Συνομιλία τώρα |
Αρχική Σελίδα ΠροϊόνταΤσιπ μνήμης DRAM

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Μνήμη Τυχαίας Προσπέλασης Διπλού Ρυθμού Δεδομένων

Όλα τα Προϊόντα

Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA

(42)

Μονάδα μικροελεγκτών MCU

(44)

Σύστημα SOC σε τσιπ

(17)

MPU IC

(11)

ΚΑΠΚΑΠΚΑ

(9)

Ανιχνευτής θερμότητας υπέρυθρου

(2)

Τσιπ ολοκληρωμένου κυκλώματος DSP

(12)

Τσιπ μνήμης DRAM

(20)

eeprom τσιπ

(70)

Τσιπ PSRAM

(5)

Τσιπ SRAM

(18)

Χωρίς φλας

(51)

Κύκλωμα διακόπτη EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

Ενοποιημένα κυκλώματα ραδιοκυμάτων

(11)

Η μπαταρία ιόντων λιθίου

(22)

Προγραμματισμός PLC

(15)

Μονάδα GPS

(9)

Μονάδα ραδιοσυχνοτήτων

(9)

Μονάδα ισχύος

(17)

Στερεάς κατάστασης ηλεκτρονόμος

(11)

Κεραία επικοινωνίας

(3)

Συνδετήρας

(8)

Τσιπ διαχείρισης ισχύος

(36)
Είμαι Online Chat Now

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Μνήμη Τυχαίας Προσπέλασης Διπλού Ρυθμού Δεδομένων

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory

Μεγάλες Εικόνας :  W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Μνήμη Τυχαίας Προσπέλασης Διπλού Ρυθμού Δεδομένων

Λεπτομέρειες:
Τόπος καταγωγής: ΣΟ
Μάρκα: Winbond
Πιστοποίηση: rohs
Αριθμό μοντέλου: W9425g6kh-5
Έγγραφο: 1461725215522.pdf
Πληρωμής & Αποστολής Όροι:
Ποσότητα παραγγελίας min: 1
Τιμή: consult with
Συσκευασία λεπτομέρειες: T/R
Χρόνος παράδοσης: 5-8 ημέρες
Όροι πληρωμής: T/T, Western Union
Δυνατότητα προσφοράς: 100000
Επικοινωνία Συνομιλία τώρα

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Μνήμη Τυχαίας Προσπέλασης Διπλού Ρυθμού Δεδομένων

περιγραφή
Θερμοκρασία λειτουργίας: 0°C~+70°C Τάση λειτουργίας: 2,3V~2,7V
Αρχιτεκτονική μνήμης (μορφή): DDR SDRAM Χωρητικότητα αποθήκευσης: 256 Mbit
Συχνότητα ρολογιών (fc): 200 MHz Λειτουργικό Ρεύμα: 65mA
Επισημαίνω:

Τσιπ μνήμης DDR SDRAM

,

Μνήμη DRAM 16 bit

,

Μνήμη τυχαίας προσπέλασης δυναμική CMOS

W9425G6KH-5 4M 4 Τράπεζες 16-Bit DDR SDRAM
CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory
Επισκόπηση Προϊόντος
Το W9425G6KH-5 4M 4 Τράπεζες 16-Bit DDR SDRAM είναι μια μνήμη CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory σχεδιασμένη για εφαρμογές υψηλής απόδοσης.
Βασικά Χαρακτηριστικά
  • Τροφοδοσία 2.5V ± 0.2V για DDR400
  • Συχνότητα Ρολογιού έως 200 MHz
  • Αρχιτεκτονική Double Data Rate: δύο μεταφορές δεδομένων ανά κύκλο ρολογιού
  • Διαφορικές εισόδους ρολογιού (CLK και CLK)
  • DQS ευθυγραμμισμένο με τα δεδομένα για Ανάγνωση (Read); κεντραρισμένο με τα δεδομένα για Εγγραφή (Write)
  • CAS Latency: 2, 2.5 και 3
  • Μήκος Burst: 2, 4 και 8
  • Αυτόματη Ανανέωση (Auto Refresh) και Αυτο-Ανανέωση (Self Refresh)
  • Προ-φορτισμένη Απενεργοποίηση (Precharged Power Down) και Ενεργή Απενεργοποίηση (Active Power Down)
  • Μάσκα Δεδομένων Εγγραφής (Write Data Mask)
  • Latency Εγγραφής = 1
  • Διάστημα ανανέωσης 7.8μS (8K/64 mS ανανέωση)
  • Μέγιστος κύκλος ανανέωσης burst: 8
  • Διεπαφή: SSTL_2
  • Συσκευασμένο σε TSOP II 66 ακίδων, χρησιμοποιώντας υλικά χωρίς μόλυβδο με συμμόρφωση RoHS
Προδιαγραφές Αριθμού Μέρους
Αριθμός Μέρους Ταχύτητα Ρεύμα Αυτο-Ανανέωσης (Μέγιστο.) Θερμοκρασία Λειτουργίας
W9425G6KH-5 DDR400/CL3 2 mA 0°C ~ 70°C
W9425G6KH-5I DDR400/CL3 2 mA -40°C ~ 85°C
Εικόνες Προϊόντος
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Μνήμη Τυχαίας Προσπέλασης Διπλού Ρυθμού Δεδομένων 0 W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Μνήμη Τυχαίας Προσπέλασης Διπλού Ρυθμού Δεδομένων 1 W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Μνήμη Τυχαίας Προσπέλασης Διπλού Ρυθμού Δεδομένων 2
Συσκευασία & Αποστολή
Διατίθεται τυπική συσκευασία εξαγωγής. Οι πελάτες μπορούν να επιλέξουν από χαρτοκιβώτια, ξύλινες θήκες και ξύλινες παλέτες σύμφωνα με τις απαιτήσεις τους.
Συχνές Ερωτήσεις
Πώς μπορώ να λάβω την τιμή;
Συνήθως παρέχουμε προσφορές εντός 24 ωρών από τη λήψη της ερώτησής σας (εξαιρουμένων Σαββατοκύριακων και αργιών). Για επείγοντα αιτήματα τιμολόγησης, παρακαλούμε επικοινωνήστε μαζί μας απευθείας.
Ποιος είναι ο χρόνος παράδοσής σας;
Μικρές παρτίδες συνήθως αποστέλλονται εντός 7-15 ημερών, ενώ μεγάλες παραγγελίες παρτίδων μπορεί να απαιτήσουν περίπου 30 ημέρες ανάλογα με την ποσότητα παραγγελίας και την εποχή.
Ποιοι είναι οι όροι πληρωμής σας;
Τιμές εργοστασίου με προκαταβολή 30% και υπόλοιπο 70% πληρωμή μέσω T/T πριν από την αποστολή.
Ποιες είναι οι επιλογές αποστολής;
Οι διαθέσιμες μέθοδοι αποστολής περιλαμβάνουν θαλάσσια μεταφορά, αεροπορική μεταφορά και ταχεία παράδοση (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Παρακαλούμε επιβεβαιώστε την προτιμώμενη μέθοδό σας πριν από την παραγγελία.

ετικέτα:

τσιπ ντραμ,

τσιπ ντράμ,

Τσιπ μνήμης DRAM

Στοιχεία επικοινωνίας
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Υπεύθυνος Επικοινωνίας: Mr. Sun

Τηλ.:: +8618824255380

Στείλετε το ερώτημά σας απευθείας σε εμάς (0 / 3000)

Άλλα προϊόντα
FBGA-200 DRAM Chip Μνήμης 8Gb X16 X2 Channel LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

FBGA-200 DRAM Chip Μνήμης 8Gb X16 X2 Channel LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: FBGA-200

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
2Gb F Die DRAM Μνήμης Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

2Gb F Die DRAM Μνήμης Chip Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: BGA, FBGA

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
DDR3L X16 4Gb DRAM Chip Industrial F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4Gb DRAM Chip Industrial F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: FBGA-96

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
Τσιπ μνήμης DRAM 512MB 16bit 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Τσιπ μνήμης DRAM 512MB 16bit 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

Καταλόγος εμπορευμάτων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Συσκευές γενικής χρήσης: FBGA-96

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης

Θερμοκρασία εργασίας: 95℃ (μέγιστο)
Τσιπ μνήμης DRAM DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

Τσιπ μνήμης DRAM DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

Κατάλογος προϊόντων: Μνήμη > Δυναμική μνήμη τυχαίας πρόσβασης (DRAM)

Οικουμενική συσκευασία: FBGA-96

ROHS: Συμμόρφωση

Μέθοδος εγκατάστασης: Εγκατάσταση επιφανειακής βάσης
περίπου

Μονάδα μικροελεγκτών MCU

UART SPI MCU Μικροελεγκτής Arm Cortex-A35 Μικροεπεξεργαστής Chip MA35D16F887C

Atmel 8 Bit MCU Μονάδα Μικροελεγκτή 16 32KBytes Προγραμματιζόμενο Flash ATMEGA168PA-AU

128kB 8bit MCU Μονάδα Μικροελεγκτή Πυρήνας AVR Chip Μικροϋπολογιστή ATMEGA128A-AU

Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Πεδίο Προγραμματιζόμενη συσκευή Λογική σειρά

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Πύλη πεδίου Τρίχωμα πεδίου Προγραμματιζόμενο Τρίχωμα Λογική συσκευή Τσιπ

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld Chips Programmable Logic Chips 85000LE

Αφήστε μήνυμα

Πολιτική Απορρήτου | Κίνα καλός Ποιότητα Φύλακας πύλης προγραμματισμού πεδίου FPGA προμηθευτής. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.