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W9864G6KH-6I 1M 4 BANCHE 16 BIT SDRAM Memoria Dinamica Sincrona ad Accesso Casuale ad Alta Velocità

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W9864G6KH-6I 1M 4 BANCHE 16 BIT SDRAM Memoria Dinamica Sincrona ad Accesso Casuale ad Alta Velocità

W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory
W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory W9864G6KH-6I 1M 4 BANKS 16 BITS SDRAM High-speed Synchronous Dynamic Random Access Memory

Grande immagine :  W9864G6KH-6I 1M 4 BANCHE 16 BIT SDRAM Memoria Dinamica Sincrona ad Accesso Casuale ad Alta Velocità

Dettagli:
Luogo di origine: CN
Marca: Winbond
Certificazione: rohs
Numero di modello: W9864G6KH-6I
Documento: CFD5B3B2027CC778F37C3A755AA...4C.pdf
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 1
Prezzo: consult with
Imballaggi particolari: T/R
Tempi di consegna: 5-8 giorni
Termini di pagamento: T/T, Unione Occidentale
Capacità di alimentazione: 100000
Contatto Ora chiacchieri

W9864G6KH-6I 1M 4 BANCHE 16 BIT SDRAM Memoria Dinamica Sincrona ad Accesso Casuale ad Alta Velocità

descrizione
Temperatura operativa: -40℃~+85℃ Tensione operativa: 3V~3.6V
Architettura della memoria (formato): SDRAM Capacità di archiviazione: 64Mbit
Frequenza di clock (fc): 166 MHz Corrente operativa: -
Evidenziare:

1M 4 banche 16 bit SDRAM

,

memoria DRAM sincrona ad alta velocità

,

chip di memoria SDRAM a 16 bit

W9864G6KH-6I 1M 4 BANCHE 16 BIT SDRAM
Memoria SDRAM sincrona dinamica ad alta velocità
Specifiche di prodotto
Codice prodotto Grado di velocità Corrente di auto-refresh (Max) Temperatura operativa
W9864G6KH-5 200MHz/CL3 2mA 0°C ~ 70°C
W9864G6KH-6 166MHz/CL3 2mA 0°C ~ 70°C
W9864G6KH-6I 166MHz/CL3 2mA -40°C ~ 85°C
W9864G6KH-7 143MHz/CL3 2mA 0°C ~ 70°C
Caratteristiche principali
  • Alimentazione 3.3V ± 0.3V per i gradi di velocità -5, -6 e -6I
  • Alimentazione 2.7V~3.6V per i gradi di velocità -7
  • Frequenza di clock fino a 200 MHz
  • Organizzazione 1.048.576 parole * 4 banche * 16 bit
  • Corrente di auto-refresh: Standard e a basso consumo
  • CAS Latency: 2 e 3
  • Lunghezza burst: 1, 2, 4, 8 e pagina intera
  • Burst sequenziale e interleaved
  • Dati byte controllati da LDQM, UDQM
  • Auto-precharge e precharge controllato
  • Modalità Burst Read, Single Writes
  • 4K cicli di refresh/64 mS
  • Interfaccia: LVTTL
  • Confezionato in TSOP II a 54 pin, 400 mil, utilizzando materiali senza piombo conformi RoHS
Immagini del prodotto
W9864G6KH-6I 1M 4 BANCHE 16 BIT SDRAM Memoria Dinamica Sincrona ad Accesso Casuale ad Alta Velocità 0 W9864G6KH-6I 1M 4 BANCHE 16 BIT SDRAM Memoria Dinamica Sincrona ad Accesso Casuale ad Alta Velocità 1 W9864G6KH-6I 1M 4 BANCHE 16 BIT SDRAM Memoria Dinamica Sincrona ad Accesso Casuale ad Alta Velocità 2
Imballaggio e spedizione
Imballaggio standard per l'esportazione disponibile. I clienti possono scegliere tra cartoni, casse di legno e pallet di legno in base alle loro esigenze.
Domande frequenti
Come ottenere il prezzo?
Generalmente forniamo preventivi entro 24 ore dalla ricezione della vostra richiesta (esclusi fine settimana e festivi). Per richieste di prezzo urgenti, vi preghiamo di contattarci direttamente.
Qual è il vostro tempo di consegna?
I piccoli lotti vengono generalmente spediti entro 7-15 giorni, mentre gli ordini di grandi lotti potrebbero richiedere circa 30 giorni a seconda della quantità dell'ordine e della stagione.
Quali sono i vostri termini di pagamento?
Prezzi di fabbrica con deposito del 30% e saldo del 70% tramite T/T prima della spedizione.
Quali sono le opzioni di spedizione?
I metodi di spedizione disponibili includono trasporto marittimo, trasporto aereo e consegna espressa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX). Si prega di confermare il metodo preferito prima di ordinare.

Prodotto Tag:

Dram chip,

cioccolato,

Chip di memoria di Dram

Dettagli di contatto
Shenzhen Filetti Technology Co., LTD

Persona di contatto: Mr. Sun

Telefono: +8618824255380

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