चीन DRAM मेमोरी चिप

• 

  MT40A1G16KNR-075:E 16Gb: x16 ट्विनडाई सिंगल रैंक DDR4 SDRAM 1.33GHz 1.14V~1.26V

  परिचालन तापमान:0℃~+95℃

  ऑपरेटिंग वोल्टेज:1.14V~1.26V

  मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप):डीडीआर4 एसडीआरएएम

  अब बात करें
• 

  MT40A512M16LY-075:E 8Gb: X4 X8 X16 समानांतर इंटरफ़ेस DDR4 SDRAM

  परिचालन तापमान:0℃~+95℃

  ऑपरेटिंग वोल्टेज:1.14V~1.26V

  मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप):डीडीआर एसडीआरएएम

  अब बात करें
• 

  W9425G6KH-5 4 M 4 BANKS 16 BITS DDR SDRAM CMOS डबल डेटा दर सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी

  परिचालन तापमान:0 ℃ ~ + 70 ℃

  ऑपरेटिंग वोल्टेज:2.3V~2.7V

  मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप):डीडीआर एसडीआरएएम

  अब बात करें
• 

  W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM हाई स्पीड सिंक्रोनस डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी

  परिचालन तापमान:-40℃~+85℃

  ऑपरेटिंग वोल्टेज:3V~3.6V

  मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप):एसडीआरएएम

  अब बात करें
• 

  MT41J128M16JT-093:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3 SDRAM 1.066GHz 1.425V~1.575V

  परिचालन तापमान:0℃~+95℃

  ऑपरेटिंग वोल्टेज:1.425V~1.575V

  मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप):डीडीआर3 एसडीआरएएम

  अब बात करें
• 

  MT41K128M16JT-125:k 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 800MHz 1.283V~1.45V

  परिचालन तापमान:0℃~+95℃

  ऑपरेटिंग वोल्टेज:1.283V~1.45V

  मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप):डीडीआर3एल एसडीआरएएम

  अब बात करें
• 

  MT41J128M16JT-125:K 2Gb:X4 X8 X16 DDR3 SDRAM

  परिचालन तापमान:0℃~+95℃

  ऑपरेटिंग वोल्टेज:1.425V~1.575V

  मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप):डीडीआर3 एसडीआरएएम

  अब बात करें
• 

  MT41K128M16JT-125 आईटी:के 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

  परिचालन तापमान:-40℃~+95℃

  ऑपरेटिंग वोल्टेज:1.283V~1.45V

  मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप):डीडीआर3एल एसडीआरएएम

  अब बात करें
• 

  MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

  परिचालन तापमान:0℃~+95℃

  ऑपरेटिंग वोल्टेज:1.283V~1.45V

  मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप):डीडीआर3एल एसडीआरएएम

  अब बात करें
• 

  8 Gbit 1.35V लो वोल्टेज DDR3L SDRAM DRAM मेमोरी चिप FBGA-96 पैकेज में 1600MT/s स्पीड के साथ

  उत्पाद श्रेणी::घूंट

  प्रकार::एसडीआरएएम - डीडीआर3एल

  मेमोरी का आकार::8 जीबीटी

  अब बात करें
• 

  K3KL9L90CM-MGCT BGA 64GB UFS 2.1 NAND फ्लैश मेमोरी चिप

  प्रकार:नंद फ्लैश मेमोरी

  इंटरफ़ेस मानक:यूएफएस 2.1

  क्षमता:64GB

  अब बात करें
• 

  FEMDNN008G-08A39 BGA-153 8G EMMC Flash Memory Chip

  इंटरफ़ेस प्रकार:ईएमएमसी 5.1

  कामकाजी वोल्टेज:2.7 वी से 3.6 वी

  परिचालन तापमान:-25 ℃ से +85 ℃

  अब बात करें