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W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS डबल डेटा दर सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी

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W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS डबल डेटा दर सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory

बड़ी छवि :  W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS डबल डेटा दर सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी

उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: Winbond
प्रमाणन: rohs
मॉडल संख्या: W9425G6KH-5
दस्तावेज: 1461725215522.pdf
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: consult with
पैकेजिंग विवरण: टी/आर
प्रसव के समय: 5-8 दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000
संपर्क करें अब बात करें

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS डबल डेटा दर सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी

वर्णन
परिचालन तापमान: 0 ℃ ~ + 70 ℃ ऑपरेटिंग वोल्टेज: 2.3V~2.7V
मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप): डीडीआर एसडीआरएएम भंडारण क्षमता: 256Mbit
घड़ी की आवृत्ति (एफसी): 200 मेगाहर्ट्ज ऑपरेटिंग करंट: 65mA
प्रमुखता देना:

डीडीआर एसडीआरएएम मेमोरी चिप

,

16 बिट DRAM मेमोरी

,

सीएमओएस गतिशील यादृच्छिक पहुँच स्मृति

W9425G6KH-5 4M 4 बैंक 16-बिट DDR SDRAM
CMOS डबल डेटा रेट सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी
उत्पाद अवलोकन
W9425G6KH-5 4M 4 बैंक 16-बिट DDR SDRAM एक CMOS डबल डेटा रेट सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी है जिसे उच्च-प्रदर्शन अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है।
मुख्य विशेषताएं
  • DDR400 के लिए 2.5V ± 0.2V पावर सप्लाई
  • 200 मेगाहर्ट्ज तक क्लॉक फ्रीक्वेंसी
  • डबल डेटा रेट आर्किटेक्चर: प्रति क्लॉक साइकिल दो डेटा ट्रांसफर
  • डिफरेंशियल क्लॉक इनपुट (CLK और CLK)
  • रीड के लिए डेटा के साथ DQS एज-अलाइन्ड; राइट के लिए डेटा के साथ सेंटर-अलाइन्ड
  • CAS लेटेंसी: 2, 2.5 और 3
  • बर्स्ट लेंथ: 2, 4 और 8
  • ऑटो रिफ्रेश और सेल्फ रिफ्रेश
  • प्रीचार्ज्ड पावर डाउन और एक्टिव पावर डाउन
  • राइट डेटा मास्क
  • राइट लेटेंसी = 1
  • 7.8µS रिफ्रेश इंटरवल (8K/64 mS रिफ्रेश)
  • अधिकतम बर्स्ट रिफ्रेश साइकिल: 8
  • इंटरफ़ेस: SSTL_2
  • TSOP II 66-पिन में पैक किया गया, RoHS अनुपालन के साथ लीड-मुक्त सामग्री का उपयोग करके
भाग संख्या विनिर्देश
भाग संख्या गति सेल्फ रिफ्रेश करंट (अधिकतम.) ऑपरेटिंग तापमान
W9425G6KH-5 DDR400/CL3 2 mA 0°C ~ 70°C
W9425G6KH-5I DDR400/CL3 2 mA -40°C ~ 85°C
उत्पाद छवियां
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS डबल डेटा दर सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी 0 W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS डबल डेटा दर सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी 1 W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS डबल डेटा दर सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी 2
पैकेजिंग और शिपिंग
मानक निर्यात पैकेजिंग उपलब्ध है। ग्राहक अपनी आवश्यकताओं के अनुसार कार्टन, लकड़ी के बक्से और लकड़ी के पैलेट में से चुन सकते हैं।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
कीमत कैसे प्राप्त करें?
हम आम तौर पर आपकी पूछताछ प्राप्त होने के 24 घंटे के भीतर कोटेशन प्रदान करते हैं (सप्ताहांत और छुट्टियों को छोड़कर)। तत्काल मूल्य निर्धारण अनुरोधों के लिए, कृपया सीधे हमसे संपर्क करें।
आपका डिलीवरी समय क्या है?
छोटे बैच आमतौर पर 7-15 दिनों के भीतर शिप होते हैं, जबकि बड़े बैच ऑर्डर के लिए ऑर्डर की मात्रा और मौसम के आधार पर लगभग 30 दिनों की आवश्यकता हो सकती है।
आपके भुगतान की शर्तें क्या हैं?
शिपमेंट से पहले टी/टी के माध्यम से 30% जमा और 70% शेष भुगतान के साथ फैक्ट्री मूल्य निर्धारण।
शिपिंग विकल्प क्या हैं?
उपलब्ध शिपिंग विधियों में समुद्री माल, हवाई माल और एक्सप्रेस डिलीवरी (ईएमएस, यूपीएस, डीएचएल, टीएनटी, फेडेक्स) शामिल हैं। कृपया ऑर्डर करने से पहले अपनी पसंदीदा विधि की पुष्टि करें।

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सम्पर्क करने का विवरण
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: FBGA-200

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
2Gb F डाई DRAM मेमोरी चिप डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: बीजीए ， एफबीजीए

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
DDR3L X16 4Gb DRAM चिप औद्योगिक F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

माल सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सामान्य उद्देश्य पैकेजिंग: एफबीजीए-96

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना

कार्य तापमान: 95 ℃ (अधिकतम)
औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
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