Dom Produkty

Układ pamięci DRAM

Chiny Układ pamięci DRAM

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1,33 GHz 1,14V~1,26V

Temperatura pracy:0 ℃ ~ + 95 ℃

Napięcie robocze:1,14 V ~ 1,26 V

Architektura pamięci (format):SDRAM DDR4
MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Interfejs równoległy DDR4 SDRAM

Temperatura pracy:0 ℃ ~ + 95 ℃

Napięcie robocze:1,14 V ~ 1,26 V

Architektura pamięci (format):SDRAM DDR
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Podwójna prędkość transmisji danych Synchronic Dynamic Random Access Memory

Temperatura pracy:0℃~+70℃

Napięcie robocze:2,3 V ~ 2,7 V

Architektura pamięci (format):SDRAM DDR
W9864G6KH-6I 1M 4 BANKI 16 BITS SDRAM Duża prędkość Synchronowa Dynamiczna Pamięć Random Access

Temperatura pracy:-40 ℃ ~ + 85 ℃

Napięcie robocze:3 V ~ 3,6 V

Architektura pamięci (format):SDRAM-u
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066GHz 1,425V~1,575V

Temperatura pracy:0 ℃ ~ + 95 ℃

Napięcie robocze:1,425 V ~ 1,575 V

Architektura pamięci (format):SDRAM DDR3
MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

Temperatura pracy:0 ℃ ~ + 95 ℃

Napięcie robocze:1,283 V ~ 1,45 V

Architektura pamięci (format):SDRAM DDR3L
MT41J128M16JT-125:K 2GB:X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

Temperatura pracy:0 ℃ ~ + 95 ℃

Napięcie robocze:1,425 V ~ 1,575 V

Architektura pamięci (format):SDRAM DDR3
MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

Temperatura pracy:-40 ℃ ~ + 95 ℃

Napięcie robocze:1,283 V ~ 1,45 V

Architektura pamięci (format):SDRAM DDR3L
MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

Temperatura pracy:0 ℃ ~ + 95 ℃

Napięcie robocze:1,283 V ~ 1,45 V

Architektura pamięci (format):SDRAM DDR3L
8 Gbit 1,35V Niskonapięciowy Układ Pamięci DRAM DDR3L SDRAM z prędkością 1600MT/s w obudowie FBGA-96

Kategoria produktu::Naparstek

Typ::SDRAM - DDR3L

Rozmiar pamięci::8 Gb
K3KL9L90CM-MGCT Układ pamięci Flash BGA 64 GB UFS 2.1 NAND

Typ:Pamięć Flash NAND

Standard interfejsu:UFS 2.1

Pojemność:64 GB
FEMDNN008G-08A39 BGA-153 8G EMMC Flash Memory Chip

Typ interfejsu:eMMC 5.1

Napięcie robocze:2,7 V do 3,6 V

Temperatura robocza:-25 ℃ do +85 ℃

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

kategorie wyszukiwania：

Układ pamięci DRAM

Chiny Układ pamięci DRAM

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Single Rank DDR4 SDRAM 1,33 GHz 1,14V~1,26V

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Interfejs równoległy DDR4 SDRAM

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Podwójna prędkość transmisji danych Synchronic Dynamic Random Access Memory

W9864G6KH-6I 1M 4 BANKI 16 BITS SDRAM Duża prędkość Synchronowa Dynamiczna Pamięć Random Access

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1,066GHz 1,425V~1,575V

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

MT41J128M16JT-125:K 2GB:X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

8 Gbit 1,35V Niskonapięciowy Układ Pamięci DRAM DDR3L SDRAM z prędkością 1600MT/s w obudowie FBGA-96

K3KL9L90CM-MGCT Układ pamięci Flash BGA 64 GB UFS 2.1 NAND

FEMDNN008G-08A39 BGA-153 8G EMMC Flash Memory Chip

Jednostka mikrokontrolera MCU

UART SPI MCU Microcontroller Arm Cortex-A35 Microprocessor Chip MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU Mikrokontroler Jednostka 16 32KBytes Programowalny Flash ATMEGA168PA-AU

128kB 8bit MCU Mikrokontroler AVR Core Mikrokomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Pole programowalne urządzenie Array logiczne

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O macierz bramki polowej programowalny układ logiczny tablicy

XC7Z020-2CLG484I 2 x 32 KB chipy Cpld Programowalne układy logiczne 85000LE