Nhà Sản phẩm

Chip bộ nhớ DRAM

Trung Quốc Chip bộ nhớ DRAM

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Đơn vị hạng DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

Nhiệt độ hoạt động:0oC~+95oC

Điện áp hoạt động:1.14V~1.26V

Cấu trúc bộ nhớ (định dạng):SDRAM DDR4
MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Giao diện song song DDR4 SDRAM

Nhiệt độ hoạt động:0oC~+95oC

Điện áp hoạt động:1.14V~1.26V

Cấu trúc bộ nhớ (định dạng):DDRSDRAM
W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Tỷ lệ dữ liệu kép Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ

Nhiệt độ hoạt động:0℃~+70℃

Điện áp hoạt động:2.3V~2.7V

Cấu trúc bộ nhớ (định dạng):DDRSDRAM
W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ tốc độ cao

Nhiệt độ hoạt động:-40oC~+85oC

Điện áp hoạt động:3V~3.6V

Cấu trúc bộ nhớ (định dạng):SDRAM
MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

Nhiệt độ hoạt động:0oC~+95oC

Điện áp hoạt động:1.425V~1.575V

Cấu trúc bộ nhớ (định dạng):SDRAM DDR3
MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

Nhiệt độ hoạt động:0oC~+95oC

Điện áp hoạt động:1.283V~1.45V

Cấu trúc bộ nhớ (định dạng):DDR3LSDRAM
MT41J128M16JT-125:K 2Gb:X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

Nhiệt độ hoạt động:0oC~+95oC

Điện áp hoạt động:1.425V~1.575V

Cấu trúc bộ nhớ (định dạng):SDRAM DDR3
MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

Nhiệt độ hoạt động:-40oC~+95oC

Điện áp hoạt động:1.283V~1.45V

Cấu trúc bộ nhớ (định dạng):DDR3LSDRAM
MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

Nhiệt độ hoạt động:0oC~+95oC

Điện áp hoạt động:1.283V~1.45V

Cấu trúc bộ nhớ (định dạng):DDR3LSDRAM
8 Gbit 1.35V Điện áp thấp DDR3L SDRAM DRAM Chip bộ nhớ với tốc độ 1600MT / s trong gói FBGA-96

Danh mục sản phẩm::kịch

Kiểu::SDRAM-DDR3L

Kích thước bộ nhớ::8 Gbit
Chip bộ nhớ flash K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND

Kiểu:Bộ nhớ Flash NAND

Tiêu chuẩn giao diện:UFS 2.1

Dung tích:64gb
FEMDNN008G-08A39 BGA-153 8G EMMC Flash Memory Chip

Loại giao diện:EMMC 5.1

Điện áp làm việc:2.7V đến 3.6V

Nhiệt độ hoạt động:-25 đến +85

Page 2 of 3|< << 1 2 3 >> >|

Duyệt mục：

Chip bộ nhớ DRAM

Trung Quốc Chip bộ nhớ DRAM

MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 TwinDie Đơn vị hạng DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 Giao diện song song DDR4 SDRAM

W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS Tỷ lệ dữ liệu kép Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ

W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ tốc độ cao

MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

MT41J128M16JT-125:K 2Gb:X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

8 Gbit 1.35V Điện áp thấp DDR3L SDRAM DRAM Chip bộ nhớ với tốc độ 1600MT / s trong gói FBGA-96

Chip bộ nhớ flash K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND

FEMDNN008G-08A39 BGA-153 8G EMMC Flash Memory Chip

Đơn vị vi điều khiển MCU

UART SPI MCU Microcontroller Arm Cortex-A35 Vi xử lý chip MA35D16F887C

Bộ vi điều khiển MCU 8-Bit Atmel 16 32KBytes Flash có thể lập trình ATMEGA168PA-AU

Vi điều khiển MCU 8-bit 128kB Chip vi mạch AVR Core ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Cảng có thể lập trình thiết bị logic

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Cổng trường Mảng Chip thiết bị logic mảng có thể lập trình được

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB chip Cpld chip logic có thể lập trình 85000LE