8 Gbit 1.35V低電圧DDR3L SDRAM DRAMメモリチップ 1600MT/s速度 FBGA-96パッケージ

• 標準電圧: VDD および VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• 低電圧 (L): VDD および VDDQ = 1.35V + 0.1V、-0.067V - 1.5V との下位互換性
• 最大 933 MHz のシステム周波数による高速データ転送速度
• 同時動作のための 8 つの内部バンク
• 8nビットプリフェッチアーキテクチャ
• プログラム可能な CAS 遅延
• プログラム可能な追加レイテンシ: 0、CL-1、CL-2
• tCK に基づいたプログラム可能な CAS WRITE レイテンシー (CWL)
• プログラム可能なバースト長: 4 および 8
• プログラマブルバーストシーケンス: シーケンシャルまたはインターリーブ
• BLスイッチをオンザフライで切り替える
• 自動セルフリフレッシュ(ASR)
• セルフリフレッシュ温度(SRT)
• 更新間隔:
  7.8 μs (8192 サイクル/64 ms) Tc= -40 °C ～ 85 °C
  3.9 μs (8192 サイクル/32 ms) Tc= 85 °C ～ 95 °C
  1.95 μs (8192 サイクル/16 ms) Tc= 95 °C ～ 105 °C
  0.97 μs (8192 サイクル/8 ms) Tc= 105 °C ～ 115 °C
• 部分的なアレイのセルフリフレッシュ
• 非同期RESETピン
• TDQS (Termination Data Strobe) をサポート (x8 のみ)
• OCD (オフチップドライバーインピーダンス調整)
• ダイナミック ODT (オンダイ終端)
• ドライバ強度 : RZQ/7、RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
• ライトレベリング
• DLLオフモードで最大200MHz
• 動作温度:
  商用 (TC = 0°C ～ +95°C)
  産業用 (TC = -40°C ～ +95°C)
  自動車、A1 (TC = -40°C ～ +95°C)
  自動車、A2 (TC = -40°C ～ +105°C)
  自動車、A25 (TC = -40°C ～ +115°C)

• 構成：
  1Gx8
  512Mx16
• パッケージ：
  96 ボール BGA (10mm x 14mm)、x16 用
  78 ボール BGA (10mm x 14mm)、x8 用

標準的な輸出梱包が可能です。カートン、木製ケース、木製パレットからお客様のご要望に合わせてお選びいただけます。

通常、お問い合わせをいただいてから24時間以内（土日祝日を除く）にお見積りを提出させていただきます。お急ぎの価格リクエストについては、直接お問い合わせください。

少量のバッチの場合は通常 7 ～ 15 日以内に発送されますが、大量のバッチの注文の場合は、注文量や季節によっては約 30 日かかる場合があります。

出荷前に 30% のデポジットと 70% の残高を T/T 経由で支払う工場出荷時の価格です。

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