nói chuyện ngay. |
Nhà Sản phẩmChip bộ nhớ DRAM

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

Tất cả sản phẩm

FPGA Field Programmable Gate Array

(42)

Đơn vị vi điều khiển MCU

(44)

hệ thống soc trên chip

(17)

IC MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

Máy phát hiện nhiệt hồng ngoại

(2)

Chip vi mạch DSP

(12)

Chip bộ nhớ DRAM

(20)

Chip Eeprom

(70)

Chip PSRAM

(5)

Chip SRAM

(18)

KHÔNG nhấp nháy

(51)

IC EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

Các mạch tích hợp RF

(11)

Pin Li-ion

(22)

Lập trình PLC

(15)

Mô-đun GPS

(9)

Mô hình tần số vô tuyến

(9)

Mô-đun nguồn

(17)

Rơle trạng thái rắn

(11)

Anten giao tiếp

(3)

Đầu nối

(8)

Chip quản lý năng lượng

(36)
Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

Hình ảnh lớn :  MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

Thông tin chi tiết sản phẩm:
Nguồn gốc: CN
Hàng hiệu: micron
Chứng nhận: rohs
Số mô hình: MT41J128M16JT-093:K
Tài liệu: C395383_1A5B388C2221F7C1C77...DC.pdf
Thanh toán:
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1
Giá bán: consult with
chi tiết đóng gói: T/R
Thời gian giao hàng: 5-8 ngày
Điều khoản thanh toán: T/T, Công Đoàn Phương Tây
Khả năng cung cấp: 100000
Tiếp xúc nói chuyện ngay.

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

Sự miêu tả
Nhiệt độ hoạt động: 0oC~+95oC Điện áp hoạt động: 1.425V~1.575V
Cấu trúc bộ nhớ (định dạng): SDRAM DDR3 Dung lượng lưu trữ: 2Gbit
Tần số đồng hồ (fc): 1.066GHz Hoạt động hiện tại: 55mA
Làm nổi bật:

Chip bộ nhớ 2Gb DDR3 SDRAM

,

1.066GHz DDR3 DRAM module

,

1.425V~1.575V DDR3 SDRAM

MT41J128M16JT-093:K 2Gb DDR3 SDRAM
2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V
Tổng quan sản phẩm
Mô-đun bộ nhớ DDR3 SDRAM
MT41J512M4 – 64 Meg x 4 x 8 Bank
MT41J256M8 – 32 Meg x 8 x 8 Bank
MT41J128M16 – 16 Meg x 16 x 8 Bank
Các tính năng chính
  • VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
  • 1.5V push/pull I/O tâm kết cuối
  • Tín hiệu strobe dữ liệu hai chiều vi sai
  • Kiến trúc tiền nạp 8n-bit
  • Đầu vào xung nhịp vi sai (CK, CK#)
  • 8 bank nội bộ
  • Tích hợp (ODT) danh định và động cho các tín hiệu dữ liệu, strobe và mask
  • Độ trễ đọc CAS (CL) có thể lập trình
  • Độ trễ cộng CAS (AL) được đăng
  • Độ trễ ghi CAS (CWL) có thể lập trình dựa trên tCK
  • Độ dài burst cố định (BL) là 8 và burst chop (BC) là 4 thông qua bộ ghi chế độ (MRS)
  • Có thể chọn BC4 hoặc BL8 ngay lập tức (OTF)
  • Chế độ tự làm mới
  • Nhiệt độ hoạt động: 0°C đến 95°C
  • Làm mới 64ms, 8192 chu kỳ ở 0°C đến 85°C
  • Làm mới 32ms, 8192 chu kỳ ở 85°C đến 95°C
  • Nhiệt độ tự làm mới (SRT)
  • Tự làm mới tự động (ASR)
  • Cân bằng ghi
  • Bộ ghi đa năng
  • Hiệu chỉnh trình điều khiển đầu ra
Thông số kỹ thuật
Thông số 512 Meg x 4 256 Meg x 8 128 Meg x 16
Cấu hình 64 Meg x 4 x 8 bank 32 Meg x 8 x 8 bank 16 Meg x 16 x 8 bank
Số lần làm mới 8K 8K 8K
Địa chỉ hàng 32K (A[14:0]) 32K (A[14:0]) 16K (A[13:0])
Địa chỉ bank 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0])
Địa chỉ cột 2K (A[11, 9:0]) 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0])
Kích thước trang 1KB 1KB 2KB
Hình ảnh sản phẩm
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 0 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 1 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 2 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 3
Đóng gói & Vận chuyển
Có sẵn bao bì xuất khẩu tiêu chuẩn. Khách hàng có thể lựa chọn từ thùng carton, hộp gỗ và pallet gỗ theo yêu cầu của họ.
Câu hỏi thường gặp
Làm thế nào để nhận được báo giá?
Chúng tôi thường cung cấp báo giá trong vòng 24 giờ sau khi nhận được yêu cầu của bạn (không bao gồm cuối tuần và ngày lễ). Đối với các yêu cầu báo giá khẩn cấp, vui lòng liên hệ trực tiếp với chúng tôi.
Thời gian giao hàng của bạn là bao lâu?
Các lô hàng nhỏ thường được vận chuyển trong vòng 7-15 ngày, trong khi các đơn hàng số lượng lớn có thể mất khoảng 30 ngày tùy thuộc vào số lượng đặt hàng và mùa.
Điều khoản thanh toán của bạn là gì?
Giá xuất xưởng với 30% tiền đặt cọc và 70% thanh toán số dư qua T/T trước khi giao hàng.
Các tùy chọn vận chuyển là gì?
Các phương thức vận chuyển có sẵn bao gồm vận tải biển, vận tải hàng không và chuyển phát nhanh (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Vui lòng xác nhận phương thức ưa thích của bạn trước khi đặt hàng.

Từ khóa:

chip dram,

chip nhớ bộ nhớ,

Chip bộ nhớ 2Gb DDR3 SDRAM

Chi tiết liên lạc
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Người liên hệ: Mr. Sun

Tel: +8618824255380

Gửi yêu cầu thông tin của bạn trực tiếp cho chúng tôi (0 / 3000)

về

Đơn vị vi điều khiển MCU

UART SPI MCU Microcontroller Arm Cortex-A35 Vi xử lý chip MA35D16F887C

Bộ vi điều khiển MCU 8-Bit Atmel 16 32KBytes Flash có thể lập trình ATMEGA168PA-AU

Vi điều khiển MCU 8-bit 128kB Chip vi mạch AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Cảng có thể lập trình thiết bị logic

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Cổng trường Mảng Chip thiết bị logic mảng có thể lập trình được

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB chip Cpld chip logic có thể lập trình 85000LE

Để lại tin nhắn

Chính sách bảo mật | Trung Quốc tốt Chất lượng FPGA Field Programmable Gate Array nhà cung cấp. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.