Startseite ProdukteD-RAM Speicherchip

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Doppeldatenrate Synchroner dynamischer Zufallsspeicher

Ich bin online Chat Jetzt

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Doppeldatenrate Synchroner dynamischer Zufallsspeicher

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory

Großes Bild :  W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Doppeldatenrate Synchroner dynamischer Zufallsspeicher

Produktdetails:
Herkunftsort: CN
Markenname: Winbond
Zertifizierung: rohs
Modellnummer: W9425G6KH-5
Dokument: 1461725215522.pdf
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1
Preis: consult with
Verpackung Informationen: T/R
Lieferzeit: 5-8 Tage
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000
Kontakt Plaudern Sie Jetzt

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Doppeldatenrate Synchroner dynamischer Zufallsspeicher

Beschreibung
Betriebstemperatur: 0°C bis + 70°C Betriebsspannung: 2,3 V ~ 2,7 V
Speicherarchitektur (Format): DDR-SDRAM Speicherkapazität: 256 Mbit
Taktfrequenz (fc): 200 MHz Betriebsstrom: 65 mA
Hervorheben:

DDR-SDRAM-Speicherchip

,

16 Bit DRAM-Speicher

,

CMOS-Dynamischer Zufallsspeicher

W9425G6KH-5 4M 4 Banks 16-Bit DDR SDRAM
CMOS Double Data Rate Synchrone Dynamischer Direktzugriffsspeicher
Produktübersicht
Der W9425G6KH-5 4M 4 Banks 16-Bit DDR SDRAM ist ein CMOS Double Data Rate Synchrone Dynamischer Direktzugriffsspeicher, der für Hochleistungsanwendungen entwickelt wurde.
Hauptmerkmale
  • 2,5 V ± 0,2 V Spannungsversorgung für DDR400
  • Bis zu 200 MHz Taktfrequenz
  • Double Data Rate-Architektur: zwei Datentransfers pro Taktzyklus
  • Differenzielle Takteingänge (CLK und CLK)
  • DQS fluchtend mit Daten für Lesen; zentriert mit Daten für Schreiben
  • CAS-Latenz: 2, 2,5 und 3
  • Burst-Länge: 2, 4 und 8
  • Auto Refresh und Self Refresh
  • Precharged Power Down und Active Power Down
  • Write Data Mask
  • Schreiblatenz = 1
  • 7,8 µs Auffrischungsintervall (8K/64 ms Auffrischung)
  • Maximaler Burst-Auffrischungszyklus: 8
  • Schnittstelle: SSTL_2
  • Verpackt in TSOP II 66-Pin, unter Verwendung bleifreier Materialien mit RoHS-Konformität
Teilenummern-Spezifikationen
Teilenummer Geschwindigkeit Self Refresh Strom (Max.) Betriebstemperatur
W9425G6KH-5 DDR400/CL3 2 mA 0°C ~ 70°C
W9425G6KH-5I DDR400/CL3 2 mA -40°C ~ 85°C
Produktbilder
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Doppeldatenrate Synchroner dynamischer Zufallsspeicher 0 W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Doppeldatenrate Synchroner dynamischer Zufallsspeicher 1 W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Doppeldatenrate Synchroner dynamischer Zufallsspeicher 2
Verpackung & Versand
Standard-Exportverpackung verfügbar. Kunden können je nach Bedarf zwischen Kartons, Holzkisten und Holzpaletten wählen.
Häufig gestellte Fragen
Wie erhalte ich den Preis?
Wir erstellen in der Regel innerhalb von 24 Stunden nach Eingang Ihrer Anfrage (außer an Wochenenden und Feiertagen) ein Angebot. Für dringende Preiswünsche kontaktieren Sie uns bitte direkt.
Was ist Ihre Lieferzeit?
Kleine Mengen werden in der Regel innerhalb von 7-15 Tagen versandt, während große Mengen je nach Bestellmenge und Saison etwa 30 Tage dauern können.
Was sind Ihre Zahlungsbedingungen?
Fabrikpreise mit 30 % Anzahlung und 70 % Restzahlung per T/T vor Versand.
Welche Versandoptionen gibt es?
Verfügbare Versandmethoden sind Seefracht, Luftfracht und Expresslieferung (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Bitte bestätigen Sie Ihre bevorzugte Methode vor der Bestellung.

Kontaktdaten
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Ansprechpartner: Mr. Sun

Telefon: +8618824255380

Senden Sie Ihre Anfrage direkt an uns (0 / 3000)