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MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

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उत्पाद विवरण:
उत्पत्ति के प्लेस: सीएन
ब्रांड नाम: micron
प्रमाणन: rohs
मॉडल संख्या: MT41K256M16TW-107:P
दस्तावेज: C253882_073A45851B86D33155E...61.pdf
भुगतान & नौवहन नियमों:
न्यूनतम आदेश मात्रा: 1
मूल्य: consult with
पैकेजिंग विवरण: टी/आर
प्रसव के समय: 5-8 दिन
भुगतान शर्तें: टी/टी, वेस्टर्न यूनियन
आपूर्ति की क्षमता: 100000
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MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

वर्णन
परिचालन तापमान: 0℃~+95℃ ऑपरेटिंग वोल्टेज: 1.283V~1.45V
मेमोरी आर्किटेक्चर (प्रारूप): डीडीआर3एल एसडीआरएएम भंडारण क्षमता: 4 जीबीटी
घड़ी की आवृत्ति (एफसी): 933 मेगाहर्ट्ज ऑपरेटिंग करंट: 32mA
प्रमुखता देना:

4Gb DDR3L SDRAM memory chip

,

933MHz DDR3L DRAM chip

,

x16 DDR3L SDRAM with warranty

MT41K256M16TW-107:P 4Gb DDR3L SDRAM
x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit Memory Module
Product Overview
DDR3L SDRAM (1.35V) is a low voltage version of the DDR3 (1.5V) SDRAM. Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) data sheet specifications when running in 1.5V compatible mode.
Memory Configurations
MT41K1G4 - 128 Meg x 4 x 8 banks
MT41K512M8 - 64 Meg x 8 x 8 banks
MT41K256M16 - 32 Meg x 16 x 8 banks
Key Features
  • VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
  • Backward compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
  • Supports DDR3L devices to be backward compatible in 1.5V applications
  • Differential bidirectional data strobe
  • 8n-bit prefetch architecture
  • Differential clock inputs (CK, CK#)
  • 8 internal banks
  • Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
  • Programmable CAS (READ) latency (CL)
  • Programmable posted CAS additive latency (AL)
  • Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
  • Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS])
  • Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
  • Self refresh mode
  • TC of 105°C
  • 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C
  • 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C
  • 16ms, 8192-cycle refresh at >95°C to 105°C
Speed Grade Specifications
Speed Grade Data Rate (MT/s) Target tRCD-tRP-CL tRCD (ns) tRP (ns) CL (ns)
-093 1, 2 2133 14-14-14 13.09 13.09 13.09
-107 1 1866 13-13-13 13.91 13.91 13.91
-125 1600 11-11-11 13.75 13.75 13.75
Product Images
MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit 0 MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit 1 MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit 2
Packaging & Shipping
Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their requirements.
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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: FBGA-200

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
2Gb F डाई DRAM मेमोरी चिप डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: बीजीए ， एफबीजीए

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
DDR3L X16 4Gb DRAM चिप औद्योगिक F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

512MB 16बिट DRAM मेमोरी चिप 1.575V FBGA-96 H5TQ4G63EFR-RDC

माल सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सामान्य उद्देश्य पैकेजिंग: एफबीजीए-96

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना

कार्य तापमान: 95 ℃ (अधिकतम)
औद्योगिक DRAM मेमोरी चिप DDR3l DDR3L X16 2Gb F60C1A0002-M69W

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उत्पाद सूची: मेमोरी> डायनेमिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (DRAM)

सार्वभौमिक पैकेजिंग: एफबीजीए-96

RoHS: अनुपालन

स्थापित करने की विधि: भूतल माउंट स्थापना
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