : k 2Gb : x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V
MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

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Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: micron
Certification: rohs
Numéro de modèle: MT41K128M16JT-125 : K
Documents: 1457707240225.pdf
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: consult with
Détails d'emballage: T/R
Délai de livraison: 5-8 jours
Conditions de paiement: T/T, Union occidentale
Capacité d'approvisionnement: 100000
Contact Causez Maintenant

MT41K128M16JT-125 : k 2Gb : x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

description de
Température de fonctionnement: 0℃~+95℃ Tension de fonctionnement: 1,283 V ~ 1,45 V
Architecture mémoire (format): DDR3L SDRAM Capacité de stockage: 2 Go
Fréquence du signal d'horloge (fc): 800 MHz Courant de fonctionnement: 46mA
Mettre en évidence:

Puce mémoire SDRAM DDR3L 2Gb

,

SDRAM DDR3L 800MHz avec 1.283V~1.45V

,

Puce SDRAM DDR3L x4 x8 x16

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V
Le MT41K128M16JT-125:k 2Gb DDR3L SDRAM est une solution mémoire basse tension offrant des configurations x4, x8 et x16 à 800 MHz avec une plage de tension de fonctionnement de 1,283 V à 1,45 V.
Présentation du produit
Le dispositif DDR3L SDRAM 1,35 V est une version basse tension du dispositif DDR3 SDRAM 1,5 V. Ce produit répond à toutes les spécifications fonctionnelles et de temporisation répertoriées dans la fiche technique standard de densité équivalente ou de DDR3 SDRAM automobile disponible sur le site Web officiel de Micron.
Caractéristiques principales
  • VDD = VDDQ = 1,35 V (1,283-1,45 V)
  • Rétrocompatible avec VDD = VDDQ = 1,5 V ±0,075 V
  • Strobe de données différentiel bidirectionnel
  • Architecture de préextraction 8n bits
  • Entrées d'horloge différentielles (CK, CK#)
  • 8 banques internes
  • Terminaison sur puce (ODT) nominale et dynamique pour les signaux de données, de strobe et de masque
  • Latence programmable CAS (lecture) (CL)
  • Latence additive CAS postée programmable (AL)
  • Latence programmable CAS (écriture) (CWL)
  • Longueur de rafale fixe (BL) de 8 et découpage de rafale (BC) de 4 (via le jeu de registres de mode [MRS])
  • BC4 ou BL8 sélectionnable à la volée (OTF)
  • Mode d'auto-rafraîchissement
  • TC de 0 °C à +95 °C : rafraîchissement de 8192 cycles à 0 °C à +85 °C ; 32 ms à +85 °C à +95 °C
  • Température d'auto-rafraîchissement (SRT)
Paramètres techniques
Paramètre 512 Még x 4 256 Még x 8 128 Még x 16
Configuration 64 Még x 4 x 8 banques 32 Még x 8 x 8 banques 16 Még x 16 x 8 banques
Nombre de rafraîchissements 8K 8K 8K
Adresse de ligne 32K A[14:0] 32K A[14:0] 16K A[13:0]
Adresse de banque 8 BA[2:0] 8 BA[2:0] 8 BA[2:0]
Adresse de colonne 2K A[11, 9:0] 1K A[9:0] 1K A[9:0]
MT41K128M16JT-125 : k 2Gb : x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V 0 MT41K128M16JT-125 : k 2Gb : x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V 1 MT41K128M16JT-125 : k 2Gb : x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V 2
Emballage et expédition
Emballage d'exportation standard disponible. Les clients peuvent choisir parmi des cartons, des caisses en bois et des palettes en bois selon leurs exigences spécifiques.
Questions fréquemment posées
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éclaboussure de dram,

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Puces de mémoire de drachme

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Personne à contacter: Mr. Sun

Téléphone: +8618824255380

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