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8 Gbit 1,35V à basse tension DDR3L SDRAM DRAM puce de mémoire avec 1600MT/s Vitesse dans FBGA-96 Package

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8 Gbit 1,35V à basse tension DDR3L SDRAM DRAM puce de mémoire avec 1600MT/s Vitesse dans FBGA-96 Package

8 Gbit 1.35V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM Memory Chip with 1600MT/s Speed in FBGA-96 Package
8 Gbit 1.35V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM Memory Chip with 1600MT/s Speed in FBGA-96 Package 8 Gbit 1.35V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM Memory Chip with 1600MT/s Speed in FBGA-96 Package 8 Gbit 1.35V Low Voltage DDR3L SDRAM DRAM Memory Chip with 1600MT/s Speed in FBGA-96 Package

Image Grand :  8 Gbit 1,35V à basse tension DDR3L SDRAM DRAM puce de mémoire avec 1600MT/s Vitesse dans FBGA-96 Package

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: TWN
Nom de marque: ISSI
Certification: rohs
Numéro de modèle: Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de qualité supérieure.
Documents: 14145D47F0E03AFC5BD9E6112A3...AB.pdf
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: consult with
Détails d'emballage: R/R
Délai de livraison: 5-8 jours
Capacité d'approvisionnement: 100000
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8 Gbit 1,35V à basse tension DDR3L SDRAM DRAM puce de mémoire avec 1600MT/s Vitesse dans FBGA-96 Package

description de
Catégorie de produit :: Drachme Taper:: SDRAM-DDR3L
Taille de mémoire:: 8 Go Largeur du bus de données :: 16 bits
Fréquence d'horloge maximale :: 800 MHz Paquet/cas :: FBGA-96
Organisation du projet: 512 M X 16 Temps d' accès:: 20 ns
Mettre en évidence:

Puce de mémoire DRAM de 8 Gbit

,

1.35V SDRAM à basse tension DDR3L

,

1600 MT/s mémoire FBGA-96

IS43TR16512BL-125KBLI DRAM DDR3 8G 1.35V 512Mx16 1600MT/s IT
CARACTÉRISTIQUES
  • Tension standard : VDD et VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
  • Basse tension (L) : VDD et VDDQ = 1,35 V + 0,1 V, -0,067 V - Compatible avec 1,5 V
  • Taux de transfert de données à haute vitesse avec une fréquence système allant jusqu'à 933 MHz
  • 8 banques internes pour un fonctionnement simultané
  • Architecture de pré-extraction 8n-Bit
  • Latence CAS programmable
  • Latence additive programmable : 0, CL-1, CL-2
  • Latence d'écriture CAS (CWL) programmable basée sur tCK
  • Longueur de rafale programmable : 4 et 8
  • Séquence de rafale programmable : Séquentielle ou Entrelacée
  • Commutation BL à la volée
  • Auto-rafraîchissement (ASR)
  • Température d'auto-rafraîchissement (SRT)
  • Intervalle de rafraîchissement :
    7,8 µs (8192 cycles/64 ms) Tc= -40°C à 85°C
    3,9 µs (8192 cycles/32 ms) Tc= 85°C à 95°C
    1,95 µs (8192 cycles/16 ms) Tc= 95°C à 105°C
    0,97 µs (8192 cycles/8 ms) Tc= 105°C à 115°C
  • Auto-rafraîchissement partiel de la matrice
  • Broche RESET asynchrone
  • TDQS (Termination Data Strobe) pris en charge (x8 uniquement)
  • OCD (Réglage de l'impédance du pilote hors puce)
  • ODT dynamique (Terminaison sur puce)
  • Force du pilote : RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240 Ω)
  • Write Leveling
  • Jusqu'à 200 MHz en mode DLL désactivé
  • Température de fonctionnement :
    Commercial (TC = 0°C à +95°C)
    Industriel (TC = -40°C à +95°C)
    Automobile, A1 (TC = -40°C à +95°C)
    Automobile, A2 (TC = -40°C à +105°C)
    Automobile, A25 (TC = -40°C à +115°C)
OPTIONS
  • Configuration :
    1Gx8
    512Mx16
  • Paquet :
    BGA à 96 billes (10 mm x 14 mm) pour x16
    BGA à 78 billes (10 mm x 14 mm) pour x8
TABLE D'ADRESSES
Paramètre 1Gx8 512Mx16
Adressage des lignes A0-A15 A0-A15
Adressage des colonnes A0-A9, A11 A0-A9
Adressage des banques BA0-2 BA0-2
Taille de la page 2 Ko 2 Ko
Adressage de précharge automatique A10/AP A10/AP
Commutation BL à la volée A12/BC# A12/BC#

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Emballage et expédition

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Toutes les critiques

J
Jacques
France Oct 8.2025
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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Personne à contacter: Mr. Sun

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