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MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

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उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: micron
प्रमाणन: rohs
मॉडल संख्या: MT41K128M16JT-125: के
दस्तावेज: 1457707240225.pdf
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: consult with
पैकेजिंग विवरण: टी/आर
प्रसव के समय: 5-8 दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000
संपर्क करें

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

वर्णन
परिचालन तापमान: 0℃~+95℃ ऑपरेटिंग वोल्टेज: 1.283V~1.45V
मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप): डीडीआर3एल एसडीआरएएम भंडारण क्षमता: 2जीबीआईटी
घड़ी की आवृत्ति (एफसी): 800 मेगाहर्ट्ज ऑपरेटिंग करंट: 46mA
प्रमुखता देना:

2Gb DDR3L SDRAM मेमोरी चिप

,

800MHz DDR3L SDRAM 1.283V~1.45V के साथ

,

x4 x8 x16 DDR3L SDRAM चिप

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V
MT41K128M16JT-125:k 2Gb DDR3L SDRAM एक कम वोल्टेज मेमोरी समाधान है जो 800MHz पर x4, x8 और x16 कॉन्फ़िगरेशन प्रदान करता है।
उत्पाद का अवलोकन
1.35V DDR3L SDRAM डिवाइस 1.5V DDR3 SDRAM डिवाइस का एक कम वोल्टेज संस्करण है।यह उत्पाद माइक्रोन की आधिकारिक वेबसाइट पर उपलब्ध समकक्ष घनत्व मानक या ऑटोमोटिव डीडीआर 3 एसडीआरएएम डेटा शीट में सूचीबद्ध सभी कार्यात्मक और समय विनिर्देशों को पूरा करता है.
प्रमुख विशेषताएं
  • VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
  • VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V के लिए पिछड़े संगत
  • अंतर द्विदिशात्मक डेटा स्ट्रोब
  • 8n-बिट प्रीफेच आर्किटेक्चर
  • अंतर घड़ी इनपुट (CK, CK#)
  • 8 आंतरिक बैंक
  • डेटा, स्ट्रॉबेरी और मास्क संकेतों के लिए नाममात्र और गतिशील ऑन-ड्राई समाप्ति (ODT)
  • प्रोग्राम करने योग्य सीएएस (रीड) विलंबता (सीएल)
  • प्रोग्राम करने योग्य पोस्ट किए गए सीएएस एडिटिव लेटेंसी (एएल)
  • प्रोग्राम करने योग्य CAS (WRITE) विलंबता (CWL)
  • फिक्स्ड फट लंबाई (BL) 8 और फट काट (BC) 4 (मोड रजिस्टर सेट [MRS] के माध्यम से)
  • चयन योग्य बीसी4 या बीएल8 ऑन द फ्लाई (ओटीएफ)
  • स्वतः ताज़ा मोड
  • 0°C से +95°C के TC: 64ms, 8192 चक्र 0°C से +85°C पर ताज़ा करें; +85°C से +95°C पर 32ms
  • स्व-रिफ्रेश तापमान (एसआरटी)
तकनीकी मापदंड
पैरामीटर 512 मेगा × 4 256 मेगाग्राम x 8 128 मेगाग्राम x 16
विन्यास 64 मेग x 4 x 8 बैंक 32 मेगा x 8 x 8 बैंक 16 मेग x 16 x 8 बैंक
ताज़ा करने की संख्या 8K 8K 8K
पंक्ति पता 32K A[14:0] 32K A[14:0] 16K A[13:0]
बैंक का पता 8 बीए[2:0] 8 बीए[2:0] 8 बीए[2:0]
स्तंभ पता 2K A[11, 9:0] 1K A[9:0] 1K A[9:0]
MT41K128M16JT DDR3L SDRAM technical diagram MT41K128M16JT DDR3L SDRAM pin configuration MT41K128M16JT DDR3L SDRAM package dimensions
पैकेजिंग और शिपिंग
मानक निर्यात पैकेजिंग उपलब्ध है। ग्राहक अपनी विशिष्ट आवश्यकताओं के अनुसार कार्टन, लकड़ी के मामले और लकड़ी के पैलेट से चुन सकते हैं।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
कीमत कैसे प्राप्त करें?
हम आम तौर पर आपकी पूछताछ प्राप्त करने के 24 घंटे के भीतर उद्धरण प्रदान करते हैं (सप्ताह के अंत और छुट्टियों को छोड़कर) । तत्काल मूल्य निर्धारण अनुरोधों के लिए, कृपया हमसे सीधे संपर्क करें।
आपकी डिलीवरी का समय क्या है?
छोटे बैच आमतौर पर 7-15 दिनों के भीतर जहाज करते हैं, जबकि बड़े बैच ऑर्डर के लिए ऑर्डर की मात्रा और मौसम के आधार पर लगभग 30 दिनों की आवश्यकता हो सकती है।
आपकी भुगतान शर्तें क्या हैं?
शिपमेंट से पहले टी/टी के माध्यम से 30% जमा और 70% शेष भुगतान के साथ फैक्टरी मूल्य निर्धारण।
शिपिंग के क्या विकल्प हैं?
उपलब्ध शिपिंग विधियों में समुद्री माल ढुलाई, हवाई माल ढुलाई और एक्सप्रेस डिलीवरी (ईएमएस, यूपीएस, डीएचएल, टीएनटी, फेडेक्स) शामिल हैं। कृपया ऑर्डर करने से पहले अपनी पसंदीदा विधि की पुष्टि करें।

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सम्पर्क करने का विवरण
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: FBGA-200

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
2Gb F डाई DRAM मेमोरी चिप डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: बीजीए ， एफबीजीए

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
DDR3L X16 4Gb DRAM चिप औद्योगिक F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

माल सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सामान्य उद्देश्य पैकेजिंग: एफबीजीए-96

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना

कार्य तापमान: 95 ℃ (अधिकतम)
औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
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