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MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

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उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: micron
प्रमाणन: rohs
मॉडल संख्या: MT41K256M16TW-107:P
दस्तावेज: C253882_073A45851B86D33155E...61.pdf
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: consult with
पैकेजिंग विवरण: टी/आर
प्रसव के समय: 5-8 दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000
संपर्क करें

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

वर्णन
परिचालन तापमान: 0℃~+95℃ ऑपरेटिंग वोल्टेज: 1.283V~1.45V
मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप): डीडीआर3एल एसडीआरएएम भंडारण क्षमता: 4 जीबीटी
घड़ी की आवृत्ति (एफसी): 933 मेगाहर्ट्ज ऑपरेटिंग करंट: 32mA
प्रमुखता देना:

4Gb DDR3L SDRAM मेमोरी चिप

,

933MHz DDR3L DRAM चिप

,

x16 DDR3L SDRAM वारंटी के साथ

MT41K256M16TW-107:P 4Gb DDR3L SDRAM
x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit मेमोरी मॉड्यूल
उत्पाद का अवलोकन
डीडीआर3एल एसडीआरएएम (1.35 वी) डीडीआर3 (1.5 वी) एसडीआरएएम का एक कम वोल्टेज संस्करण है। 1.5 वी संगत मोड में चलने पर डीडीआर3 (1.5 वी) एसडीआरएएम (डीई रेवः ई) डेटा शीट विनिर्देशों का संदर्भ लें।
मेमोरी विन्यास
MT41K1G4 - 128 Meg x 4 x 8 बैंक
MT41K512M8 - 64 मेगा x 8 x 8 बैंक
MT41K256M16 - 32 मेग x 16 x 8 बैंक
प्रमुख विशेषताएं
  • VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
  • VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V के लिए पिछड़े संगत
  • 1.5V अनुप्रयोगों में पिछड़े संगत होने के लिए DDR3L उपकरणों का समर्थन करता है
  • अंतर द्विदिशात्मक डेटा स्ट्रोब
  • 8n-बिट प्रीफेच आर्किटेक्चर
  • अंतर घड़ी इनपुट (CK, CK#)
  • 8 आंतरिक बैंक
  • डेटा, स्ट्रॉबेरी और मास्क संकेतों के लिए नाममात्र और गतिशील ऑन-ड्राई समाप्ति (ODT)
  • प्रोग्राम करने योग्य सीएएस (रीड) विलंबता (सीएल)
  • प्रोग्राम करने योग्य पोस्ट किए गए सीएएस एडिटिव लेटेंसी (एएल)
  • प्रोग्राम करने योग्य CAS (WRITE) विलंबता (CWL)
  • फिक्स्ड फट लंबाई (BL) 8 और फट काट (BC) 4 (मोड रजिस्टर सेट [MRS] के माध्यम से)
  • चयन योग्य बीसी4 या बीएल8 ऑन द फ्लाई (ओटीएफ)
  • स्वतः ताज़ा मोड
  • 105°C का टीसी
  • 64ms, 8192 चक्र 85°C तक ताज़ा करें
  • 32ms, 8192-चक्र ताज़ा > 85°C से 95°C पर
  • 16ms, 8192-चक्र ताज़ा> 95°C से 105°C पर
गति श्रेणी के विनिर्देश
गति ग्रेड डेटा दर (MT/s) लक्ष्य tRCD-tRP-CL tRCD (ns) tRP (ns) CL (ns)
-093 1, 2 2133 14-14-14 13.09 13.09 13.09
-१०७ १ १८६६ 13-13-13 13.91 13.91 13.91
-125 1600 11-11-11 13.75 13.75 13.75
उत्पाद चित्र
MT41K256M16TW-107:P DDR3L SDRAM component view MT41K256M16TW-107:P DDR3L SDRAM technical specifications MT41K256M16TW-107:P DDR3L SDRAM packaging and dimensions
पैकेजिंग और शिपिंग
मानक निर्यात पैकेजिंग उपलब्ध है। ग्राहक अपनी आवश्यकताओं के अनुसार कार्टन, लकड़ी के मामले और लकड़ी के पैलेट से चुन सकते हैं।
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
कीमत कैसे प्राप्त करें?
हम आम तौर पर आपकी पूछताछ प्राप्त करने के 24 घंटे के भीतर उद्धरण प्रदान करते हैं (सप्ताह के अंत और छुट्टियों को छोड़कर) । तत्काल मूल्य निर्धारण अनुरोधों के लिए, कृपया हमसे सीधे संपर्क करें।
आपकी डिलीवरी का समय क्या है?
छोटे बैच आमतौर पर 7-15 दिनों के भीतर जहाज करते हैं, जबकि बड़े बैच ऑर्डर के लिए ऑर्डर की मात्रा और मौसम के आधार पर लगभग 30 दिनों की आवश्यकता हो सकती है।
आपकी भुगतान शर्तें क्या हैं?
शिपमेंट से पहले टी/टी के माध्यम से 30% जमा और 70% शेष भुगतान के साथ फैक्टरी मूल्य निर्धारण।
शिपिंग के क्या विकल्प हैं?
उपलब्ध शिपिंग विधियों में समुद्री माल ढुलाई, हवाई माल ढुलाई और एक्सप्रेस डिलीवरी (ईएमएस, यूपीएस, डीएचएल, टीएनटी, फेडेक्स) शामिल हैं। कृपया ऑर्डर करने से पहले अपनी पसंदीदा विधि की पुष्टि करें।

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सम्पर्क करने का विवरण
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

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दूरभाष: +8618824255380

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: FBGA-200

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
2Gb F डाई DRAM मेमोरी चिप डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: बीजीए ， एफबीजीए

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
DDR3L X16 4Gb DRAM चिप औद्योगिक F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

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माल सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सामान्य उद्देश्य पैकेजिंग: एफबीजीए-96

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना

कार्य तापमान: 95 ℃ (अधिकतम)
औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
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