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MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

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MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V
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Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: micron
Certificazione: rohs
Numero di modello: MT41J128M16JT-093: K
Documento: C395383_1A5B388C2221F7C1C77...DC.pdf
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: consult with
Imballaggi particolari: T/R
Tempi di consegna: 5-8 giorni
Termini di pagamento: T/T, Unione Occidentale
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto Ora chiacchieri

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

descrizione
Temperatura operativa: 0℃~+95℃ Tensione operativa: 1,425 V~1,575 V
Architettura della memoria (formato): DDR3 SDRAM Capacità di archiviazione: 2Gbit
Frequenza di clock (fc): 1.066GHz Corrente operativa: 55mA
Evidenziare:

Chip di memoria DDR3 SDRAM da 2 GB

,

1.066GHz modulo DRAM DDR3

,

1.425V~1.575V DDR3 SDRAM

MT41J128M16JT-093:K 2Gb DDR3 SDRAM
2 GB: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V
Visualizzazione del prodotto
Modulo di memoria DDR3 SDRAM
MT41J512M4 ¢ 64 Meg x 4 x 8 Banche
MT41J256M8 32 Meg x 8 x 8 Banche
MT41J128M16 16 Meg x 16 x 8 Banche
Caratteristiche chiave
  • VDD = VDDQ = 1,5V ±0,075V
  • 1.5V push/pull I/O a terminale centrale
  • Strobo di dati bidirezionali differenziali
  • Architettura prefetch a 8n-bit
  • Input di orologeria differenziale (CK, CK#)
  • 8 banche interne
  • Terminamento nominale e dinamico (ODT) per i segnali di dati, strobe e maschere
  • La latenza di lettura del CAS programmabile (CL)
  • La latenza dell'additivo CAS pubblicata (AL)
  • La latenza di scrittura CAS programmabile (CWL) basata su tCK
  • lunghezza di scoppio fissa (BL) di 8 e taglio di scoppio (BC) di 4 tramite set di registri di modalità (MRS)
  • Selezionabile BC4 o BL8 on-the-fly (OTF)
  • Modalità di aggiornamento automatico
  • Temperatura di funzionamento: da 0 a 95°C
  • 64 ms, 8192 cicli di aggiornamento da 0°C a 85°C
  • 32 ms, 8192 cicli di aggiornamento da 85°C a 95°C
  • Temperatura di autoaggiornamento (SRT)
  • Automatic self-refresh (ASR)
  • Scrivere livellamento
  • Registro multiuso
  • Calibrazione del driver di uscita
Parametri tecnici
Parametro 512 Meg x 4 256 Meg x 8 128 Meg x 16
Configurazione 64 Meg x 4 x 8 banchi 32 Meg x 8 x 8 banchi 16 Meg x 16 x 8 banchi
Numero di aggiornamenti 8K 8K 8K
Indirizzamento delle righe 32K (A[14:0]) 32K (A[14:0]) 16K (A[13:0])
Indirizzo bancario 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0])
Indirizzo della colonna 2K (A[11, 9:0]) 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0])
Dimensione della pagina 1KB 1KB 2KB
Immagini del prodotto
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 0 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 1 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 2 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 3
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Prodotto Tag:

Dram chip,

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Chip di memoria di Dram

Dettagli di contatto
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