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Chip de memoria DRAM SDRAM DDR3L de bajo voltaje de 8 Gbit a 1,35 V con velocidad de 1600 MT/s en paquete FBGA-96

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Chip de memoria DRAM SDRAM DDR3L de bajo voltaje de 8 Gbit a 1,35 V con velocidad de 1600 MT/s en paquete FBGA-96

8 Gbit 1.35V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM Memory Chip with 1600MT/s Speed in FBGA-96 Package
8 Gbit 1.35V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM Memory Chip with 1600MT/s Speed in FBGA-96 Package 8 Gbit 1.35V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM Memory Chip with 1600MT/s Speed in FBGA-96 Package 8 Gbit 1.35V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM Memory Chip with 1600MT/s Speed in FBGA-96 Package

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Datos del producto:
Lugar de origen: El TWN
Nombre de la marca: ISSI
Certificación: rohs
Número de modelo: Se aplicarán las siguientes medidas:
Documento: 14145D47F0E03AFC5BD9E6112A3...AB.pdf
Pago y Envío Términos:
Cantidad de orden mínima: 1
Precio: consult with
Detalles de empaquetado: T/R
Tiempo de entrega: 5-8 días
Capacidad de la fuente: 100000
Contacto

Chip de memoria DRAM SDRAM DDR3L de bajo voltaje de 8 Gbit a 1,35 V con velocidad de 1600 MT/s en paquete FBGA-96

descripción
Categoría de producto:: Dracma Tipo:: SDRAM-DDR3L
Tamaño de la memoria:: 8 GB Ancho del bus de datos:: 16 bits
Frecuencia máxima de reloj:: 800 MHz Paquete/caso:: FBGA-96
Organizaciones:: 512 M x 16 Tiempo de acceso:: 20 ns
Resaltar:

Chip de memoria DRAM de 8 Gbit

,

SDRAM DDR3L de bajo voltaje de 1

,

35 V

IS43TR16512BL-125KBLI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT
CARACTERÍSTICAS
  • Voltaje estándar: VDD y VDDQ = 1.5V ± 0.075V
  • Bajo voltaje (L): VDD y VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V - Compatible con 1.5V
  • Altas velocidades de transferencia de datos con una frecuencia del sistema de hasta 933 MHz
  • 8 bancos internos para operación concurrente
  • Arquitectura de pre-fetch de 8n-Bit
  • Latencia CAS programable
  • Latencia Aditiva Programable: 0, CL-1, CL-2
  • Latencia de ESCRITURA CAS programable (CWL) basada en tCK
  • Longitud de ráfaga programable: 4 y 8
  • Secuencia de ráfaga programable: Secuencial o Intercalada
  • Cambio de BL sobre la marcha
  • Autorrefresco (ASR)
  • Temperatura de autorrefresco (SRT)
  • Intervalo de refresco:
    7.8 µs (8192 ciclos/64 ms) Tc= -40°C a 85°C
    3.9 µs (8192 ciclos/32 ms) Tc= 85°C a 95°C
    1.95 µs (8192 ciclos/16 ms) Tc= 95°C a 105°C
    0.97 µs (8192 ciclos/8 ms) Tc= 105°C a 115°C
  • Autorrefresco parcial de matriz
  • Pin de RESET asíncrono
  • TDQS (Strobe de datos de terminación) soportado (solo x8)
  • OCD (Ajuste de impedancia del controlador fuera del chip)
  • ODT dinámico (Terminación en el chip)
  • Fuerza del controlador: RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
  • Nivelación de escritura
  • Hasta 200 MHz en modo DLL desactivado
  • Temperatura de funcionamiento:
    Comercial (TC = 0°C a +95°C)
    Industrial (TC = -40°C a +95°C)
    Automotriz, A1 (TC = -40°C a +95°C)
    Automotriz, A2 (TC = -40°C a +105°C)
    Automotriz, A25 (TC = -40°C a +115°C)
OPCIONES
  • Configuración:
    1Gx8
    512Mx16
  • Paquete:
    BGA de 96 bolas (10 mm x 14 mm) para x16
    BGA de 78 bolas (10 mm x 14 mm) para x8
TABLA DE DIRECCIONES
Parámetro 1Gx8 512Mx16
Direccionamiento de fila A0-A15 A0-A15
Direccionamiento de columna A0-A9, A11 A0-A9
Direccionamiento de banco BA0-2 BA0-2
Tamaño de página 2KB 2KB
Direccionamiento de precarga automática A10/AP A10/AP
Cambio de BL sobre la marcha A12/BC# A12/BC#

Chip de memoria DRAM SDRAM DDR3L de bajo voltaje de 8 Gbit a 1,35 V con velocidad de 1600 MT/s en paquete FBGA-96 Chip de memoria DRAM SDRAM DDR3L de bajo voltaje de 8 Gbit a 1,35 V con velocidad de 1600 MT/s en paquete FBGA-96 Chip de memoria DRAM SDRAM DDR3L de bajo voltaje de 8 Gbit a 1,35 V con velocidad de 1600 MT/s en paquete FBGA-96

Embalaje y envío

Embalaje de exportación estándar disponible. Los clientes pueden elegir entre cajas de cartón, cajas de madera y palés de madera según sus requisitos.

Preguntas frecuentes
¿Cómo obtener el precio?

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¿Cuál es su tiempo de entrega?

Los lotes pequeños suelen enviarse en un plazo de 7 a 15 días, mientras que los pedidos de lotes grandes pueden requerir aproximadamente 30 días, según la cantidad del pedido y la temporada.

¿Cuáles son sus condiciones de pago?

Precio de fábrica con un depósito del 30% y el pago del saldo del 70% a través de T/T antes del envío.

¿Cuáles son las opciones de envío?

Los métodos de envío disponibles incluyen transporte marítimo, transporte aéreo y entrega urgente (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Confirme su método preferido antes de realizar el pedido.

etiqueta:

el chip del dram,

grano de fresa,

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Persona de Contacto: Mr. Sun

Teléfono: +8618824255380

Envíe su pregunta directamente a nosotros (0 / 3000)

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