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| परिचालन तापमान: | 0℃~+95℃ | ऑपरेटिंग वोल्टेज: | 1.425V~1.575V |
|---|---|---|---|
| मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप): | डीडीआर3 एसडीआरएएम | भंडारण क्षमता: | 2जीबीआईटी |
| घड़ी की आवृत्ति (एफसी): | 800 मेगाहर्ट्ज | ऑपरेटिंग करंट: | 49एमए |
| प्रमुखता देना: | 2Gb DDR3 SDRAM मेमोरी चिप,X4 X8 X16 DDR3 SDRAM,MT41J128M16JT-125K DRAM चिप |
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| पैरामीटर | 512 मेगा × 4 | 256 मेगाग्राम x 8 | 128 मेगाग्राम x 16 |
|---|---|---|---|
| विन्यास | 64 मेग x 4 x 8 बैंक | 32 मेगा x 8 x 8 बैंक | 16 मेग x 16 x 8 बैंक |
| ताज़ा करने की संख्या | 8K | 8K | 8K |
| पंक्ति सम्बोधन | 32K (A[14:0]) | 32K (A[14:0]) | 16K (A[13:0]) |
| बैंक पते | 8 (BA[2:0]) | 8 (BA[2:0]) | 8 (BA[2:0]) |
| स्तंभ सम्बोधन | 2K (A[11, 9:0]) | 1K (A[9:0]) | 1K (A[9:0]) |
| पृष्ठ का आकार | 1KB | 1KB | 2KB |
व्यक्ति से संपर्क करें: Mr. Sun
दूरभाष: +8618824255380
