제품 소개DRAM 메모리는 자릅니다

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

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제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: micron
인증: rohs
모델 번호: MT41J128M16JT-093 :K
문서: C395383_1A5B388C2221F7C1C77...DC.pdf
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: consult with
포장 세부 사항: T/R
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, 서부 동맹
공급 능력: 100000
접촉 지금 챗팅하세요

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

설명
작동 온도: 0℃~+95℃ 작동 전압: 1.425V~1.575V
메모리 아키텍처(형식): DDR3 SDRAM 저장 용량: 2Gbit
클럭 주파수 (fc): 1.066GHz 작동 전류: 55mA
강조하다:

2GB DDR3 SDRAM 메모리 칩

,

1.066GHz DDR3 DRAM 모듈

,

1.425V~1.575V DDR3 SDRAM

MT41J128M16JT-093:K 2GB DDR3 SDRAM
2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V
제품 개요
DDR3 SDRAM 메모리 모듈
MT41J512M4 64 메그 x 4 x 8 은행
MT41J256M8 32 메그 x 8 x 8 은행
MT41J128M16 16 메그 x 16 x 8 은행
주요 특징
  • VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
  • 1.5V 중부 끝형 푸시/트랙 I/O
  • 이분법 양방향 데이터 스트로브
  • 8n-비트 prefetch 아키텍처
  • 차차 시계 입력 (CK, CK#)
  • 8 내부 은행
  • 데이터, 스트로브 및 마스크 신호에 대한 명목 및 동적 온 다이 종료 (ODT)
  • 프로그래밍 가능한 CAS READ 지연 (CL)
  • 발표된 CAS 첨가물 잠잠 (AL)
  • 프로그램 가능한 CAS WRITE 지연 (CWL) tCK
  • 정형 랩장 (BL) 8개, 랩 톱 (BC) 4개 모드 레지스터 세트 (MRS) 를 통해
  • 선택 가능한 BC4 또는 BL8 오프-더-플라이 (OTF)
  • 자동 업데이트 모드
  • 작동 온도: 0°C ~ 95°C
  • 64ms, 0°C ~ 85°C에서 8192 사이클 갱신
  • 32ms, 85°C ~ 95°C에서 8192 사이클 갱신
  • 자기 갱신 온도 (SRT)
  • 자동 자동 갱신 (ASR)
  • 적기 평준화
  • 다목적 등록기
  • 출력 드라이버 캘리브레이션
기술 매개 변수
매개 변수 512 메그 × 4 256 메그 × 8 128 메그 × 16
구성 64 메그 x 4 x 8 뱅크 32 메그 x 8 x 8 뱅크 16 메그 x 16 x 8 뱅크
갱신 횟수 8K 8K 8K
행 주소 지정 32K (A[14:0]) 32K (A[14:0]) 16K (A[13:0])
은행 주소 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0])
열 주소 지정 2K (A[11, 9:0]) 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0])
페이지 크기 1KB 1KB 2KB
제품 이미지
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 0 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 1 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 2 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 3
포장 및 운송
표준 수출 패키지 사용 가능. 고객은 필요에 따라 카튼, 목재 케이스 및 목재 팔렛을 선택할 수 있습니다.
자주 묻는 질문
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