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MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

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MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM
MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

Grande immagine :  MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: micron
Certificazione: rohs
Numero di modello: MT41K128M16JT-125IT:K
Documento: C115792_1515654098100125849...99.pdf
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: consult with
Imballaggi particolari: T/R
Tempi di consegna: 5-8 giorni
Termini di pagamento: T/T, Unione Occidentale
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto Ora chiacchieri

MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

descrizione
Temperatura operativa: -40℃~+95℃ Tensione operativa: 1,283 V~1,45 V
Architettura della memoria (formato): DDR3L SDRAM Capacità di archiviazione: 2Gbit
Frequenza di clock (fc): 800 MHz Corrente operativa: 46mA
Evidenziare:

Chip di memoria DDR3L SDRAM da 2 GB

,

x16 DDR3L SDRAM con garanzia

,

MT41K128M16JT-125 chip IT:K DRAM

MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb DDR3L SDRAM
MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

Il dispositivo DDR3L SDRAM da 1,35V è una versione a bassa tensione del dispositivo DDR3 SDRAM da 1,5V. Questa soluzione di memoria offre retrocompatibilità con il funzionamento a 1,5V, fornendo al contempo un'efficienza energetica migliorata per le applicazioni moderne.
Configurazioni disponibili
• MT41K512M4 - 64 Meg x 4 x 8 banchi
• MT41K256M8 - 32 Meg x 8 x 8 banchi
• MT41K128M16 - 16 Meg x 16 x 8 banchi
Caratteristiche principali
  • VDD = VDDQ = 1,35V (1,283-1,45V)
  • Retrocompatibile con VDD = VDDQ = 1,5V ±0,075V
  • Strobe dati bidirezionale differenziale
  • Architettura prefetch 8n-bit
  • Ingressi clock differenziali (CK, CK#)
  • 8 banchi interni
  • Terminazione on-die (ODT) nominale e dinamica per segnali dati, strobe e maschera
  • Latenza programmabile CAS (READ) (CL)
  • Latenza additiva CAS posticipata programmabile (AL)
  • Latenza programmabile CAS (WRITE) (CWL)
  • Lunghezza burst fissa (BL) di 8 e burst chop (BC) di 4 tramite set di registri di modalità (MRS)
  • BC4 o BL8 selezionabile al volo (OTF)
  • Modalità auto-refresh
  • TC di 95°C - 64ms, refresh a 8192 cicli fino a 85°C
  • 32ms, refresh a 8192 cicli a >85°C fino a 95°C
  • Temperatura di auto-refresh (SRT)
Parametri tecnici
Parametro 512 Meg x 4 256 Meg x 8 128 Meg x 16
Configurazione 64 Meg x 4 x 8 banchi 32 Meg x 8 x 8 banchi 16 Meg x 16 x 8 banchi
Conteggio refresh 8K 8K 8K
Indirizzo di riga 32K A[14:0] 32K A[14:0] 16K A[13:0]
Indirizzo di banco 8 BA[2:0] 8 BA[2:0] 8 BA[2:0]
Indirizzo di colonna 2K A[11, 9:0] 1K A[9:0] 1K A[9:0]
MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 0 MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 1 MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 2
Imballaggio e spedizione
Imballaggio standard per l'esportazione disponibile. I clienti possono scegliere tra cartoni, casse di legno e pallet di legno in base ai loro requisiti specifici e alle preferenze di spedizione.
Domande frequenti
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Di solito forniamo preventivi entro 24 ore dalla ricezione della tua richiesta (esclusi fine settimana e festivi). Per richieste urgenti di prezzi, contattaci direttamente.
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I metodi di spedizione disponibili includono trasporto marittimo, trasporto aereo e spedizione espressa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Si prega di confermare il metodo preferito prima di ordinare.

Prodotto Tag:

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Chip di memoria di Dram

Dettagli di contatto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Persona di contatto: Mr. Sun

Telefono: +8618824255380

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