지금 챗팅하세요 |
홈 제품 소개DRAM 메모리는 자릅니다

W9425G6KH-5 4 M 4 뱅크 16비트 DDR SDRAM CMOS

모든 제품

FPGA 필드 프로그래밍 가능한 게이트 배열

(42)

MCU 마이크로 제어 장치

(44)

칩에 SOC 시스템

(17)

MPU IC

(11)

CPLD PLD

(9)

적외선 열 감지기

(2)

DSP IC 칩

(12)

DRAM 메모리는 자릅니다

(20)

eeprom 칩

(70)

PSRAM칩

(5)

SRAM 칩

(18)

NOR 플래시

(51)

EPROM IC

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

RF 통합 회로

(11)

리튬 이온 전지

(22)

PLC 프로그래밍

(15)

GPS 모듈

(9)

무선 주파수 모듈

(9)

전원 모듈

(17)

고체 계전기

(11)

통신 안테나

(3)

커넥터

(8)

전력 관리 칩

(36)
제가 지금 온라인 채팅 해요

W9425G6KH-5 4 M 4 뱅크 16비트 DDR SDRAM CMOS

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory

큰 이미지 :  W9425G6KH-5 4 M 4 뱅크 16비트 DDR SDRAM CMOS

제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: Winbond
인증: rohs
모델 번호: W9425G6KH-5
문서: 1461725215522.pdf
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: consult with
포장 세부 사항: T/R
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, 서부 동맹
공급 능력: 100000
접촉 지금 챗팅하세요

W9425G6KH-5 4 M 4 뱅크 16비트 DDR SDRAM CMOS

설명
작동 온도: 0C~+70C 작동 전압: 2.3V~2.7V
메모리 아키텍처(형식): DDR SDRAM 저장 용량: 256Mbit
클럭 주파수 (fc): 200MHz 작동 전류: 65mA
강조하다:

DDR SDRAM 메모리 칩

,

16비트 DRAM 메모리

,

CMOS 동적 랜덤 액세스 메모리

W9425G6KH-5 4M 4 Banks 16-Bit DDR SDRAM
CMOS 더블 데이터 레이트 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리
제품 개요
W9425G6KH-5 4M 4 Banks 16-Bit DDR SDRAM은 고성능 애플리케이션을 위해 설계된 CMOS 더블 데이터 레이트 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리입니다.
주요 특징
  • DDR400용 2.5V ± 0.2V 전원 공급
  • 최대 200MHz 클럭 주파수
  • 더블 데이터 레이트 아키텍처: 클럭 사이클당 두 번의 데이터 전송
  • 차동 클럭 입력 (CLK 및 CLK)
  • 읽기 시 데이터와 가장자리 정렬 DQS; 쓰기 시 데이터와 중앙 정렬 DQS
  • CAS 지연: 2, 2.5 및 3
  • 버스트 길이: 2, 4 및 8
  • 자동 새로고침 및 자체 새로고침
  • 사전 충전 전원 차단 및 활성 전원 차단
  • 쓰기 데이터 마스크
  • 쓰기 지연 = 1
  • 7.8µS 새로고침 간격 (8K/64 mS 새로고침)
  • 최대 버스트 새로고침 사이클: 8
  • 인터페이스: SSTL_2
  • TSOP II 66핀 패키지, RoHS 준수 리드프리 소재 사용
부품 번호 사양
부품 번호 속도 자체 새로고침 전류 (최대) 작동 온도
W9425G6KH-5 DDR400/CL3 2 mA 0°C ~ 70°C
W9425G6KH-5I DDR400/CL3 2 mA -40°C ~ 85°C
제품 이미지
W9425G6KH-5 4 M 4 뱅크 16비트 DDR SDRAM CMOS 0 W9425G6KH-5 4 M 4 뱅크 16비트 DDR SDRAM CMOS 1 W9425G6KH-5 4 M 4 뱅크 16비트 DDR SDRAM CMOS 2
포장 및 배송
표준 수출 포장이 가능합니다. 고객은 요구 사항에 따라 상자, 나무 상자 및 나무 팔레트 중에서 선택할 수 있습니다.
자주 묻는 질문
가격은 어떻게 알 수 있나요?
일반적으로 문의 접수 후 24시간 이내에 견적을 제공합니다 (주말 및 공휴일 제외). 긴급 가격 요청은 직접 문의해 주십시오.
배송 시간은 어떻게 되나요?
소량 주문은 일반적으로 7-15일 이내에 배송되며, 대량 주문은 주문 수량 및 계절에 따라 약 30일이 소요될 수 있습니다.
결제 조건은 어떻게 되나요?
공장 가격으로 30% 예금 및 선적 전 T/T를 통한 70% 잔금 결제입니다.
배송 옵션은 무엇인가요?
이용 가능한 배송 방법에는 해상 운송, 항공 운송 및 특송 (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX)이 있습니다. 주문 전에 선호하는 방법을 확인해 주십시오.

태그:

드램 칩,

칩 드램,

DRAM 메모리 칩

연락처 세부 사항
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

담당자: Mr. Sun

전화 번호: +8618824255380

회사에 직접 문의 보내기 (0 / 3000)

약

MCU 마이크로 제어 장치

UART SPI MCU 마이크로컨트롤러 Arm Cortex-A35 마이크로프로세서 칩 MA35D16F887C

아트멜 8 비트 MCU 마이크로 컨트롤러 유닛 16 32KBytes 프로그래밍 플래시 ATMEGA168PA-AU

128kB 8비트 MCU 마이크로컨트롤러 유닛 AVR 코어 마이크로컴퓨터 칩 ATMEGA128A-AU

FPGA 필드 프로그래밍 가능한 게이트 배열

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD 필드 프로그래밍 가능한 장치 논리 배열

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O 필드 게이트 배열 필드 프로그래밍 가능한 배열 논리 장치 칩

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld 칩 프로그래밍 가능한 논리 칩 85000LE

메시지를 남겨주세요

개인 정보 정책 | 중국 좋은 품질 FPGA 필드 프로그래밍 가능한 게이트 배열 공급자. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.