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MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Interfaz paralela DDR4 SDRAM

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MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Interfaz paralela DDR4 SDRAM

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM
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Datos del producto:
Lugar de origen: CN
Nombre de la marca: micron
Certificación: rohs
Número de modelo: MT40A512M16LY-075: E
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: consult with
Detalles de empaquetado: T/R
Tiempo de entrega: 5-8 días
Condiciones de pago: T/T, Unión Occidental
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto Ahora Charle

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Interfaz paralela DDR4 SDRAM

descripción
Temperatura de funcionamiento: 0℃~+95℃ Voltaje de funcionamiento: 1,14 V ~ 1,26 V
Arquitectura de memoria (formato): DDR SDRAM Capacidad de almacenamiento: 8Gbits
Frecuencia de reloj (fc): 1.33GHz Corriente de funcionamiento: -
Resaltar:

Chip de memoria DDR4 SDRAM de 8 GB

,

Interfaz paralela X16 DRAM

,

MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM

MT40A512M16LY-075:E 8Gb DDR4 SDRAM
SDRAM DDR4 de alto rendimiento de 8 Gb con interfaces paralelas X4, X8 y X16, diseñada para aplicaciones industriales y de computación exigentes.
Características del producto
  • Voltaje de operación: VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
  • VPP = 2.5V, –125mV, +250mV
  • Generación de VREFDQ interna, ajustable y en chip
  • E/S pseudo open-drain de 1.2V
  • Tiempo de refresco de 8192 ciclos en el rango de temperatura TC
  • 16 bancos internos (x4, x8): 4 grupos de 4 bancos cada uno
  • 8 bancos internos (x16): 2 grupos de 4 bancos cada uno
  • Arquitectura de prefetch de 8n bits
  • Preámbulos de estroboscopio de datos programables y entrenamiento de preámbulo
  • Latencia de comando/dirección (CAL)
  • Capacidad de lectura y escritura de registro multipropósito
  • Calibración de nivelación de escritura y de controlador de salida
  • Modo de autorrefresco con autorrefresco automático de bajo consumo (LPASR)
  • Refresco controlado por temperatura (TCR)
  • Refresco de granularidad fina y aborto de autorrefresco
  • Modo de máximo ahorro de energía
  • Terminación en chip (ODT) nominal, de parqueo y dinámica
  • Inversión del bus de datos (DBI) para el bus de datos
  • Paridad de comando/dirección (CA)
  • Verificación de redundancia cíclica de escritura del bus de datos (CRC)
  • Direccionabilidad y prueba de conectividad por DRAM
  • Compatible con JEDEC JESD-79-4
  • Capacidad sPPR y hPPR
Especificaciones de grado de velocidad
Grado de velocidad Velocidad de datos (MT/s) CL-nRCD-nRP objetivo tAA (ns) tRCD (ns) tRP (ns)
-062Y 3200 22-22-22 13.75 (13.32) 13.75 (13.32) 13.75 (13.32)
-062E 3200 22-22-22 13.75 13.75 13.75
-068 2933 21-21-21 14.32 (13.75) 14.32 (13.75) 14.32 (13.75)
MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Interfaz paralela DDR4 SDRAM 0 MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Interfaz paralela DDR4 SDRAM 1 MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Interfaz paralela DDR4 SDRAM 2 MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Interfaz paralela DDR4 SDRAM 3
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Preguntas frecuentes
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Los métodos de envío disponibles incluyen flete marítimo, flete aéreo y entrega exprés (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Confirme su método preferido antes de realizar el pedido.

Calificación general

5.0
Basado en 50 reseñas para este proveedor

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Todas las reseñas

J
Jacques
France Oct 8.2025
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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Persona de Contacto: Mr. Sun

Teléfono: +8618824255380

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