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MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

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MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM
MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

Image Grand :  MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: CN
Nom de marque: micron
Certification: rohs
Numéro de modèle: MT41K128M16JT-125 IT:K
Documents: C115792_1515654098100125849...99.pdf
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: consult with
Détails d'emballage: T/R
Délai de livraison: 5-8 jours
Conditions de paiement: T/T, Union occidentale
Capacité d'approvisionnement: 100000
Contact Causez Maintenant

MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

description de
Température de fonctionnement: -40 ℃ ~ + 95 ℃ Tension de fonctionnement: 1,283 V ~ 1,45 V
Architecture mémoire (format): DDR3L SDRAM Capacité de stockage: 2 Go
Fréquence du signal d'horloge (fc): 800 MHz Courant de fonctionnement: 46mA
Mettre en évidence:

Puce mémoire SDRAM DDR3L 2Gb

,

x16 DDR3L SDRAM avec garantie

,

MT41K128M16JT-125 puce DRAM IT:K

MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb DDR3L SDRAM
MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM

Le dispositif DDR3L SDRAM 1,35V est une version basse tension du dispositif DDR3 SDRAM 1,5V. Cette solution mémoire offre une compatibilité descendante avec le fonctionnement 1,5V tout en offrant une efficacité énergétique améliorée pour les applications modernes.
Configurations disponibles
• MT41K512M4 - 64 Még x 4 x 8 banques
• MT41K256M8 - 32 Még x 8 x 8 banques
• MT41K128M16 - 16 Még x 16 x 8 banques
Caractéristiques principales
  • VDD = VDDQ = 1,35V (1,283-1,45V)
  • Rétrocompatible avec VDD = VDDQ = 1,5V ±0,075V
  • Strobe de données bidirectionnel différentiel
  • Architecture de préextraction 8n bits
  • Entrées d'horloge différentielles (CK, CK#)
  • 8 banques internes
  • Terminaison nominale et dynamique sur puce (ODT) pour les signaux de données, de strobe et de masque
  • Latence de CAS (lecture) programmable (CL)
  • Latence additive CAS postée programmable (AL)
  • Latence de CAS (écriture) programmable (CWL)
  • Longueur de rafale fixe (BL) de 8 et découpage de rafale (BC) de 4 via le jeu de registres de mode (MRS)
  • BC4 ou BL8 sélectionnable à la volée (OTF)
  • Mode d'auto-rafraîchissement
  • TC de 95°C - 64 ms, rafraîchissement de 8192 cycles jusqu'à 85°C
  • 32 ms, rafraîchissement de 8192 cycles à >85°C jusqu'à 95°C
  • Température d'auto-rafraîchissement (SRT)
Paramètres techniques
Paramètre 512 Még x 4 256 Még x 8 128 Még x 16
Configuration 64 Még x 4 x 8 banques 32 Még x 8 x 8 banques 16 Még x 16 x 8 banques
Nombre de rafraîchissements 8K 8K 8K
Adresse de ligne 32K A[14:0] 32K A[14:0] 16K A[13:0]
Adresse de banque 8 BA[2:0] 8 BA[2:0] 8 BA[2:0]
Adresse de colonne 2K A[11, 9:0] 1K A[9:0] 1K A[9:0]
MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 0 MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 1 MT41K128M16JT-125 IT:K 2Gb: x4 x8 x16 DDR3L SDRAM 2
Emballage et expédition
Emballage d'exportation standard disponible. Les clients peuvent choisir parmi des cartons, des caisses en bois et des palettes en bois selon leurs exigences spécifiques et leurs préférences d'expédition.
Questions fréquemment posées
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Prix usine avec un acompte de 30 % et un solde de 70 % par T/T avant expédition.
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éclaboussure de dram,

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Puces de mémoire de drachme

Coordonnées
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Personne à contacter: Mr. Sun

Téléphone: +8618824255380

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