nói chuyện ngay. |
Nhà Sản phẩmChip bộ nhớ DRAM

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Tỷ lệ dữ liệu kép Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ

Tất cả sản phẩm

FPGA Field Programmable Gate Array

(42)

Đơn vị vi điều khiển MCU

(44)

hệ thống soc trên chip

(17)

IC MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

Máy phát hiện nhiệt hồng ngoại

(2)

Chip vi mạch DSP

(12)

Chip bộ nhớ DRAM

(20)

Chip Eeprom

(70)

Chip PSRAM

(5)

Chip SRAM

(18)

KHÔNG nhấp nháy

(51)

IC EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

Các mạch tích hợp RF

(11)

Pin Li-ion

(22)

Lập trình PLC

(15)

Mô-đun GPS

(9)

Mô hình tần số vô tuyến

(9)

Mô-đun nguồn

(17)

Rơle trạng thái rắn

(11)

Anten giao tiếp

(3)

Đầu nối

(8)

Chip quản lý năng lượng

(36)
Tôi trò chuyện trực tuyến bây giờ

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Tỷ lệ dữ liệu kép Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory

Hình ảnh lớn :  W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Tỷ lệ dữ liệu kép Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ

Thông tin chi tiết sản phẩm:
Nguồn gốc: CN
Hàng hiệu: Winbond
Chứng nhận: rohs
Số mô hình: W9425G6KH-5
Tài liệu: 1461725215522.pdf
Thanh toán:
Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1
Giá bán: consult with
chi tiết đóng gói: T/R
Thời gian giao hàng: 5-8 ngày
Điều khoản thanh toán: T/T, Công Đoàn Phương Tây
Khả năng cung cấp: 100000
Tiếp xúc nói chuyện ngay.

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Tỷ lệ dữ liệu kép Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ

Sự miêu tả
Nhiệt độ hoạt động: 0℃~+70℃ Điện áp hoạt động: 2.3V~2.7V
Cấu trúc bộ nhớ (định dạng): DDRSDRAM Dung lượng lưu trữ: 256Mbit
Tần số đồng hồ (fc): 200 MHz Hoạt động hiện tại: 65mA
Làm nổi bật:

Chip bộ nhớ DDR SDRAM

,

Bộ nhớ DRAM 16 bit

,

Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động CMOS

W9425G6KH-5 4M 4 Bank 16-Bit DDR SDRAM
Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ tốc độ dữ liệu kép CMOS
Tổng quan sản phẩm
W9425G6KH-5 4M 4 Bank 16-Bit DDR SDRAM là bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ tốc độ dữ liệu kép CMOS được thiết kế cho các ứng dụng hiệu suất cao.
Các tính năng chính
  • Nguồn cung cấp 2.5V ± 0.2V cho DDR400
  • Tần số xung nhịp lên đến 200 MHz
  • Kiến trúc tốc độ dữ liệu kép: hai lần truyền dữ liệu mỗi chu kỳ xung nhịp
  • Đầu vào xung nhịp vi sai (CLK và CLK)
  • DQS căn chỉnh theo cạnh với dữ liệu cho Đọc; căn giữa với dữ liệu cho Ghi
  • Độ trễ CAS: 2, 2.5 và 3
  • Độ dài Burst: 2, 4 và 8
  • Làm mới tự động và Tự làm mới
  • Giảm nguồn khi nạp trước và Giảm nguồn khi hoạt động
  • Mặt nạ dữ liệu ghi
  • Độ trễ ghi = 1
  • Khoảng thời gian làm mới 7.8µS (làm mới 8K/64 mS)
  • Chu kỳ làm mới burst tối đa: 8
  • Giao diện: SSTL_2
  • Đóng gói trong TSOP II 66 chân, sử dụng vật liệu không chì tuân thủ RoHS
Thông số kỹ thuật mã sản phẩm
Mã sản phẩm Tốc độ Dòng tự làm mới (Tối đa.) Nhiệt độ hoạt động
W9425G6KH-5 DDR400/CL3 2 mA 0°C ~ 70°C
W9425G6KH-5I DDR400/CL3 2 mA -40°C ~ 85°C
Hình ảnh sản phẩm
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Tỷ lệ dữ liệu kép Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ 0 W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Tỷ lệ dữ liệu kép Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ 1 W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Tỷ lệ dữ liệu kép Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ 2
Đóng gói & Vận chuyển
Có sẵn bao bì xuất khẩu tiêu chuẩn. Khách hàng có thể lựa chọn từ thùng carton, hộp gỗ và pallet gỗ theo yêu cầu của họ.
Câu hỏi thường gặp
Làm thế nào để nhận được báo giá?
Chúng tôi thường cung cấp báo giá trong vòng 24 giờ kể từ khi nhận được yêu cầu của bạn (không bao gồm cuối tuần và ngày lễ). Đối với các yêu cầu báo giá khẩn cấp, vui lòng liên hệ trực tiếp với chúng tôi.
Thời gian giao hàng của bạn là bao lâu?
Các lô hàng nhỏ thường được giao trong vòng 7-15 ngày, trong khi các đơn đặt hàng số lượng lớn có thể mất khoảng 30 ngày tùy thuộc vào số lượng đặt hàng và mùa.
Các điều khoản thanh toán của bạn là gì?
Giá xuất xưởng với 30% tiền đặt cọc và 70% thanh toán số dư qua T/T trước khi giao hàng.
Các tùy chọn vận chuyển là gì?
Các phương thức vận chuyển có sẵn bao gồm vận tải biển, vận tải hàng không và chuyển phát nhanh (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Vui lòng xác nhận phương thức ưa thích của bạn trước khi đặt hàng.

Từ khóa:

chip dram,

chip nhớ bộ nhớ,

Chip bộ nhớ DDR SDRAM

Chi tiết liên lạc
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Người liên hệ: Mr. Sun

Tel: +8618824255380

Gửi yêu cầu thông tin của bạn trực tiếp cho chúng tôi (0 / 3000)

về

Đơn vị vi điều khiển MCU

UART SPI MCU Microcontroller Arm Cortex-A35 Vi xử lý chip MA35D16F887C

Bộ vi điều khiển MCU 8-Bit Atmel 16 32KBytes Flash có thể lập trình ATMEGA168PA-AU

Vi điều khiển MCU 8-bit 128kB Chip vi mạch AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Cảng có thể lập trình thiết bị logic

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Cổng trường Mảng Chip thiết bị logic mảng có thể lập trình được

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB chip Cpld chip logic có thể lập trình 85000LE

Để lại tin nhắn

Chính sách bảo mật | Trung Quốc tốt Chất lượng FPGA Field Programmable Gate Array nhà cung cấp. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.