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MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1,283V ~ 1,45V

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MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1,283V ~ 1,45V

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V
MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

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Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: micron
Zertifizierung: rohs
Modellnummer: MT41K128M16JT-125: K
Dokument: 1457707240225.pdf
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: consult with
Verpackung Informationen: T/R
Lieferzeit: 5-8 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000
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MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1,283V ~ 1,45V

Beschreibung
Betriebstemperatur: 0℃~+95℃ Betriebsspannung: 1,283 V ~ 1,45 V
Speicherarchitektur (Format): DDR3L SDRAM Speicherkapazität: 2Gbit
Taktfrequenz (fc): 800 MHz Betriebsstrom: 46mA
Hervorheben:

2 GB DDR3L SDRAM-Speicherchip

,

800MHz DDR3L SDRAM mit 1

,

283V ~ 1

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V
Der MT41K128M16JT-125:k 2Gb DDR3L SDRAM ist eine Niederspannungs-Speicherlösung, die x4-, x8- und x16-Konfigurationen mit 800 MHz und einem Betriebsspannungsbereich von 1,283 V bis 1,45 V bietet.
Produktübersicht
Das 1,35V DDR3L SDRAM-Gerät ist eine Niederspannungsversion des 1,5V DDR3 SDRAM-Geräts. Dieses Produkt erfüllt alle funktionalen und Timing-Spezifikationen, die im Datenblatt für DDR3 SDRAM gleicher Dichte oder für Automotive DDR3 SDRAM auf der offiziellen Website von Micron aufgeführt sind.
Hauptmerkmale
  • VDD = VDDQ = 1,35V (1,283-1,45V)
  • Abwärtskompatibel zu VDD = VDDQ = 1,5V ±0,075V
  • Differenzieller bidirektionaler Datenstrobe
  • 8n-Bit-Prefetch-Architektur
  • Differenzielle Takteingänge (CK, CK#)
  • 8 interne Bänke
  • Nominale und dynamische On-Die-Terminierung (ODT) für Daten-, Strobe- und Maskensignale
  • Programmierbare CAS (READ)-Latenz (CL)
  • Programmierbare Posted-CAS-Additivlatenz (AL)
  • Programmierbare CAS (WRITE)-Latenz (CWL)
  • Feste Burst-Länge (BL) von 8 und Burst Chop (BC) von 4 (über Mode Register Set [MRS])
  • Wählbares BC4 oder BL8 On-the-Fly (OTF)
  • Self-Refresh-Modus
  • TC von 0°C bis +95°C: 64ms, 8192-Zyklen-Refresh bei 0°C bis +85°C; 32ms bei +85°C bis +95°C
  • Self-Refresh-Temperatur (SRT)
Technische Parameter
Parameter 512 Meg x 4 256 Meg x 8 128 Meg x 16
Konfiguration 64 Meg x 4 x 8 Bänke 32 Meg x 8 x 8 Bänke 16 Meg x 16 x 8 Bänke
Refresh-Anzahl 8K 8K 8K
Zeilenadresse 32K A[14:0] 32K A[14:0] 16K A[13:0]
Bankadresse 8 BA[2:0] 8 BA[2:0] 8 BA[2:0]
Spaltenadresse 2K A[11, 9:0] 1K A[9:0] 1K A[9:0]
MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1,283V ~ 1,45V 0 MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1,283V ~ 1,45V 1 MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1,283V ~ 1,45V 2
Verpackung & Versand
Standard-Exportverpackung verfügbar. Kunden können je nach ihren spezifischen Anforderungen zwischen Kartons, Holzkisten und Holzpaletten wählen.
Häufig gestellte Fragen
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