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MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM

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MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM
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Großes Bild :  MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: micron
Zertifizierung: rohs
Modellnummer: MT40A512M16LY-075: E
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: consult with
Verpackung Informationen: T/R
Lieferzeit: 5-8 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000
Kontakt Plaudern Sie Jetzt

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM

Beschreibung
Betriebstemperatur: 0℃~+95℃ Betriebsspannung: 1,14 V ~ 1,26 V
Speicherarchitektur (Format): DDR-SDRAM Speicherkapazität: 8Gbit
Taktfrequenz (fc): 1.33GHz Betriebsstrom: -
Hervorheben:

8Gb DDR4 SDRAM Speicherchip

,

X16 parallele Schnittstelle DRAM

,

MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM

MT40A512M16LY-075:E 8Gb DDR4 SDRAM
Hochleistungs-8Gb-DDR4-SDRAM mit parallelen X4-, X8- und X16-Schnittstellen, entwickelt für anspruchsvolle industrielle und Computeranwendungen.
Produktmerkmale
  • Betriebsspannung: VDD = VDDQ = 1,2V ±60mV
  • VPP = 2,5V, –125mV, +250mV
  • On-Die, interne, einstellbare VREFDQ-Generierung
  • 1,2V Pseudo-Open-Drain-I/O
  • Refresh-Zeit von 8192 Zyklen im TC-Temperaturbereich
  • 16 interne Bänke (x4, x8): 4 Gruppen von je 4 Bänken
  • 8 interne Bänke (x16): 2 Gruppen von je 4 Bänken
  • 8n-Bit-Prefetch-Architektur
  • Programmierbare Daten-Strobe-Präambeln und Präambel-Training
  • Befehls-/Adresslatenz (CAL)
  • Multifunktionsregister Lese- und Schreibfähigkeit
  • Write Leveling und Ausgangstreiberkalibrierung
  • Selbstaktualisierungsmodus mit stromsparendem automatischem Selbstaktualisierung (LPASR)
  • Temperaturgesteuerte Aktualisierung (TCR)
  • Feingranulare Aktualisierung und Abbruch der Selbstaktualisierung
  • Maximale Stromsparmodus
  • Nominale, Park- und dynamische On-Die-Terminierung (ODT)
  • Datenbus-Invertierung (DBI) für den Datenbus
  • Befehls-/Adressen (CA) Parität
  • Databus-Schreib-Zyklische Redundanzprüfung (CRC)
  • Pro-DRAM-Adressierbarkeit und Konnektivitätstest
  • JEDEC JESD-79-4-konform
  • sPPR- und hPPR-Fähigkeit
Geschwindigkeitsklassen-Spezifikationen
Geschwindigkeitsklasse Datenrate (MT/s) Ziel CL-nRCD-nRP tAA (ns) tRCD (ns) tRP (ns)
-062Y 3200 22-22-22 13,75 (13,32) 13,75 (13,32) 13,75 (13,32)
-062E 3200 22-22-22 13,75 13,75 13,75
-068 2933 21-21-21 14,32 (13,75) 14,32 (13,75) 14,32 (13,75)
MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM 0 MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM 1 MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM 2 MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM 3
Verpackung & Versand
Standard-Exportverpackung verfügbar. Kunden können je nach ihren spezifischen Anforderungen zwischen Kartons, Holzkisten und Holzpaletten wählen.
Häufig gestellte Fragen
Wie erhalte ich den Preis?
Wir erstellen in der Regel innerhalb von 24 Stunden nach Eingang Ihrer Anfrage ein Angebot (außer an Wochenenden und Feiertagen). Für dringende Preiswünsche kontaktieren Sie uns bitte direkt.
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Kleine Chargen werden in der Regel innerhalb von 7-15 Tagen versandt, während Großaufträge je nach Bestellmenge und Saison etwa 30 Tage dauern können.
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Fabrikpreise mit 30% Anzahlung und 70% Restzahlung per T/T vor Versand.
Welche Versandoptionen gibt es?
Verfügbare Versandmethoden sind Seefracht, Luftfracht und Expresslieferung (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Bitte bestätigen Sie Ihre bevorzugte Methode vor der Bestellung.

Größe und Tag:

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Dram-Speicherchips

Kontaktdaten
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Ansprechpartner: Mr. Sun

Telefon: +8618824255380

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