Побеседуйте теперь |
Главная страница ПродукцияМикросхема памяти ДРАХМЫ

MT40A512M16LY-075:E 8 Гбит: X4 X8 X16 параллельный интерфейс DDR4 SDRAM

Все продукты

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

(42)

Блок микроконтроллера MCU

(44)

Система SOC на чипе

(17)

IC MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

Инфракрасный тепловой детектор

(2)

Обломок DSP IC

(12)

Микросхема памяти ДРАХМЫ

(26)

обломок eeprom

(70)

PSRAM Chip

(5)

Чип SRAM

(18)

Никакой вспышки

(51)

Микросхема EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

Радиочастотные интегральные схемы

(11)

Литий-ионная батарея

(24)

Программирование ПЛК

(15)

Модуль GPS

(9)

Радиочастотный модуль

(9)

Модуль питания

(17)

Полупроводниковое реле

(11)

Антенна связи

(3)

Разъем

(8)

Фил -фишек управления питанием

(38)
Оставьте нам сообщение

MT40A512M16LY-075:E 8 Гбит: X4 X8 X16 параллельный интерфейс DDR4 SDRAM

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM
MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM

Большие изображения :  MT40A512M16LY-075:E 8 Гбит: X4 X8 X16 параллельный интерфейс DDR4 SDRAM

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: micron
Сертификация: rohs
Номер модели: MT40A512M16LY-075: E
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1
Цена: consult with
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5-8 дней
Условия оплаты: Т/Т, Вестерн Юнион
Поставка способности: 100000
контакт Побеседуйте теперь

MT40A512M16LY-075:E 8 Гбит: X4 X8 X16 параллельный интерфейс DDR4 SDRAM

описание
Рабочая температура: 0℃~+95℃ Рабочее напряжение: 1,14 В~1,26 В
Архитектура памяти (формат): DDR SDRAM Емкость хранения: 8Гбит
Тактовая частота (fc): 1.33GHz Рабочий ток: -
Выделить:

8 Гбит DDR4 SDRAM чип памяти

,

X16 параллельный интерфейс DRAM

,

MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM

MT40A512M16LY-075:E 8Gb DDR4 SDRAM
Высокопроизводительная 8 ГБ DDR4 SDRAM с параллельными интерфейсами X4, X8 и X16, предназначенная для требовательных промышленных и вычислительных приложений.
Характеристики продукта
  • Рабочее напряжение: VDD = VDDQ = 1,2V ± 60mV
  • VPP = 2,5В, 125mV, +250mV
  • Внутренняя генерация VREFDQ с регулируемым приводом
  • 1.2V псевдо-открытый I/O
  • Время обновления 8192 цикла в диапазоне температур TC
  • 16 внутренних банков (x4, x8): 4 группы по 4 банка
  • 8 внутренних банков (x16): 2 группы по 4 банка
  • Архитектура 8n-битного префетча
  • Программируемые преамбулы и обучение стробографии данных
  • Задержка выполнения команды/адреса (CAL)
  • Возможность чтения и записи многоцелевого регистра
  • Запись калибровки выровнения и вывода драйверов
  • Режим автоматического обновления с низкой мощностью автоматического обновления (LPASR)
  • Теплорегулируемое обновление (TCR)
  • Отмечание мелкогранулированности и отключение самообновления
  • Режим максимальной энергосбережения
  • Номинальное, парковое и динамическое завершение на матрице (ODT)
  • Инверсия шины данных (DBI) для шины данных
  • Парадность команды/адреса (CA)
  • Проверка циклической избыточности записи в базе данных (CRC)
  • Испытание адресованности и подключения по DRAM
  • Соответствует JEDEC JESD-79-4
  • возможности sPPR и hPPR
Спецификации скоростного класса
Степень скорости Скорость передачи данных (мт/с) Цель CL-nRCD-nRP tAA (ns) tRCD (ns) tRP (ns)
-062Y 3200 22-22-22 13.75 (13.32) 13.75 (13.32) 13.75 (13.32)
-062E 3200 22-22-22 13.75 13.75 13.75
-068 2933 21-21-21 14.32 (13.75) 14.32 (13.75) 14.32 (13.75)
MT40A512M16LY-075:E 8 Гбит: X4 X8 X16 параллельный интерфейс DDR4 SDRAM 0 MT40A512M16LY-075:E 8 Гбит: X4 X8 X16 параллельный интерфейс DDR4 SDRAM 1 MT40A512M16LY-075:E 8 Гбит: X4 X8 X16 параллельный интерфейс DDR4 SDRAM 2 MT40A512M16LY-075:E 8 Гбит: X4 X8 X16 параллельный интерфейс DDR4 SDRAM 3
Упаковка и перевозка
Стандартная экспортная упаковка доступна. Клиенты могут выбирать из картона, деревянных чехлов и деревянных поддонов в соответствии со своими конкретными требованиями.
Часто задаваемые вопросы
Как получить цену?
Обычно мы предоставляем предложения в течение 24 часов после получения вашего запроса (за исключением выходных и праздничных дней).
Сколько у вас сроков доставки?
Небольшие партии обычно отправляются в течение 7-15 дней, в то время как большие партии заказов могут потребовать примерно 30 дней в зависимости от количества заказа и сезона.
Какие у вас условия оплаты?
Фабричные цены с 30% депозита и 70% остаток оплаты через T / T перед отправкой.
Какие варианты доставки?
Доступные способы доставки включают морскую перевозку, авиаперевозку и экспресс-доставку (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

тег:

Драм чип,

чип-драм,

Микросхемы памяти драхмы

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: +8618824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: FBGA-200

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: BGA, FBGA

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: ФБГА-96

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Каталог товаров: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Оборудование общего назначения: ФБГА-96

Способ установки: Установка поверхностного монтажа

Рабочая температура: 95°C (макс.)
Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: ФБГА-96

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
около

Блок микроконтроллера MCU

UART SPI MCU Микроконтроллер Arm Cortex-A35 Микропроцессорный чип MA35D16F887C

Atmel 8-разрядный микроконтроллер (MCU) с памятью Flash 16-32 Кбайт, программируемой ATMEGA168PA-AU

128kB 8-битный микроконтроллер MCU AVR Core Microcomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Полевое программируемое устройство Логический массив

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip (Чип с программируемым полевым массивом)

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld чипы Программируемые логические чипы 85000LE

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив) поставщик. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.