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MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

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MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit
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Image Grand :  MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: micron
Certification: rohs
Numéro de modèle: MT41K256M16TW-107:P
Documents: C253882_073A45851B86D33155E...61.pdf
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: consult with
Détails d'emballage: T/R
Délai de livraison: 5-8 jours
Conditions de paiement: T/T, Union occidentale
Capacité d'approvisionnement: 100000
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MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

description de
Température de fonctionnement: 0℃~+95℃ Tension de fonctionnement: 1,283 V ~ 1,45 V
Architecture mémoire (format): DDR3L SDRAM Capacité de stockage: 4Gbit
Fréquence du signal d'horloge (fc): 933MHz Courant de fonctionnement: 32mA
Mettre en évidence:

4Gb DDR3L SDRAM memory chip

,

933MHz DDR3L DRAM chip

,

x16 DDR3L SDRAM with warranty

MT41K256M16TW-107:P 4Gb DDR3L SDRAM
x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit Memory Module
Product Overview
DDR3L SDRAM (1.35V) is a low voltage version of the DDR3 (1.5V) SDRAM. Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) data sheet specifications when running in 1.5V compatible mode.
Memory Configurations
MT41K1G4 - 128 Meg x 4 x 8 banks
MT41K512M8 - 64 Meg x 8 x 8 banks
MT41K256M16 - 32 Meg x 16 x 8 banks
Key Features
  • VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
  • Backward compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
  • Supports DDR3L devices to be backward compatible in 1.5V applications
  • Differential bidirectional data strobe
  • 8n-bit prefetch architecture
  • Differential clock inputs (CK, CK#)
  • 8 internal banks
  • Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
  • Programmable CAS (READ) latency (CL)
  • Programmable posted CAS additive latency (AL)
  • Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
  • Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS])
  • Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
  • Self refresh mode
  • TC of 105°C
  • 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C
  • 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C
  • 16ms, 8192-cycle refresh at >95°C to 105°C
Speed Grade Specifications
Speed Grade Data Rate (MT/s) Target tRCD-tRP-CL tRCD (ns) tRP (ns) CL (ns)
-093 1, 2 2133 14-14-14 13.09 13.09 13.09
-107 1 1866 13-13-13 13.91 13.91 13.91
-125 1600 11-11-11 13.75 13.75 13.75
Product Images
MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit 0 MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit 1 MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit 2
Packaging & Shipping
Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their requirements.
Frequently Asked Questions
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Produit Tag:

éclaboussure de dram,

délicieux,

Puces de mémoire de drachme

Coordonnées
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Personne à contacter: Mr. Sun

Téléphone: +8618824255380

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