Побеседуйте теперь |
Главная страница ПродукцияМикросхема памяти ДРАХМЫ

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

Все продукты

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

(42)

Блок микроконтроллера MCU

(44)

Система SOC на чипе

(17)

IC MPU

(11)

CPLD PLD

(9)

Инфракрасный тепловой детектор

(2)

Обломок DSP IC

(12)

Микросхема памяти ДРАХМЫ

(14)

обломок eeprom

(70)

PSRAM Chip

(5)

Чип SRAM

(18)

Никакой вспышки

(51)

Микросхема EPROM

(7)

UART IC

(8)

ADC DAC

(50)

Радиочастотные интегральные схемы

(11)

Литий-ионная батарея

(22)

Программирование ПЛК

(15)

Модуль GPS

(9)

Радиочастотный модуль

(9)

Модуль питания

(17)

Полупроводниковое реле

(11)

Антенна связи

(3)

Разъем

(8)

Фил -фишек управления питанием

(13)
Оставьте нам сообщение

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit
MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

Большие изображения :  MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

Подробная информация о продукте:
Место происхождения: Китай
Фирменное наименование: micron
Сертификация: rohs
Номер модели: МТ41К256М16ТВ-107:П
Документ: C253882_073A45851B86D33155E...61.pdf
Оплата и доставка Условия:
Количество мин заказа: 1
Цена: consult with
Упаковывая детали: Т/Р
Время доставки: 5-8 дней
Условия оплаты: Т/Т, Вестерн Юнион
Поставка способности: 100000
контакт Побеседуйте теперь

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

описание
Рабочая температура: 0℃~+95℃ Рабочее напряжение: 1,283 В~1,45 В
Архитектура памяти (формат): DDR3L SDRAM Емкость хранения: 4Gbit
Тактовая частота (fc): 933MHz Рабочий ток: 32 мА
Выделить:

4Gb DDR3L SDRAM memory chip

,

933MHz DDR3L DRAM chip

,

x16 DDR3L SDRAM with warranty

MT41K256M16TW-107:P 4Gb DDR3L SDRAM
x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit Memory Module
Product Overview
DDR3L SDRAM (1.35V) is a low voltage version of the DDR3 (1.5V) SDRAM. Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) data sheet specifications when running in 1.5V compatible mode.
Memory Configurations
MT41K1G4 - 128 Meg x 4 x 8 banks
MT41K512M8 - 64 Meg x 8 x 8 banks
MT41K256M16 - 32 Meg x 16 x 8 banks
Key Features
  • VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
  • Backward compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
  • Supports DDR3L devices to be backward compatible in 1.5V applications
  • Differential bidirectional data strobe
  • 8n-bit prefetch architecture
  • Differential clock inputs (CK, CK#)
  • 8 internal banks
  • Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
  • Programmable CAS (READ) latency (CL)
  • Programmable posted CAS additive latency (AL)
  • Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
  • Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS])
  • Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
  • Self refresh mode
  • TC of 105°C
  • 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C
  • 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C
  • 16ms, 8192-cycle refresh at >95°C to 105°C
Speed Grade Specifications
Speed Grade Data Rate (MT/s) Target tRCD-tRP-CL tRCD (ns) tRP (ns) CL (ns)
-093 1, 2 2133 14-14-14 13.09 13.09 13.09
-107 1 1866 13-13-13 13.91 13.91 13.91
-125 1600 11-11-11 13.75 13.75 13.75
Product Images
MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit 0 MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit 1 MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit 2
Packaging & Shipping
Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their requirements.
Frequently Asked Questions
How to obtain the price?
We typically provide quotations within 24 hours of receiving your inquiry (excluding weekends and holidays). For urgent pricing requests, please contact us directly.
What is your delivery time?
Small batches typically ship within 7-15 days, while large batch orders may require approximately 30 days depending on order quantity and season.
What are your payment terms?
Factory pricing with 30% deposit and 70% balance payment via T/T before shipment.
What are the shipping options?
Available shipping methods include sea freight, air freight, and express delivery (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Please confirm your preferred method before ordering.

тег:

Драм чип,

чип-драм,

Микросхемы памяти драхмы

Контактная информация
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Контактное лицо: Mr. Sun

Телефон: +8618824255380

Оставьте вашу заявку (0 / 3000)

Другие продукты
FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

FBGA-200 микросхема памяти DRAM 8 Гбит X16 X2 канала LPDDR4X IS43LQ32256B-062BLI

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: FBGA-200

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Микросхема памяти DRAM 2 ГБ F Die Dynamic Random Access Memory DDR3 X16 K4B2G1646F-BCMA

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: BGA, FBGA

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

DDR3L X16 4 Гбит DRAM чип промышленный F60C1A0004-M7 F60C1A0004-M79W

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: ФБГА-96

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Микросхема памяти DRAM 512 МБ, 16 бит, 1,575 В, FBGA-96, H5TQ4G63EFR-RDC

Каталог товаров: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Оборудование общего назначения: ФБГА-96

Способ установки: Установка поверхностного монтажа

Рабочая температура: 95°C (макс.)
Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Промышленный чип памяти DRAM DDR3l DDR3L X16 2 Гбит F60C1A0002-M69W

Каталог продукта: Память > Динамическая память случайного доступа (DRAM)

Универсальная упаковка: ФБГА-96

ROHS: Соответствие

Способ установки: Установка поверхностного монтажа
около

Блок микроконтроллера MCU

UART SPI MCU Микроконтроллер Arm Cortex-A35 Микропроцессорный чип MA35D16F887C

Atmel 8-разрядный микроконтроллер (MCU) с памятью Flash 16-32 Кбайт, программируемой ATMEGA168PA-AU

128kB 8-битный микроконтроллер MCU AVR Core Microcomputer Chip ATMEGA128A-AU

FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив)

XC7A75T-2FGG484I 75520LE 11800ALM CPLD Полевое программируемое устройство Логический массив

XC6SLX9-2CSG324I 9152LE 200I/O Field Gate Array Field Programmable Array Logic Device Chip (Чип с программируемым полевым массивом)

XC7Z020-2CLG484I 2 X 32 KB Cpld чипы Программируемые логические чипы 85000LE

Оставить сообщение

политика конфиденциальности | Китай хороший Качество FPGA Field Programmable Gate Array (ФПГА полевой программируемый портальный массив) поставщик. © 2025 - 2026 Shenzhen Filetti Technology Co., LTD. All Rights Reserved.