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8 Gbit 1.35V लो वोल्टेज DDR3L SDRAM DRAM मेमोरी चिप FBGA-96 पैकेज में 1600MT/s स्पीड के साथ

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8 Gbit 1.35V लो वोल्टेज DDR3L SDRAM DRAM मेमोरी चिप FBGA-96 पैकेज में 1600MT/s स्पीड के साथ

8 Gbit 1.35V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM Memory Chip with 1600MT/s Speed in FBGA-96 Package
8 Gbit 1.35V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM Memory Chip with 1600MT/s Speed in FBGA-96 Package 8 Gbit 1.35V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM Memory Chip with 1600MT/s Speed in FBGA-96 Package 8 Gbit 1.35V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM Memory Chip with 1600MT/s Speed in FBGA-96 Package

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उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: ट्विन
ब्रांड नाम: ISSI
प्रमाणन: rohs
मॉडल संख्या: IS43TR16512BL-125KBLI
दस्तावेज: 14145D47F0E03AFC5BD9E6112A3...AB.pdf
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: consult with
पैकेजिंग विवरण: टी / आर
प्रसव के समय: 5-8 दिन
आपूर्ति की क्षमता: 100000
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8 Gbit 1.35V लो वोल्टेज DDR3L SDRAM DRAM मेमोरी चिप FBGA-96 पैकेज में 1600MT/s स्पीड के साथ

वर्णन
उत्पाद श्रेणी:: घूंट प्रकार:: एसडीआरएएम - डीडीआर3एल
मेमोरी का आकार:: 8 जीबीटी डेटा बस चौड़ाई:: 16 बिट
अधिकतम घड़ी आवृत्ति:: 800 मेगाहर्ट्ज पैकेज / मामला:: एफबीजीए-96
संगठन:: 512 एम x 16 पहूंच समय:: 20 एनएस
प्रमुखता देना:

8 Gbit DRAM मेमोरी चिप

,

1.35V लो वोल्टेज DDR3L SDRAM

,

1600MT/s FBGA-96 मेमोरी

IS43TR16512BL-125KBLI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT
विशेषताएं
  • मानक वोल्टेजः VDD और VDDQ = 1.5V ± 0.075V
  • निम्न वोल्टेज (एल): वीडीडी और वीडीडीक्यू = 1.35V + 0.1V, -0.067V - 1.5V के लिए पिछड़े संगत
  • 933 मेगाहर्ट्ज़ तक की सिस्टम आवृत्ति के साथ उच्च गति डेटा हस्तांतरण दरें
  • समवर्ती संचालन के लिए 8 आंतरिक बैंक
  • 8n-बिट प्री-फेच आर्किटेक्चर
  • प्रोग्राम करने योग्य CAS विलंबता
  • प्रोग्रामेबल एडिटिव लेटेंसीः 0, CL-1, CL-2
  • tCK पर आधारित प्रोग्राम करने योग्य CAS WRITE विलंबता (CWL)
  • प्रोग्राम करने योग्य फट लंबाईः 4 और 8
  • प्रोग्राम करने योग्य फट अनुक्रम: अनुक्रमिक या अंतराल
  • उड़ान पर BL स्विच करें
  • ऑटो ऑटो रिफ्रेश (ASR)
  • स्व-रिफ्रेश तापमान (SRT)
  • ताज़ा करें अंतरालः
    7.8 μs (8192 चक्र/64 ms) Tc= -40°C से 85°C
    3.9 μs (8192 चक्र/32 ms) Tc= 85°C से 95°C
    1.95 μs (8192 चक्र/16 ms) Tc= 95°C से 105°C
    0.97 μs (8192 चक्र/8 ms) Tc= 105°C से 115°C
  • आंशिक सरणी स्वयं ताज़ा करें
  • असिंक्रोनस रीसेट पिन
  • टीडीक्यूएस (टर्मिनेशन डेटा स्ट्रोब) समर्थित (केवल x8)
  • ओसीडी (ऑफ-चिप ड्राइवर प्रतिबाधा समायोजन)
  • डायनामिक ओडीटी (ऑन-ड्राई टर्मिनेशन)
  • चालक शक्तिः RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
  • लिखना स्तर
  • डीएलएल बंद मोड में 200 मेगाहर्ट्ज तक
  • ऑपरेटिंग तापमानः
    वाणिज्यिक (TC = 0°C से +95°C)
    औद्योगिक (TC = -40°C से +95°C)
    ऑटोमोटिव, A1 (TC = -40°C से +95°C)
    ऑटोमोटिव, A2 (TC = -40°C से +105°C)
    ऑटोमोटिव, A25 (TC = -40°C से +115°C)
विकल्प
  • विन्यासः
    1Gx8
    512Mx16
  • पैकेजः
    96 बॉल बीजीए (10 मिमी x 14 मिमी) x16 के लिए
    78-गोला BGA (10mm x 14mm) x8 के लिए
पता तालिका
पैरामीटर 1Gx8 512Mx16
पंक्ति पते A0-A15 A0-A15
स्तंभ पता A0-A9, A11 A0-A9
बैंक पते BA0-2 BA0-2
पृष्ठ का आकार 2KB 2KB
ऑटो प्रीचार्जएड्रेसिंग A10/AP A10/AP
उड़ान पर BL स्विच करें A12/BC# A12/BC#

8 Gbit 1.35V लो वोल्टेज DDR3L SDRAM DRAM मेमोरी चिप FBGA-96 पैकेज में 1600MT/s स्पीड के साथ 0 8 Gbit 1.35V लो वोल्टेज DDR3L SDRAM DRAM मेमोरी चिप FBGA-96 पैकेज में 1600MT/s स्पीड के साथ 1 8 Gbit 1.35V लो वोल्टेज DDR3L SDRAM DRAM मेमोरी चिप FBGA-96 पैकेज में 1600MT/s स्पीड के साथ 2

पैकेजिंग और शिपिंग

मानक निर्यात पैकेजिंग उपलब्ध है। ग्राहक अपनी आवश्यकताओं के अनुसार कार्टन, लकड़ी के मामले और लकड़ी के पैलेट से चुन सकते हैं।

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
कीमत कैसे प्राप्त करें?

हम आम तौर पर आपकी पूछताछ प्राप्त करने के 24 घंटे के भीतर उद्धरण प्रदान करते हैं (सप्ताह के अंत और छुट्टियों को छोड़कर) । तत्काल मूल्य निर्धारण अनुरोधों के लिए, कृपया हमसे सीधे संपर्क करें।

आपकी डिलीवरी का समय क्या है?

छोटे बैच आमतौर पर 7-15 दिनों के भीतर जहाज करते हैं, जबकि बड़े बैच ऑर्डर के लिए ऑर्डर की मात्रा और मौसम के आधार पर लगभग 30 दिनों की आवश्यकता हो सकती है।

आपकी भुगतान शर्तें क्या हैं?

शिपमेंट से पहले टी/टी के माध्यम से 30% जमा और 70% शेष भुगतान के साथ फैक्टरी मूल्य निर्धारण।

शिपिंग के क्या विकल्प हैं?

उपलब्ध शिपिंग विधियों में समुद्री माल ढुलाई, हवाई माल ढुलाई और एक्सप्रेस डिलीवरी (ईएमएस, यूपीएस, डीएचएल, टीएनटी, फेडेक्स) शामिल हैं। कृपया ऑर्डर करने से पहले अपनी पसंदीदा विधि की पुष्टि करें।

कुल मिलाकर रेटिंग

5.0
इस आपूर्तिकर्ता के लिए 50 समीक्षाओं पर आधारित

रेटिंग स्नैपशॉट

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3 सितारे
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2 सितारे
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सभी समीक्षाएँ

J
Jacques
France Oct 8.2025
सहायक (1)
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: FBGA-200

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
2Gb F डाई DRAM मेमोरी चिप डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: बीजीए ， एफबीजीए

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
DDR3L X16 4Gb DRAM चिप औद्योगिक F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

माल सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सामान्य उद्देश्य पैकेजिंग: एफबीजीए-96

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना

कार्य तापमान: 95 ℃ (अधिकतम)
औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
के बारे में

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