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MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

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제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: micron
인증: rohs
모델 번호: MT41K128M16JT-125 :Ｋ
문서: 1457707240225.pdf
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: consult with
포장 세부 사항: T/R
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, 서부 동맹
공급 능력: 100000
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MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

설명
작동 온도: 0℃~+95℃ 작동 전압: 1.283V~1.45V
메모리 아키텍처(형식): DDR3L SDRAM 저장 용량: 2Gbit
클럭 주파수 (fc): 800MHz 작동 전류: 46mA
강조하다:

2GB DDR3L SDRAM 메모리 칩

,

800MHz DDR3L SDRAM 1.283V ~ 1.45V

,

x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 칩

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V
MT41K128M16JT-125:k 2Gb DDR3L SDRAM은 x4, x8, x16 구성으로 800MHz에서 작동하며 1.283V에서 1.45V까지의 작동 전압 범위를 제공하는 저전압 메모리 솔루션입니다.
제품 개요
1.35V DDR3L SDRAM 장치는 1.5V DDR3 SDRAM 장치의 저전압 버전입니다. 이 제품은 Micron 공식 웹사이트에서 제공되는 동등 밀도 표준 또는 자동차용 DDR3 SDRAM 데이터 시트에 나열된 모든 기능 및 타이밍 사양을 충족합니다.
주요 특징
  • VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
  • VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V로 하위 호환
  • 차동 양방향 데이터 스트로브
  • 8n-비트 프리페치 아키텍처
  • 차동 클럭 입력 (CK, CK#)
  • 8개의 내부 뱅크
  • 데이터, 스트로브 및 마스크 신호를 위한 명목 및 동적 온다이 종단 (ODT)
  • 프로그래밍 가능한 CAS (READ) 지연 (CL)
  • 프로그래밍 가능한 포스트 CAS 추가 지연 (AL)
  • 프로그래밍 가능한 CAS (WRITE) 지연 (CWL)
  • 8의 고정 버스트 길이 (BL) 및 4의 버스트 찹 (BC) (모드 레지스터 세트 [MRS]를 통해)
  • 온더플라이 (OTF)에서 BC4 또는 BL8 선택 가능
  • 자가 새로고침 모드
  • TC 0°C ~ +95°C: 0°C ~ +85°C에서 64ms, 8192 사이클 새로고침; +85°C ~ +95°C에서 32ms
  • 자가 새로고침 온도 (SRT)
기술 매개변수
매개변수 512 메가 x 4 256 메가 x 8 128 메가 x 16
구성 64 메가 x 4 x 8 뱅크 32 메가 x 8 x 8 뱅크 16 메가 x 16 x 8 뱅크
새로고침 횟수 8K 8K 8K
행 주소 32K A[14:0] 32K A[14:0] 16K A[13:0]
뱅크 주소 8 BA[2:0] 8 BA[2:0] 8 BA[2:0]
열 주소 2K A[11, 9:0] 1K A[9:0] 1K A[9:0]
MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V 0 MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V 1 MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V 2
포장 및 배송
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연락처 세부 사항
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담당자: Mr. Sun

전화 번호: +8618824255380

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