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MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 समानांतर इंटरफ़ेस DDR4 SDRAM

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MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 समानांतर इंटरफ़ेस DDR4 SDRAM

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM
MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM

बड़ी छवि :  MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 समानांतर इंटरफ़ेस DDR4 SDRAM

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: micron
प्रमाणन: rohs
मॉडल संख्या: MT40A512M16LY-075:ई
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: consult with
पैकेजिंग विवरण: टी/आर
प्रसव के समय: 5-8 दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000
संपर्क करें

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 समानांतर इंटरफ़ेस DDR4 SDRAM

वर्णन
परिचालन तापमान: 0℃~+95℃ ऑपरेटिंग वोल्टेज: 1.14V~1.26V
मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप): डीडीआर एसडीआरएएम भंडारण क्षमता: 8जीबीआईटी
घड़ी की आवृत्ति (एफसी): 1.33GHz ऑपरेटिंग करंट: 2-3टी/कॉइल
प्रमुखता देना:

8जीबी डीडीआर4 एसडीआरएएम मेमोरी चिप

,

X16 समानांतर इंटरफ़ेस DRAM

,

MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM

MT40A512M16LY-075:E 8Gb DDR4 SDRAM
X4, X8 और X16 समानांतर इंटरफेस के साथ उच्च प्रदर्शन 8Gb DDR4 SDRAM, जो मांग वाले औद्योगिक और कंप्यूटिंग अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है।
उत्पाद की विशेषताएं
  • ऑपरेटिंग वोल्टेजः VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV
  • वीपीपी = 2.5V, ¥125mV, +250mV
  • ऑन-मृत्यु, आंतरिक, समायोज्य VREFDQ पीढ़ी
  • 1.2V छद्म खुली नाली I/O
  • टीसी तापमान सीमा पर 8192 चक्र का ताज़ा समय
  • 16 आंतरिक बैंक (x4, x8): प्रत्येक में 4 बैंकों के 4 समूह
  • 8 आंतरिक बैंक (x16): प्रत्येक में 4 बैंकों के 2 समूह
  • 8n-बिट प्रीफेच आर्किटेक्चर
  • प्रोग्राम करने योग्य डेटा स्ट्रॉबेरी प्रस्तावना और प्रस्तावना प्रशिक्षण
  • कमांड/एड्रेस विलंबता (CAL)
  • बहुउद्देश्यीय रजिस्टर READ और WRITE क्षमता
  • लिखना स्तर और आउटपुट ड्राइवर कैलिब्रेशन
  • कम शक्ति वाले ऑटो ऑटो रिफ्रेश (LPASR) के साथ ऑटो रिफ्रेश मोड
  • तापमान नियंत्रित ताज़ा करना (TCR)
  • सूक्ष्म दानेदारता ताज़ा करें और स्वयं ताज़ा करें
  • अधिकतम ऊर्जा बचत मोड
  • नाममात्र, पार्किंग और गतिशील ऑन-मृत्यु समाप्ति (ODT)
  • डाटा बस के लिए डाटा बस इन्वर्शन (डीबीआई)
  • कमांड/एड्रेस (CA) समता
  • डाटाबेस लिखना चक्रवर्ती अतिरेक जाँच (CRC)
  • डीआरएएम-प्रति पता लगाने और कनेक्टिविटी परीक्षण
  • JEDEC JESD-79-4 के अनुरूप
  • एसपीपीआर और एचपीपीआर क्षमता
गति श्रेणी के विनिर्देश
गति ग्रेड डेटा दर (MT/s) लक्ष्य CL-nRCD-nRP tAA (ns) tRCD (ns) tRP (ns)
-062Y 3200 22-22-22 13.75 (13.32) 13.75 (13.32) 13.75 (13.32)
-062E 3200 22-22-22 13.75 13.75 13.75
-068 2933 २१-२१-२१ 14.32 (13.75) 14.32 (13.75) 14.32 (13.75)
MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM technical diagram DDR4 SDRAM pin configuration and layout MT40A512M16LY-075:E memory module specifications DDR4 SDRAM packaging and dimensions
पैकेजिंग और शिपिंग
मानक निर्यात पैकेजिंग उपलब्ध है। ग्राहक अपनी विशिष्ट आवश्यकताओं के अनुसार कार्टन, लकड़ी के मामले और लकड़ी के पैलेट से चुन सकते हैं।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
कीमत कैसे प्राप्त करें?
हम आम तौर पर आपकी पूछताछ प्राप्त करने के 24 घंटे के भीतर उद्धरण प्रदान करते हैं (सप्ताह के अंत और छुट्टियों को छोड़कर) । तत्काल मूल्य निर्धारण अनुरोधों के लिए, कृपया हमसे सीधे संपर्क करें।
आपकी डिलीवरी का समय क्या है?
छोटे बैच आमतौर पर 7-15 दिनों के भीतर जहाज करते हैं, जबकि बड़े बैच ऑर्डर के लिए ऑर्डर की मात्रा और मौसम के आधार पर लगभग 30 दिनों की आवश्यकता हो सकती है।
आपकी भुगतान शर्तें क्या हैं?
शिपमेंट से पहले टी/टी के माध्यम से 30% जमा और 70% शेष भुगतान के साथ फैक्टरी मूल्य निर्धारण।
शिपिंग के क्या विकल्प हैं?
उपलब्ध शिपिंग विधियों में समुद्री माल ढुलाई, हवाई माल ढुलाई और एक्सप्रेस डिलीवरी (ईएमएस, यूपीएस, डीएचएल, टीएनटी, फेडेक्स) शामिल हैं। कृपया ऑर्डर करने से पहले अपनी पसंदीदा विधि की पुष्टि करें।

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सम्पर्क करने का विवरण
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: FBGA-200

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
2Gb F डाई DRAM मेमोरी चिप डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: बीजीए ， एफबीजीए

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
DDR3L X16 4Gb DRAM चिप औद्योगिक F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

माल सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सामान्य उद्देश्य पैकेजिंग: एफबीजीए-96

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना

कार्य तापमान: 95 ℃ (अधिकतम)
औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
के बारे में

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