Побеседуйте теперь |
Главная страница ПродукцияМикросхема памяти ДРАХМЫ

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066GHz 1,425В ~ 1,575В

Все продукты

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

(42)

Блок микроконтроллера MCU

(44)

Система SOC на чипе

(17)

IC MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

Инфракрасный тепловой детектор

(2)

Обломок DSP IC

(12)

Микросхема памяти ДРАХМЫ

(20)

обломок eeprom

(70)

PSRAM Chip

(5)

Чип SRAM

(18)

Никакой вспышки

(51)

Микросхема EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

Радиочастотные интегральные схемы

(11)

Литий-ионная батарея

(22)

Программирование ПЛК

(15)

Модуль GPS

(9)

Радиочастотный модуль

(9)

Модуль питания

(17)

Полупроводниковое реле

(11)

Антенна связи

(3)

Разъем

(8)

Фил -фишек управления питанием

(36)
Оставьте нам сообщение

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066GHz 1,425В ~ 1,575В

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

Большие изображения :  MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066GHz 1,425В ~ 1,575В

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: micron
Сертификация: rohs
Номер модели: MT41J128M16JT-093: K
Документ: C395383_1A5B388C2221F7C1C77...DC.pdf
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1
Цена: consult with
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5-8 дней
Условия оплаты: Т/Т, Вестерн Юнион
Поставка способности: 100000
контакт Побеседуйте теперь

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066GHz 1,425В ~ 1,575В

описание
Рабочая температура: 0℃~+95℃ Рабочее напряжение: 1,425 В~1,575 В
Архитектура памяти (формат): DDR3 SDRAM Емкость хранения: 2Гбит
Тактовая частота (fc): 1,066 ГГц Рабочий ток: 55 мА
Выделить:

Чип памяти 2 ГБ DDR3 SDRAM

,

1Модуль DRAM DDR3 на частоте.066 ГГц

,

1.425V~1.575V DDR3 SDRAM

MT41J128M16JT-093:K 2Gb DDR3 SDRAM
2 Гб: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066 ГГц 1,425 В ~ 1,575 В
Обзор продукции
Модуль памяти DDR3 SDRAM
MT41J512M4 ¢ 64 Meg x 4 x 8 Банки
MT41J256M8 32 МГ х 8 х 8 Банки
MT41J128M16 16 Мег х 16 х 8 Банки
Ключевые особенности
  • VDD = VDDQ = 1,5V ±0,075V
  • 1.5В центрально-окончательный I/O push/pull
  • Дифференциальная двунаправленная данная строб
  • Архитектура 8n-битного префетча
  • Дифференциальные часовые входы (CK, CK#)
  • 8 внутренних банков
  • Номинальное и динамическое завершение на стенде (ODT) для сигналов данных, светодиода и маски
  • Программируемая задержка чтения CAS (CL)
  • Указанная латентность CAS-аддитива (AL)
  • Программируемая задержка записи CAS (CWL) на основе tCK
  • Фиксированная длина взрыва (BL) 8 и взрыв (BC) 4 через режим регистра (MRS)
  • Избираемый BC4 или BL8 на ходу (OTF)
  • Режим самообновления
  • Операционная температура: от 0 до 95 °C
  • 64 мс, 8192 цикла обновления от 0°C до 85°C
  • 32 мс, 8192 цикла обновления при 85°C до 95°C
  • Температура самообновления (SRT)
  • Автоматическое обновление (ASR)
  • Уравнение записи
  • Многоцелевой регистр
  • Калибровка выходного драйвера
Технические параметры
Параметр 512 мегаграмм x 4 256 мегаграмм x 8 128 мегаграмм x 16
Конфигурация 64 МГ х 4 х 8 банков 32 МГ х 8 х 8 банков 16 МГ х 16 х 8 банков
Количество обновлений 8K 8K 8K
Адресование строки 32K (A[14:0]) 32K (A[14:0]) 16K (A[13:0])
Банковское адресование 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0])
Адресование столбца 2K (A[11, 9:0]) 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0])
Размер страницы 1KB 1KB 2KB
Изображения продукции
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066GHz 1,425В ~ 1,575В 0 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066GHz 1,425В ~ 1,575В 1 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066GHz 1,425В ~ 1,575В 2 MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066GHz 1,425В ~ 1,575В 3
Упаковка и перевозка
Стандартная экспортная упаковка доступна. Клиенты могут выбирать из картона, деревянных чехлов и деревянных поддонов в соответствии со своими требованиями.
Часто задаваемые вопросы
Как получить цену?
Обычно мы предоставляем предложения в течение 24 часов после получения вашего запроса (за исключением выходных и праздничных дней).
Сколько у вас сроков доставки?
Небольшие партии обычно отправляются в течение 7-15 дней, в то время как большие партии заказов могут потребовать примерно 30 дней в зависимости от количества заказа и сезона.
Какие у вас условия оплаты?
Фабричные цены с 30% депозита и 70% остаток оплаты через T / T перед отправкой.
Какие варианты доставки?
Доступные способы доставки включают морскую перевозку, авиаперевозку и экспресс-доставку (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

тег:

Драм чип,

чип-драм,

Микросхемы памяти драхмы

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: +8618824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: FBGA-200

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: BGA, FBGA

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: ФБГА-96

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Каталог товаров: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Оборудование общего назначения: ФБГА-96

Способ установки: Установка поверхностного монтажа

Рабочая температура: 95°C (макс.)
Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: ФБГА-96

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
около

Блок микроконтроллера MCU

UART SPI MCU Микроконтроллер Arm Cortex-A35 Микропроцессорный чип MA35D16F887C

Atmel 8-разрядный микроконтроллер (MCU) с памятью Flash 16-32 Кбайт, программируемой ATMEGA168PA-AU

128kB 8-битный микроконтроллер MCU AVR Core Microcomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Полевое программируемое устройство Логический массив

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip (Чип с программируемым полевым массивом)

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld чипы Программируемые логические чипы 85000LE

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив) поставщик. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.