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Chip de memória DRAM SDRAM DDR3L de baixa tensão de 8 Gbit 1,35V com velocidade de 1600MT/s em pacote FBGA-96

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Chip de memória DRAM SDRAM DDR3L de baixa tensão de 8 Gbit 1,35V com velocidade de 1600MT/s em pacote FBGA-96

8 Gbit 1.35V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM Memory Chip with 1600MT/s Speed in FBGA-96 Package
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Detalhes do produto:
Lugar de origem: TWN
Marca: ISSI
Certificação: rohs
Número do modelo: IS43TR16512BL-125KBLI
Documento: 14145D47F0E03AFC5BD9E6112A3...AB.pdf
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: consult with
Detalhes da embalagem: T/R
Tempo de entrega: 5-8 dias
Habilidade da fonte: 100.000
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Chip de memória DRAM SDRAM DDR3L de baixa tensão de 8 Gbit 1,35V com velocidade de 1600MT/s em pacote FBGA-96

descrição
Categoria de produto:: Dram Tipo:: SDRAM - DDR3L
Tamanho da memória:: 8 Gbit Largura do ônibus de dados:: 16 bits
Frequência de pulso de disparo máxima:: 800 MHz Pacote/caso:: FBGA-96
Organização:: 512 M x 16 Tempo de acesso:: 20 ns
Destacar:

Chip de memória DRAM de 8 Gbit

,

SDRAM DDR3L de baixa tensão de 1

,

35V

IS43TR16512BL-125KBLI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT
CARACTERÍSTICAS
  • Tensão padrão: VDD e VDDQ = 1,5V ± 0,075V
  • Baixa tensão (L): VDD e VDDQ = 1,35V + 0,1V, -0,067V - Compatível com 1,5V
  • Taxas de transferência de dados de alta velocidade com frequência do sistema de até 933 MHz
  • 8 bancos internos para operação simultânea
  • Arquitetura de pré-busca de 8n bits
  • Latência CAS programável
  • Latência Aditiva Programável: 0, CL-1, CL-2
  • Latência de ESCRITA CAS programável (CWL) com base em tCK
  • Comprimento de rajada programável: 4 e 8
  • Sequência de rajada programável: Sequencial ou Interleave
  • Troca BL em tempo real
  • Autorrefrigeração (ASR)
  • Temperatura de autorrefrigeração (SRT)
  • Intervalo de atualização:
    7,8 µs (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
    3,9 µs (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 95°C
    1,95 µs (8192 ciclos/16 ms) Tc= 95°C a 105°C
    0,97 µs (8192 ciclos/8 ms) Tc= 105°C a 115°C
  • Autorrefrigeração parcial da matriz
  • Pino RESET assíncrono
  • TDQS (Strobe de Dados de Terminação) suportado (apenas x8)
  • OCD (Ajuste de Impedância do Driver Fora do Chip)
  • ODT dinâmico (Terminação On-Die)
  • Força do driver: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
  • Nivelamento de escrita
  • Até 200 MHz no modo DLL desligado
  • Temperatura de operação:
    Comercial (TC = 0°C a +95°C)
    Industrial (TC = -40°C a +95°C)
    Automotivo, A1 (TC = -40°C a +95°C)
    Automotivo, A2 (TC = -40°C a +105°C)
    Automotivo, A25 (TC = -40°C a +115°C)
OPÇÕES
  • Configuração:
    1Gx8
    512Mx16
  • Pacote:
    BGA de 96 esferas (10 mm x 14 mm) para x16
    BGA de 78 esferas (10 mm x 14 mm) para x8
TABELA DE ENDEREÇOS
Parâmetro 1Gx8 512Mx16
Endereçamento de linha A0-A15 A0-A15
Endereçamento de coluna A0-A9, A11 A0-A9
Endereçamento de banco BA0-2 BA0-2
Tamanho da página 2KB 2KB
Endereçamento de pré-carga automática A10/AP A10/AP
Troca BL em tempo real A12/BC# A12/BC#

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Embalagem e envio

Embalagem de exportação padrão disponível. Os clientes podem escolher entre caixas de papelão, caixas de madeira e paletes de madeira de acordo com suas necessidades.

Perguntas frequentes
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5.0
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Todos os comentários

J
Jacques
France Oct 8.2025
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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Pessoa de Contato: Mr. Sun

Telefone: +8618824255380

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