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MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

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MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit
MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

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제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: micron
인증: rohs
모델 번호: MT41K256M16TW-107:P
문서: C253882_073A45851B86D33155E...61.pdf
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: consult with
포장 세부 사항: T/R
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, 서부 동맹
공급 능력: 100000
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MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

설명
작동 온도: 0℃~+95℃ 작동 전압: 1.283V~1.45V
메모리 아키텍처(형식): DDR3L SDRAM 저장 용량: 4Gbit
클럭 주파수 (fc): 933MHz 작동 전류: 32mA
강조하다:

4Gb DDR3L SDRAM memory chip

,

933MHz DDR3L DRAM chip

,

x16 DDR3L SDRAM with warranty

MT41K256M16TW-107:P 4Gb DDR3L SDRAM
x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit Memory Module
Product Overview
DDR3L SDRAM (1.35V) is a low voltage version of the DDR3 (1.5V) SDRAM. Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) data sheet specifications when running in 1.5V compatible mode.
Memory Configurations
MT41K1G4 - 128 Meg x 4 x 8 banks
MT41K512M8 - 64 Meg x 8 x 8 banks
MT41K256M16 - 32 Meg x 16 x 8 banks
Key Features
  • VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
  • Backward compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
  • Supports DDR3L devices to be backward compatible in 1.5V applications
  • Differential bidirectional data strobe
  • 8n-bit prefetch architecture
  • Differential clock inputs (CK, CK#)
  • 8 internal banks
  • Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
  • Programmable CAS (READ) latency (CL)
  • Programmable posted CAS additive latency (AL)
  • Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
  • Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS])
  • Selectable BC4 or BL8 on-the-fly (OTF)
  • Self refresh mode
  • TC of 105°C
  • 64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C
  • 32ms, 8192-cycle refresh at >85°C to 95°C
  • 16ms, 8192-cycle refresh at >95°C to 105°C
Speed Grade Specifications
Speed Grade Data Rate (MT/s) Target tRCD-tRP-CL tRCD (ns) tRP (ns) CL (ns)
-093 1, 2 2133 14-14-14 13.09 13.09 13.09
-107 1 1866 13-13-13 13.91 13.91 13.91
-125 1600 11-11-11 13.75 13.75 13.75
Product Images
MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit 0 MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit 1 MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit 2
Packaging & Shipping
Standard export packaging available. Customers can choose from cartons, wooden cases, and wooden pallets according to their requirements.
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연락처 세부 사항
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