제품 소개DRAM 메모리는 자릅니다

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 병렬 인터페이스 DDR4 SDRAM

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MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 병렬 인터페이스 DDR4 SDRAM

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM
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제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: micron
인증: rohs
모델 번호: MT40A512M16LY-075 :E
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: consult with
포장 세부 사항: T/R
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, 서부 동맹
공급 능력: 100000
접촉 지금 챗팅하세요

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 병렬 인터페이스 DDR4 SDRAM

설명
작동 온도: 0℃~+95℃ 작동 전압: 1.14V~1.26V
메모리 아키텍처(형식): DDR SDRAM 저장 용량: 8Gbit
클럭 주파수 (fc): 1.33GHz 작동 전류: -
강조하다:

8GB DDR4 SDRAM 메모리 칩

,

X16 병렬 인터페이스 DRAM

,

MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM

MT40A512M16LY-075:E 8Gb DDR4 SDRAM
고성능 8Gb DDR4 SDRAM X4, X8 및 X16 병렬 인터페이스로, 까다로운 산업 및 컴퓨팅 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
제품 특성
  • 작동 전압: VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV
  • VPP = 2.5V, 125mV, +250mV
  • 시공, 내부, 조절 가능한 VREFDQ 생성
  • 1.2V 유사 오픈 드레인 I/O
  • TC 온도 범위에서 8192 사이클의 갱신 시간
  • 16개의 내부 은행 (x4, x8): 각각 4개의 은행으로 구성된 4개의 그룹
  • 8개의 내부 은행 (x16): 각각 4개의 은행으로 구성된 2개의 그룹
  • 8n-비트 prefetch 아키텍처
  • 프로그래밍 가능한 데이터 스트로브 프레임블 및 프레임블 트레이닝
  • 명령/주소 지연 (CAL)
  • 다목적 레지스터 READ 및 WRITE 기능
  • 평준화 및 출력 드라이버 캘리브레이션을 작성
  • 저전력 자동 업데이트 모드 (LPASR)
  • 온도 조절 갱신 (TCR)
  • 미세한 곡성 갱신 및 자기 갱신 중단
  • 최대 전력 절약 모드
  • 명목, 주차 및 다이내믹 온 다이 종료 (ODT)
  • 데이터 버스의 데이터 버스 역 (DBI)
  • 명령어/주소 (CA)
  • 데이터버스 쓰기 주기적 과잉 점검 (CRC)
  • DRAM별 주소화 및 연결성 테스트
  • JEDEC JESD-79-4를 준수합니다
  • sPPR 및 hPPR 능력
속도 등급 사양
속도 등급 데이터 속도 (MT/s) 목표 CL-nRCD-nRP tAA (ns) tRCD (ns) tRP (ns)
-062Y 3200 22-22-22 13.75 (13.32) 13.75 (13.32) 13.75 (13.32)
-062E 3200 22-22-22 13.75 13.75 13.75
-068 2933 21-21-21 14.32 (13.75) 14.32 (13.75) 14.32 (13.75)
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포장 및 운송
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자주 묻는 질문
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전체 평점

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J
Jacques
France Oct 8.2025
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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