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MT40A512M16LY-075:E 8Gb: Interface Paralela X4 X8 X16 DDR4 SDRAM

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MT40A512M16LY-075:E 8Gb: Interface Paralela X4 X8 X16 DDR4 SDRAM

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Parallel Interface DDR4 SDRAM
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Imagem Grande :  MT40A512M16LY-075:E 8Gb: Interface Paralela X4 X8 X16 DDR4 SDRAM

Detalhes do produto:
Lugar de origem: NC
Marca: micron
Certificação: rohs
Número do modelo: MT40A512M16LY-075: E
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: consult with
Detalhes da embalagem: T/R
Tempo de entrega: 5-8 dias
Termos de pagamento: T/T, União Ocidental
Habilidade da fonte: 100.000

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: Interface Paralela X4 X8 X16 DDR4 SDRAM

descrição
Temperatura operacional: 0℃~+95℃ Tensão operacional: 1,14 V ~ 1,26 V
Arquitetura de memória (formato): DDR SDRAM Capacidade de armazenamento: 8 Gbits
Frequência de pulso de disparo (fc): 1.33GHz Corrente operacional: -
Destacar:

Chip de memória DDR4 SDRAM de 8Gb

,

DRAM com interface paralela X16

,

MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM

MT40A512M16LY-075:E 8Gb DDR4 SDRAM
SDRAM DDR4 de alto desempenho de 8Gb com interfaces paralelas X4, X8 e X16, projetada para aplicações industriais e de computação exigentes.
Recursos do Produto
  • Tensão de operação: VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV
  • VPP = 2.5V, –125mV, +250mV
  • Geração de VREFDQ interna, ajustável e on-die
  • I/O pseudo open-drain de 1.2V
  • Tempo de refresh de 8192 ciclos na faixa de temperatura TC
  • 16 bancos internos (x4, x8): 4 grupos de 4 bancos cada
  • 8 bancos internos (x16): 2 grupos de 4 bancos cada
  • Arquitetura de prefetch 8n-bit
  • Preâmbulos de strobe de dados programáveis e treinamento de preâmbulo
  • Latência de comando/endereço (CAL)
  • Capacidade de READ e WRITE em registradores multifuncionais
  • Calibração de nivelamento de escrita e driver de saída
  • Modo de auto-refresh com baixo consumo de energia (LPASR)
  • Refresh controlado por temperatura (TCR)
  • Refresh de granularidade fina e abortamento de auto-refresh
  • Modo de economia máxima de energia
  • Terminação on-die (ODT) nominal, park e dinâmica
  • Inversão do barramento de dados (DBI) para o barramento de dados
  • Paridade de Comando/Endereço (CA)
  • Verificação de redundância cíclica de escrita do barramento de dados (CRC)
  • Testes de endereçabilidade e conectividade por DRAM
  • Compatível com JEDEC JESD-79-4
  • Capacidade sPPR e hPPR
Especificações de Classe de Velocidade
Classe de Velocidade Taxa de Dados (MT/s) CL-nRCD-nRP Alvo tAA (ns) tRCD (ns) tRP (ns)
-062Y 3200 22-22-22 13.75 (13.32) 13.75 (13.32) 13.75 (13.32)
-062E 3200 22-22-22 13.75 13.75 13.75
-068 2933 21-21-21 14.32 (13.75) 14.32 (13.75) 14.32 (13.75)
MT40A512M16LY-075:E DDR4 SDRAM technical diagram DDR4 SDRAM pin configuration and layout MT40A512M16LY-075:E memory module specifications DDR4 SDRAM packaging and dimensions
Embalagem e Envio
Embalagem padrão de exportação disponível. Os clientes podem escolher entre caixas de papelão, caixas de madeira e paletes de madeira de acordo com seus requisitos específicos.
Perguntas Frequentes
Como obter o preço?
Normalmente fornecemos cotações dentro de 24 horas após o recebimento de sua consulta (excluindo fins de semana e feriados). Para solicitações urgentes de preços, entre em contato conosco diretamente.
Qual é o seu prazo de entrega?
Pequenos lotes geralmente são enviados dentro de 7 a 15 dias, enquanto pedidos de grandes lotes podem exigir aproximadamente 30 dias, dependendo da quantidade do pedido e da estação.
Quais são os seus termos de pagamento?
Preços de fábrica com depósito de 30% e pagamento de saldo de 70% via T/T antes do envio.
Quais são as opções de envio?
Os métodos de envio disponíveis incluem frete marítimo, frete aéreo e entrega expressa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Por favor, confirme seu método preferido antes de fazer o pedido.

Contacto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Pessoa de Contato: Mr. Sun

Telefone: +8618824255380

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