พูดคุยกันตอนนี้ |
บ้าน ผลิตภัณฑ์ชิปหน่วยความจำ DRAM

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

(42)

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

(44)

ระบบบนชิป (SOC)

(17)

MPU IC

(11)

CPLD PLD

(9)

เครื่องตรวจจับความร้อนอินฟราเรด

(2)

ชิปไอซี DSP

(12)

ชิปหน่วยความจำ DRAM

(20)

ชิป EEPROM

(70)

ชิป PSRAM

(5)

ชิป SRAM

(18)

แฟลช NOR

(51)

EPROM IC

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

เครื่องวงจรบูรณาการ RF

(11)

แบตเตอรี่ลิเธียมไอออน

(22)

การเขียนโปรแกรม PLC

(15)

โมดูล GPS

(9)

โมดูลความถี่วิทยุ

(9)

โมดูลพลังงาน

(17)

โซลิดสเตตรีเลย์

(11)

เสาอากาศสื่อสาร

(3)

ตัวเชื่อมต่อ

(8)

ชิปการจัดการพลังงาน

(36)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

ภาพใหญ่ :  MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

รายละเอียดสินค้า:
สถานที่กำเนิด: ซีเอ็น
ชื่อแบรนด์: micron
ได้รับการรับรอง: rohs
หมายเลขรุ่น: MT41J128M16JT-093:K
เอกสาร: C395383_1A5B388C2221F7C1C77...DC.pdf
การชำระเงิน:
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: 1
ราคา: consult with
รายละเอียดการบรรจุ: ที/อาร์
เวลาการส่งมอบ: 5-8 วัน
เงื่อนไขการชำระเงิน: ที/ที, เวสเทิร์นยูเนี่ยน
สามารถในการผลิต: 100000
ติดต่อ พูดคุยกันตอนนี้

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

ลักษณะ
อุณหภูมิในการทำงาน: 0°C~+95°C แรงดันไฟฟ้าที่ใช้งาน: 1.425V~1.575V
สถาปัตยกรรมหน่วยความจำ (รูปแบบ): DDR3 เอสดีแรม ความจุในการจัดเก็บข้อมูล: 2กิกะบิต
ความถี่นาฬิกา (fc): 1.066GHz การดำเนินงานในปัจจุบัน: 55mA
เน้น:

ชิปหน่วยความจำ DDR3 SDRAM ขนาด 2Gb

,

โมดูล DRAM DDR3 ความเร็ว 1.066GHz

,

DDR3 SDRAM แรงดันไฟฟ้า 1.425V~1.575V

MT41J128M16JT-093:K 2Gb DDR3 SDRAM
2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V ~ 1.575V
ภาพรวมสินค้า
โมดูลความจํา DDR3 SDRAM
MT41J512M4 ¢ 64 เมก x 4 x 8 ธนาคาร
MT41J256M8 32 เมก x 8 x 8 ธนาคาร
MT41J128M16 16 เมก x 16 x 8 ธนาคาร
ลักษณะสําคัญ
  • VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
  • 1.5V ปลายกลาง push/pull I/O
  • สตรอบข้อมูลแบบสองทิศ
  • สถาปัตยกรรม prefetch 8n-bit
  • อินทุตนาฬิกาความแตกต่าง (CK, CK#)
  • 8 ธนาคารภายใน
  • การสิ้นสุดการทํางาน (ODT) ในระดับนามinali และไดนามิคสําหรับสัญญาณข้อมูล, สตรอบ์ และหน้ากาก
  • ระยะเวลาการอ่าน CAS ที่สามารถเขียนโปรแกรมได้ (CL)
  • รายงานความช้าของสารเสริม CAS (AL)
  • ระยะเวลาการเขียน CAS ที่สามารถเขียนโปรแกรมได้ (CWL) โดยใช้ tCK
  • ความยาวการกระแทกแบบคงที่ (BL) 8 และการกระแทกแบบตัด (BC) 4 ผ่านการตั้งระบบบันทึก (MRS)
  • เลือก BC4 หรือ BL8 บนเครื่องบิน (OTF)
  • โหมดการอัพเดทเอง
  • อุณหภูมิการทํางาน: 0 °C ถึง 95 °C
  • 64ms, 8192 จักรยานอัพเดทที่ 0 °C ถึง 85 °C
  • 32ms, 8192 จักรยานอัพเดทที่ 85 °C ถึง 95 °C
  • อุณหภูมิการปรับปรุงตัวเอง (SRT)
  • อัตโนมัติ อัตโนมัติ (ASR)
  • เขียนการปรับระดับ
  • ลงทะเบียนหลายประการ
  • การปรับระดับตัวขับออก
ปริมาตรเทคนิค
ปริมาตร 512 เมกกรัม x 4 256 เมกราม x 8 128 เมกกรัม x 16
การตั้งค่า 64 Meg x 4 x 8 ธนาคาร 32 เมกกรัม x 8 x 8 ธนาคาร 16 Meg x 16 x 8 ธนาคาร
จํานวนการอัพเดทใหม่ 8K 8K 8K
การติดต่อแถว 32K (A[14:0]) 32K (A[14:0]) 16K (A[13:0])
บัญชีธนาคาร 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0])
การตั้งที่อยู่ของคอลัมน์ 2K (A[11, 9:0]) 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0])
ขนาดหน้า 1KB 1KB 2KB
ภาพสินค้า
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 0 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 1 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 2 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V 3
การบรรจุและการขนส่ง
มีการบรรจุส่งออกมาตรฐาน ลูกค้าสามารถเลือกจากกล่องกล่อง, กล่องไม้, และพัลเล็ตไม้ตามความต้องการของพวกเขา
คํา ถาม ที่ ถาม บ่อย
จะหาราคาได้อย่างไร
เรามักจะนําเสนอราคาภายใน 24 ชั่วโมงหลังจากได้รับการสอบถามของคุณ (ยกเว้นสุดสัปดาห์และวันหยุด). สําหรับคําขอราคาด่วน, กรุณาติดต่อเราโดยตรง.
เวลาจัดส่งของคุณคืออะไร?
ชุดเล็ก ๆ ปกติส่งภายใน 7-15 วัน ในขณะที่สั่งชุดใหญ่อาจต้องใช้เวลาประมาณ 30 วันขึ้นอยู่กับปริมาณการสั่งและฤดูกาล
สัญญาการชําระเงินของคุณคืออะไร?
ราคาโรงงานด้วยเงินฝาก 30% และการชําระเงิน 70% โดย T/T ก่อนการจัดส่ง
มีทางเลือกการส่งอะไรบ้าง?
วิธีการจัดส่งที่มีให้บริการประกอบด้วย ส่งทางทะเล ส่งทางอากาศ และส่งด่วน (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX) กรุณายืนยันวิธีการที่คุณต้องการก่อนสั่งซื้อ

แท็ก:

ชิป dram,

ชิปหน่วยความจำ Dram,

ชิปหน่วยความจำ DDR3 SDRAM ขนาด 2Gb

รายละเอียดการติดต่อ
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

ผู้ติดต่อ: Mr. Sun

โทร: +8618824255380

ส่งคำถามของคุณกับเราโดยตรง (0 / 3000)

ผลิตภัณฑ์อื่น ๆ
ชิปความจํา FBGA-200 DRAM 8Gb X16 X2 ช่อง LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

ชิปความจํา FBGA-200 DRAM 8Gb X16 X2 ช่อง LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: FBGA-2000

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
ชิปหน่วยความจำ DRAM ขนาด 2Gb F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

ชิปหน่วยความจำ DRAM ขนาด 2Gb F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: BGA， FBGA

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
DDR3L X16 4Gb DRAM ชิปอุตสาหกรรม F60C1A0004-M7

DDR3L X16 4Gb DRAM ชิปอุตสาหกรรม F60C1A0004-M7

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

การบรรจุภัณฑ์ทั่วไป: FBGA-96

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
ชิปความจํา DRAM ขนาด 512MB 16 บิต 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

ชิปความจํา DRAM ขนาด 512MB 16 บิต 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์ทั่วไป: FBGA-96

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount

อุณหภูมิการทํางาน: 95 ℃ (สูงสุด)
ชิปความจํา DRAM อุตสาหกรรม DDR3l DDR3L X16 2GB F60C1A0002-M69W

ชิปความจํา DRAM อุตสาหกรรม DDR3l DDR3L X16 2GB F60C1A0002-M69W

แคตตาล็อกสินค้า: หน่วยความจำ> หน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบไดนามิก (DRAM)

บรรจุภัณฑ์สากล: FBGA-96

เป็นไปตามมาตรฐาน: การปฏิบัติตาม

วิธีการติดตั้ง: การติดตั้ง Surface Mount
เกี่ยวกับ

หน่วยไมโครคอนโทรลเลอร์ MCU

UART SPI MCU ไมโครคอนโทรลเลอร์ Arm Cortex-A35 ไมโครโปรเซสเซอร์ ชิป MA35D16F887C

ไมโครคอนโทรลเลอร์ Atmel 8 บิต MCU หน่วยความจำแฟลชแบบตั้งโปรแกรมได้ 16 32KBytes ATMEGA168PA-AU

ไมโครคอนโทรลเลอร์ 128kB 8 บิต หน่วยประมวลผลกลาง (MCU) ชิปไมโครคอมพิวเตอร์ AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD สนามที่สามารถเขียนโปรแกรมได้

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip ชิป

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB ชิป Cpld ชิปโลจิกโปรแกรม 85000LE

ทิ้งข้อความไว้

นโยบายความเป็นส่วนตัว | จีน ดี คุณภาพ FPGA Field Programmable Gate Array ระบบการตั้งโปรแกรมประตู จําหน่าย. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.