Startseite Produkte

D-RAM Speicherchip

China D-RAM Speicherchip

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

Betriebstemperatur:0℃~+95℃

Betriebsspannung:1,14 V ~ 1,26 V

Speicherarchitektur (Format):DDR4 SDRAM
MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM

Betriebstemperatur:0℃~+95℃

Betriebsspannung:1,14 V ~ 1,26 V

Speicherarchitektur (Format):DDR-SDRAM
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Doppeldatenrate Synchroner dynamischer Zufallsspeicher

Betriebstemperatur:0°C bis + 70°C

Betriebsspannung:2,3 V ~ 2,7 V

Speicherarchitektur (Format):DDR-SDRAM
W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM Hochgeschwindigkeits-synchroner dynamischer Zufallsspeicher

Betriebstemperatur:-40℃~+85℃

Betriebsspannung:3V~3.6V

Speicherarchitektur (Format):SDRAM
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066GHz 1,425V~1,575V

Betriebstemperatur:0℃~+95℃

Betriebsspannung:1,425 V ~ 1,575 V

Speicherarchitektur (Format):DDR3 SDRAM
MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1,283V ~ 1,45V

Betriebstemperatur:0℃~+95℃

Betriebsspannung:1,283 V ~ 1,45 V

Speicherarchitektur (Format):DDR3L SDRAM
MT41J128M16JT-125:K 2Gb：X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

Betriebstemperatur:0℃~+95℃

Betriebsspannung:1,425 V ~ 1,575 V

Speicherarchitektur (Format):DDR3 SDRAM
MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

Betriebstemperatur:-40℃~+95℃

Betriebsspannung:1,283 V ~ 1,45 V

Speicherarchitektur (Format):DDR3L SDRAM
MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

Betriebstemperatur:0℃~+95℃

Betriebsspannung:1,283 V ~ 1,45 V

Speicherarchitektur (Format):DDR3L SDRAM
8 Gbit 1,35 V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM-Speicherchip mit 1600 MT/s Geschwindigkeit im FBGA-96-Gehäuse

Produkt-Kategorie::Drama

Typ::SDRAM - DDR3L

Speichergröße::8 Gbit
K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND Flash-Speicherchip

Typ:NAND-Flash-Speicher

Schnittstellenstandard:UFS 2,1

Kapazität:64 GB
FEMDNN008G-08A39 BGA-153 8G EMMC Flash Memory Chip

Schnittstellentyp:EMMC 5.1

Die Arbeitsspannung:2.7V zu 3.6V

Betriebstemperatur:-25 ℃ bis +85 ℃

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Kategorien durchsuchen：

D-RAM Speicherchip

China D-RAM Speicherchip

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Doppeldatenrate Synchroner dynamischer Zufallsspeicher

W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM Hochgeschwindigkeits-synchroner dynamischer Zufallsspeicher

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066GHz 1,425V~1,575V

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1,283V ~ 1,45V

MT41J128M16JT-125:K 2Gb：X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

8 Gbit 1,35 V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM-Speicherchip mit 1600 MT/s Geschwindigkeit im FBGA-96-Gehäuse

K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND Flash-Speicherchip

FEMDNN008G-08A39 BGA-153 8G EMMC Flash Memory Chip

MCU-Mikroregler-Einheit

UART SPI MCU Microcontroller Arm Cortex-A35 Microprocessor Chip MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU Mikrocontroller Einheit 16 32KBytes Programmierbarer Flash ATMEGA168PA-AU

128kB 8-Bit MCU Mikrocontroller-Einheit AVR Core Mikrocomputer-Chip ATMEGA128A-AU

FPGA-Feldprogrammierbares Torarray

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Feldprogrammierbares Gerät Logik-Array

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmierbare Array Logic Device Chip

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld-Chips Programmierbare Logikchips 85000LE