Rozmawiaj teraz. |
Dom ProduktyUkład pamięci DRAM

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Podwójna prędkość transmisji danych Synchronic Dynamic Random Access Memory

Wszystkie produkty

FPGA Field Programmable Gate Array

(42)

Jednostka mikrokontrolera MCU

(44)

System SOC na chipie

(17)

Układ scalony MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

Detektor termiczny w podczerwieni

(2)

Układ scalony DSP

(12)

Układ pamięci DRAM

(20)

Chip EEPROM

(70)

Chip PSRAM

(5)

Chip SRAM

(18)

Błysk NOR

(51)

Układ scalony EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

Obwody zintegrowane RF

(11)

Bateria litowo-jonowa

(22)

Programowanie sterowników PLC

(15)

Moduł GPS

(9)

Moduł częstotliwości radiowych

(9)

Moduł zasilania

(17)

Przekaźnik półprzewodnikowy

(11)

Antena komunikacyjna

(3)

Złącze

(8)

Chip zarządzania energią

(36)
Im Online Czat teraz

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Podwójna prędkość transmisji danych Synchronic Dynamic Random Access Memory

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory

Duży Obraz :  W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Podwójna prędkość transmisji danych Synchronic Dynamic Random Access Memory

Szczegóły Produktu:
Miejsce pochodzenia: CN
Nazwa handlowa: Winbond
Orzecznictwo: rohs
Numer modelu: W9425G6KH-5
Dokument: 1461725215522.pdf
Zapłata:
Minimalne zamówienie: 1
Cena: consult with
Szczegóły pakowania: T/R
Czas dostawy: 5-8 dni
Zasady płatności: T/T, Western Union
Możliwość Supply: 100 000
Kontakt Rozmawiaj teraz.

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Podwójna prędkość transmisji danych Synchronic Dynamic Random Access Memory

Opis
Temperatura pracy: 0℃~+70℃ Napięcie robocze: 2,3 V ~ 2,7 V
Architektura pamięci (format): SDRAM DDR Pojemność pamięci: 256 Mb/s
Częstotliwość zegara (fc): 200 MHz Prąd operacyjny: 65mA
Podkreślić:

Chip pamięci DDR SDRAM

,

16-bitowa pamięć DRAM

,

Dynamiczna pamięć CMOS

W9425G6KH-5 4M 4 Bank 16-bitowy DDR SDRAM
CMOS Podwójny współczynnik transmisji danych Synchronic Dynamic Random Access Memory
Przegląd produktu
W9425G6KH-5 4M 4 Banks 16-bit DDR SDRAM to pamięć CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory zaprojektowana do zastosowań o wysokiej wydajności.
Kluczowe cechy
  • 2.5V ± 0,2V zasilacz dla DDR400
  • Do 200 MHz częstotliwość zegarowa
  • Architektura podwójnej prędkości transmisji danych: dwa transfery danych na cykl zegarowy
  • Wprowadzanie różnicowego zegara (CLK i CLK)
  • DQS krawędź wyrównana z danymi dla czytania; centrum wyrównane z danymi dla pisania
  • CAS Latency: 2, 2,5 i 3
  • Długość wybuchu: 2, 4 i 8
  • Automatyczne odświeżenie i samoodświeżenie
  • Zakończenie zasilania z podładowaniem i aktywne wyłączenie zasilania
  • Napisać maskę danych
  • Zapisz opóźnienie = 1
  • 7Interwał odświeżania 0,8 μS (8K/64 mS odświeżania)
  • Maksymalny cykl odświeżania wraz z wybuchem: 8
  • Interfejs: SSTL_2
  • Opakowane w TSOP II 66-pin, z wykorzystaniem materiałów bez ołowiu zgodnych z RoHS
Specyfikacja numeru części
Numer części Prędkość Prąd samoodświeżający (maks.) Temperatura pracy
W9425G6KH-5 DDR400/CL3 2 mA 0°C ~ 70°C
W9425G6KH-5I DDR400/CL3 2 mA -40°C ~ 85°C
Obrazy produktów
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Podwójna prędkość transmisji danych Synchronic Dynamic Random Access Memory 0 W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Podwójna prędkość transmisji danych Synchronic Dynamic Random Access Memory 1 W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Podwójna prędkość transmisji danych Synchronic Dynamic Random Access Memory 2
Opakowanie i wysyłka
Dostępne standardowe opakowania eksportowe. Klienci mogą wybierać z kartonów, drewnianych pudełek i drewnianych palet zgodnie z ich wymaganiami.
Częste pytania
Jak uzyskać cenę?
Zazwyczaj oferujemy oferty w ciągu 24 godzin od otrzymania zapytania (z wyłączeniem weekendów i świąt).
Jaki jest czas dostawy?
Małe partie są zazwyczaj wysyłane w ciągu 7-15 dni, podczas gdy zlecenia dużych partii mogą wymagać około 30 dni w zależności od ilości zamówienia i sezonu.
Jakie są warunki płatności?
Ceny fabryczne z 30% depozytu i 70% zapłaty salda za pośrednictwem T/T przed wysyłką.
Jakie są opcje wysyłki?
Dostępne metody wysyłki obejmują przewozy morskie, lotnicze i ekspresowe (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX).

Etykietka:

układ dram,

chip dram,

Układy pamięci Dram

Szczegóły kontaktu
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Osoba kontaktowa: Mr. Sun

Tel: +8618824255380

Wyślij zapytanie bezpośrednio do nas (0 / 3000)

O

Jednostka mikrokontrolera MCU

UART SPI MCU Microcontroller Arm Cortex-A35 Microprocessor Chip MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU Mikrokontroler Jednostka 16 32KBytes Programowalny Flash ATMEGA168PA-AU

128kB 8bit MCU Mikrokontroler AVR Core Mikrokomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Pole programowalne urządzenie Array logiczne

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O macierz bramki polowej programowalny układ logiczny tablicy

XC7Z020-2CLG484I 2 x 32 KB chipy Cpld Programowalne układy logiczne 85000LE

Zostaw wiadomość

Polityka prywatności | Chiny dobry Jakość FPGA Field Programmable Gate Array dostawca. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.