제품 소개DRAM 메모리는 자릅니다

MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

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MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

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제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: micron
인증: rohs
모델 번호: MT41K256M16TW-107:P
문서: C253882_073A45851B86D33155E...61.pdf
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: 1
가격: consult with
포장 세부 사항: T/R
배달 시간: 5~8일
지불 조건: T/T, 서부 동맹
공급 능력: 100000
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MT41K256M16TW-107:P 4Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit

설명
작동 온도: 0℃~+95℃ 작동 전압: 1.283V~1.45V
메모리 아키텍처(형식): DDR3L SDRAM 저장 용량: 4Gbit
클럭 주파수 (fc): 933MHz 작동 전류: 32mA
강조하다:

4GB DDR3L SDRAM 메모리 칩

,

933MHz DDR3L DRAM 칩

,

x16 DDR3L SDRAM (보증 포함)

MT41K256M16TW-107:P 4Gb DDR3L SDRAM
x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 933MHz 4Gbit 메모리 모듈
제품 개요
DDR3L SDRAM (1.35V)은 DDR3 (1.5V) SDRAM의 저전압 버전입니다. 1.5V 호환 모드에서 실행 시 DDR3 (1.5V) SDRAM (Die Rev :E) 데이터 시트 사양을 참조하십시오.
메모리 구성
MT41K1G4 - 128 메가 x 4 x 8 뱅크
MT41K512M8 - 64 메가 x 8 x 8 뱅크
MT41K256M16 - 32 메가 x 16 x 8 뱅크
주요 특징
  • VDD = VDDQ = 1.35V (1.283-1.45V)
  • VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V로 역호환 가능
  • DDR3L 장치가 1.5V 애플리케이션에서 역호환될 수 있도록 지원
  • 차동 양방향 데이터 스트로브
  • 8n-비트 프리페치 아키텍처
  • 차동 클럭 입력 (CK, CK#)
  • 8개의 내부 뱅크
  • 데이터, 스트로브 및 마스크 신호를 위한 명목 및 동적 온다이 종단 (ODT)
  • 프로그래밍 가능한 CAS (READ) 지연 시간 (CL)
  • 프로그래밍 가능한 포스트 CAS 추가 지연 시간 (AL)
  • 프로그래밍 가능한 CAS (WRITE) 지연 시간 (CWL)
  • 고정 버스트 길이 (BL) 8 및 버스트 찹 (BC) 4 (모드 레지스터 세트 [MRS]를 통해)
  • 온더플라이 (OTF)에서 BC4 또는 BL8 선택 가능
  • 자가 새로고침 모드
  • TC 105°C
  • 85°C까지 64ms, 8192 사이클 새로고침
  • >85°C ~ 95°C에서 32ms, 8192 사이클 새로고침
  • >95°C ~ 105°C에서 16ms, 8192 사이클 새로고침
속도 등급 사양
속도 등급 데이터 속도 (MT/s) 목표 tRCD-tRP-CL tRCD (ns) tRP (ns) CL (ns)
-093 1, 2 2133 14-14-14 13.09 13.09 13.09
-107 1 1866 13-13-13 13.91 13.91 13.91
-125 1600 11-11-11 13.75 13.75 13.75
제품 이미지
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포장 및 배송
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자주 묻는 질문
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전체 평점

5.0
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J
Jacques
France Oct 8.2025
La préparation de la commande a été rapide. La livraison a été fait à la date prévue. L'objet a été reçu bien emballer et en bon état. La condition de l'objet annoncé correspond à l'objet reçu. Le prix était réaliste. Je rachèterais de ce vendeur. Merci Beaucoup!
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