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MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

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उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: micron
प्रमाणन: rohs
मॉडल संख्या: MT41J128M16JT-093: के
दस्तावेज: C395383_1A5B388C2221F7C1C77...DC.pdf
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: consult with
पैकेजिंग विवरण: टी/आर
प्रसव के समय: 5-8 दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000
संपर्क करें

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

वर्णन
परिचालन तापमान: 0℃~+95℃ ऑपरेटिंग वोल्टेज: 1.425V~1.575V
मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप): डीडीआर3 एसडीआरएएम भंडारण क्षमता: 2जीबीआईटी
घड़ी की आवृत्ति (एफसी): 1.066GHz ऑपरेटिंग करंट: 55mA
प्रमुखता देना:

2Gb DDR3 SDRAM मेमोरी चिप

,

1.066GHz DDR3 DRAM मॉड्यूल

,

1.425V~1.575V DDR3 SDRAM

MT41J128M16JT-093:K 2Gb DDR3 SDRAM
2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V
उत्पाद अवलोकन
DDR3 SDRAM मेमोरी मॉड्यूल
MT41J512M4 – 64 मेगा x 4 x 8 बैंक
MT41J256M8 – 32 मेगा x 8 x 8 बैंक
MT41J128M16 – 16 मेगा x 16 x 8 बैंक
मुख्य विशेषताएं
  • VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
  • 1.5V सेंटर-टर्मिनेटेड पुश/पुल I/O
  • डिफरेंशियल द्विदिश डेटा स्ट्रोब
  • 8n-बिट प्रीफेच आर्किटेक्चर
  • डिफरेंशियल क्लॉक इनपुट (CK, CK#)
  • 8 आंतरिक बैंक
  • डेटा, स्ट्रोब और मास्क सिग्नल के लिए नॉमिनल और डायनामिक ऑन-डाई टर्मिनेशन (ODT)
  • प्रोग्रामेबल CAS रीड लेटेंसी (CL)
  • पोस्टेड CAS एडिटिव लेटेंसी (AL)
  • tCK पर आधारित प्रोग्रामेबल CAS राइट लेटेंसी (CWL)
  • मोड रजिस्टर सेट (MRS) के माध्यम से फिक्स्ड बर्स्ट लेंथ (BL) 8 और बर्स्ट चॉप (BC) 4
  • ऑन-द-फ्लाई (OTF) पर सेलेक्टेबल BC4 या BL8
  • सेल्फ रिफ्रेश मोड
  • ऑपरेटिंग तापमान: 0°C से 95°C
  • 64ms, 0°C से 85°C पर 8192 साइकिल रिफ्रेश
  • 32ms, 85°C से 95°C पर 8192 साइकिल रिफ्रेश
  • सेल्फ रिफ्रेश तापमान (SRT)
  • ऑटोमैटिक सेल्फ रिफ्रेश (ASR)
  • राइट लेवलिंग
  • मल्टीपर्पस रजिस्टर
  • आउटपुट ड्राइवर कैलिब्रेशन
तकनीकी पैरामीटर
पैरामीटर 512 मेगा x 4 256 मेगा x 8 128 मेगा x 16
कॉन्फ़िगरेशन 64 मेगा x 4 x 8 बैंक 32 मेगा x 8 x 8 बैंक 16 मेगा x 16 x 8 बैंक
रिफ्रेश काउंट 8K 8K 8K
रो एड्रेसिंग 32K (A[14:0]) 32K (A[14:0]) 16K (A[13:0])
बैंक एड्रेसिंग 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0]) 8 (BA[2:0])
कॉलम एड्रेसिंग 2K (A[11, 9:0]) 1K (A[9:0]) 1K (A[9:0])
पेज साइज 1KB 1KB 2KB
उत्पाद छवियां
MT41J128M16JT-093:K DDR3 SDRAM technical diagram MT41J128M16JT-093:K DDR3 SDRAM pin configuration MT41J128M16JT-093:K DDR3 SDRAM timing diagram MT41J128M16JT-093:K DDR3 SDRAM package details
पैकेजिंग और शिपिंग
मानक निर्यात पैकेजिंग उपलब्ध है। ग्राहक अपनी आवश्यकताओं के अनुसार कार्टन, लकड़ी के बक्से और लकड़ी के पैलेट में से चुन सकते हैं।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
कीमत कैसे प्राप्त करें?
हम आम तौर पर आपकी पूछताछ प्राप्त होने के 24 घंटे के भीतर कोटेशन प्रदान करते हैं (सप्ताहांत और छुट्टियों को छोड़कर)। तत्काल मूल्य निर्धारण अनुरोधों के लिए, कृपया सीधे हमसे संपर्क करें।
आपका डिलीवरी समय क्या है?
छोटे बैच आमतौर पर 7-15 दिनों के भीतर शिप होते हैं, जबकि बड़े बैच ऑर्डर में ऑर्डर की मात्रा और मौसम के आधार पर लगभग 30 दिन लग सकते हैं।
आपके भुगतान की शर्तें क्या हैं?
शिपमेंट से पहले टी/टी के माध्यम से 30% जमा और 70% शेष भुगतान के साथ फैक्ट्री मूल्य निर्धारण।
शिपिंग विकल्प क्या हैं?
उपलब्ध शिपिंग विधियों में समुद्री माल, हवाई माल और एक्सप्रेस डिलीवरी (ईएमएस, यूपीएस, डीएचएल, टीएनटी, फेडएक्स) शामिल हैं। ऑर्डर करने से पहले कृपया अपनी पसंदीदा विधि की पुष्टि करें।

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सम्पर्क करने का विवरण
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: FBGA-200

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
2Gb F डाई DRAM मेमोरी चिप डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

2Gb F डाई DRAM मेमोरी चिप डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: बीजीए ， एफबीजीए

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
DDR3L X16 4Gb DRAM चिप औद्योगिक F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

माल सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सामान्य उद्देश्य पैकेजिंग: एफबीजीए-96

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना

कार्य तापमान: 95 ℃ (अधिकतम)
औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
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